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黑加侖富含花青素、多酚等營(yíng)養(yǎng)物質(zhì)，但酸度較高口感不佳，通過酵母篩選及工藝優(yōu)化，獲得了口感較佳的黑加侖果酒釀造技術(shù)。水蜜桃保藏時(shí)間極短，容易腐爛變質(zhì)，品相較差的果難以銷售，通過釀酒酵母及釀造工藝優(yōu)化，獲得了桃香味濃郁口感佳的水蜜桃果酒。楊梅富含花青素等營(yíng)養(yǎng)物質(zhì)，但酸度較高，不適 合釀酒，通過降酸酵母篩選及工藝優(yōu)化，獲得了顏色亮麗口感佳的楊梅果酒。洋蔥葡萄酒具有眾多保健功能且效果顯著，但洋蔥浸泡葡萄酒，口感較差，有洋蔥腐爛味和刺激味，通過對(duì)洋蔥發(fā)酵處理，得到洋蔥發(fā)酵液，與葡萄酒勾兌具有較好的協(xié)調(diào)性，口感好，無洋蔥味，其洋蔥槲皮素含量高于浸泡，保健功效更為顯著。 

產(chǎn)品詳細(xì)介紹南京固琦分析儀器制造有限公司專業(yè)制造各類非水碳硫分析儀，非水碳硫分析儀器，碳硫分析儀器，智能定硫儀，爐料分析儀，碳硫高速分析儀器，高智能碳硫分析儀器，南京碳硫分析儀，碳硫檢測(cè)儀，碳硫聯(lián)測(cè)分析儀,  化驗(yàn)室儀器，碳分析儀器，硫分析儀器，管式碳硫分析儀，管式碳硫儀，智能碳硫分析儀器，自動(dòng)分析儀器，智能化驗(yàn)儀器，智能分析儀器，快速碳硫分析儀、分析儀器，化驗(yàn)儀器，化驗(yàn)設(shè)備，不銹鋼成分測(cè)定儀,化學(xué)元素分析儀, 電化學(xué)分析儀,實(shí)驗(yàn)室分析儀器, 智能元素分析儀，微機(jī)元素分析儀，三元素分析儀器，可測(cè)定工業(yè)材料中碳、硫、錳、磷、硅、鎳、鉻、鉬、銅、鈦、鋅、釩、鎂、稀素的含量土等元素。儀器測(cè)量范圍廣、精度高，高、中、低檔齊全，并能接受用戶特殊定貨。廣泛應(yīng)用于鋼鐵分析儀器、冶金化驗(yàn)儀器、鑄造化驗(yàn)設(shè)備、機(jī)械分析儀器，化工分析儀器、礦山開發(fā)設(shè)備等行業(yè)及質(zhì)量監(jiān)督部門和大專院校。(http://www.gqfxy.com)  025-57357222 13851978239)。

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測(cè)試系統(tǒng) 針對(duì)高壓IGBT器件內(nèi)部承受的正極性重復(fù)方波電壓以及高溫工況，研制了針對(duì)高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測(cè)試系統(tǒng)（如圖1所示），可實(shí)現(xiàn)電壓波形參數(shù)、溫度和氣壓的靈活調(diào)控，用于研究電壓類型（交、直流、重復(fù)方波電壓）、波形參數(shù)、氣體種類、氣體壓力等因素對(duì)絕緣特性，具備放電脈沖電流測(cè)量、局部放電測(cè)量、放電光信號(hào)測(cè)量、漏電流測(cè)量及紫外光子測(cè)量等功能（如圖2所示），平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調(diào)，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個(gè)大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 針對(duì)高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部的芯片間電流均衡問題，研制了針對(duì)壓接型IGBT器件的多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)（如圖3所示），平臺(tái)具有靈活調(diào)節(jié)IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數(shù)、寄生參數(shù)以及壓力和溫度等多物理量對(duì)壓接型IGBT器件在開通/關(guān)斷過程芯片-封裝支路瞬態(tài)電流分布影響規(guī)律的研究，以及瞬態(tài)電流不均衡調(diào)控方法的研究；平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn) 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進(jìn)一步提升，對(duì)其可靠性考核裝備在測(cè)量精度、測(cè)試效率等方面提出了挑戰(zhàn)。針對(duì)柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測(cè)試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環(huán)測(cè)試裝備和100V/200°C高溫柵偏測(cè)試裝備（如圖4所示）。功率循環(huán)測(cè)試裝備可針對(duì)柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環(huán)測(cè)試，最多可實(shí)現(xiàn)12個(gè)IGBT器件的同時(shí)測(cè)試。電流等級(jí)、波形參數(shù)、壓力均獨(dú)立可調(diào)，功率循環(huán)周期為秒級(jí)，極限測(cè)試能力可達(dá) 300 ms，最高壓力達(dá)220 kN，虛擬結(jié)溫測(cè)量精度達(dá)±1°C，導(dǎo)通壓降測(cè)量精度達(dá)±2mV。高溫柵偏測(cè)試裝備可實(shí)現(xiàn)漏電流和閾值電壓的實(shí)時(shí)在線監(jiān)測(cè)，最多可實(shí)現(xiàn)32個(gè)IGBT器件的同時(shí)測(cè)試。 4. 壓接器件內(nèi)部并聯(lián)多芯片電流及結(jié)溫測(cè)量方法及實(shí)現(xiàn) 高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部芯片瞬態(tài)電流及結(jié)溫測(cè)量是器件多物理量均衡調(diào)控及狀態(tài)監(jiān)測(cè)的基本手段，針對(duì)器件內(nèi)部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計(jì)算方法，實(shí)現(xiàn)了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)了針對(duì)器件電流測(cè)量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實(shí)現(xiàn)臨近芯片電流造成的測(cè)量誤差小于1%；針對(duì)器件內(nèi)部多芯片并聯(lián)芯片結(jié)溫測(cè)量，提出了壓接型IGBT器件結(jié)溫分布測(cè)量的時(shí)序溫敏電參數(shù)法，通過各芯片柵極的時(shí)序單獨(dú)控制（如圖6所示），在各周期分別進(jìn)行單顆IGBT芯片結(jié)溫的測(cè)量，進(jìn)而等效獲得一個(gè)周期內(nèi)各IGBT芯片的結(jié)溫分布。在此基礎(chǔ)上，完成了集成于高壓大功率器件內(nèi)部的多芯片并聯(lián)電流測(cè)試PCB羅氏線圈以及時(shí)序溫敏電參數(shù)測(cè)量驅(qū)動(dòng)板的設(shè)計(jì)（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統(tǒng)用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯(lián)電流均衡調(diào)控、封裝絕緣特性及電場(chǎng)建模以及器件多物理場(chǎng)調(diào)控等方面工作，相關(guān)成果支撐了國(guó)家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應(yīng)用驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)，同時(shí)也支撐了世界首個(gè)18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

200610112778本發(fā)明涉及一種固體氧化物燃料電池用封接材料及其制備方法，屬于燃料電池技術(shù)領(lǐng)域。其特征在于所述材料主要組成為ＢａＯ１５～８０ｗｔ％、ＭｇＯ０～３０ｗｔ％、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］０～１５ｗｔ％、ＳｉＯ↓［２］３～４５ｗｔ％、Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］０～２５ｗｔ％、ＭｇＦ↓［２］０～１５ｗｔ％、Ｋ↓［２］Ｏ０～１０ｗｔ％、Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］０～１０ｗｔ％、Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］０～１ｗｔ％，優(yōu)選該組成為：ＢａＯ１７～６０ｗｔ％、ＭｇＯ２～１８ｗｔ％、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］７～１２ｗｔ％、ＳｉＯ↓［２］１０～４０ｗｔ％、Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］０～１７ｗｔ％、ＭｇＦ↓［２］２～１４ｗｔ％、Ｋ↓［２］Ｏ０～５ｗｔ％、Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］０～７ｗｔ％、Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］０～０．５ｗｔ％；其制備方法包括壓制素坯，在空氣氣氛下加熱熔融，驟冷獲得玻璃熔塊，破碎、分級(jí)等，或采用其它方法得到玻璃粉。該材料與氧化鈰基電解質(zhì)材料、鎵酸鑭基電解質(zhì)材料在浸潤(rùn)性能、熱膨脹系數(shù)和化學(xué)穩(wěn)定性方面匹配良好，適用于封接金屬、陶瓷部件，特別適用于封接固體氧化物燃料電池的玻璃基封接材料。

  距離的高精度實(shí)時(shí)測(cè)量在現(xiàn)代工業(yè)的各個(gè)領(lǐng)域中的應(yīng)用越來越廣,工件的表面輪廓目標(biāo)物體的相對(duì)位置、形狀描述等都離不開距離的高精度測(cè)量,非接觸、小型化、數(shù)字化、智能化成為距離測(cè)量系統(tǒng)發(fā)展的趨勢(shì)。隨著數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)功能越來越強(qiáng),光電耦合器CCD的日益普及,使符合實(shí)際工業(yè)生產(chǎn)要求的非接觸高精度在線距離測(cè)量系統(tǒng)的研制成為可能。    技術(shù)原理與工藝流程:    光學(xué)三角法檢測(cè)技術(shù)。光學(xué)三角法的測(cè)量原理就是使發(fā)光元件所發(fā)出的光束照射在被測(cè)物體表面上并被反射,部分反射光成像在位置敏感元件表面上(如CCD,PSD等),通過檢測(cè)光斑在敏感表面上的位置,由幾何關(guān)系即可計(jì)算出被測(cè)物體的距離。這類位移測(cè)量?jī)x的基本組成是激光器、物鏡、光電接收器、信號(hào)處理及測(cè)量顯示系統(tǒng)。    圖像中心位置的識(shí)別算法。這是非接觸測(cè)量技術(shù)中的關(guān)鍵技術(shù),當(dāng)激光照射在被測(cè)物體表面散射,經(jīng)透鏡會(huì)聚在cCD表面成像,所成像的模擬信號(hào)經(jīng)過模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(AD)被轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)處理器可以處理的數(shù)字信號(hào)后,要經(jīng)過圖像中心位置識(shí)別算法的處理確定所成像的中心點(diǎn)位置,根據(jù)激光三角法原理,由所成像的中心點(diǎn)位置就可以求出相應(yīng)的被測(cè)量物體的距離信息。    為了保證系統(tǒng)可靠性和提高測(cè)量精度,用查表與細(xì)分相結(jié)合的方法根據(jù)線性CCD上像點(diǎn)的位置確定目標(biāo)物體的距離。    主要技術(shù)性能指標(biāo)：    測(cè)量范圍:50mm；    測(cè)量?jī)x與被測(cè)物體距離:80mm；    測(cè)量精度:在全部測(cè)量范圍內(nèi),不小于01mm；    分辨率:25微米；    測(cè)量頻率:1KH    技術(shù)水平及用途：    在工業(yè)生產(chǎn)中有很多生產(chǎn)指標(biāo)和工藝參數(shù)要實(shí)現(xiàn)測(cè)量和控制,非接觸距離測(cè)量可以為生產(chǎn)的調(diào)度指揮和工藝參數(shù)的監(jiān)測(cè)提供準(zhǔn)確、可靠、快捷的信息,是一種應(yīng)用范圍很廣和非常有潛力的測(cè)量技術(shù)。    應(yīng)用行業(yè):1.教育2制造業(yè)

主要功能：1. 無感體征監(jiān)測(cè)通過UWB雷達(dá)及多光譜相機(jī)即可實(shí)現(xiàn)較為準(zhǔn)確的體溫心率呼吸血壓等參數(shù)，患者無需任何穿戴傳感器。多終端數(shù)據(jù)集成顯示，提高患者就診體驗(yàn)。2. 輔助手環(huán)條件允許的情況下還可佩戴手環(huán)輔助其他模塊測(cè)量體征，內(nèi)置定位芯片，第一時(shí)間掌握病人位置，可通過手環(huán)與AI語(yǔ)音助理進(jìn)行交互。3. 意外預(yù)判多光譜相機(jī)和其他部件通過綜合參數(shù)檢測(cè)到用戶姿態(tài)異常、體征異常時(shí)，預(yù)警可能出現(xiàn)的意外與急癥4. 智能輔助診斷全病癥知識(shí)圖譜科學(xué)輔助診斷、指導(dǎo)用藥

項(xiàng)目的背景及目的 距離的高精度實(shí)時(shí)測(cè)量在現(xiàn)代工業(yè)的各個(gè)領(lǐng)域中的應(yīng)用越來越廣，工件的表面輪廓，目標(biāo)物體的相對(duì)位置，形狀描述等都離不開距離的高精度測(cè)量，非接觸，小型化，數(shù)字化，智能化成為距離測(cè)量系統(tǒng)發(fā)展的趨勢(shì)。隨著數(shù)字信號(hào)處理器（DSP）功能越來越強(qiáng)，光電耦合器CCD的日益普及，使符合實(shí)際工業(yè)生產(chǎn)要求的非接觸高精度在線距離測(cè)量系統(tǒng)的研制成為可能。 技術(shù)原理與工藝流程 光學(xué)三角法檢測(cè)技術(shù)。光學(xué)三

 1988年國(guó)際上提出的MEMS(MicroElectroMechanical System)技術(shù)是將IC工藝和機(jī)電設(shè)計(jì)相結(jié)合制造微傳感器、微執(zhí)行器和微系統(tǒng)的新技術(shù)，也稱硅MEMS。作為對(duì)硅MEMS的補(bǔ)充和發(fā)展，非硅材料種類繁多、性能各異，能滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域的需求，我們?cè)趪?guó)家863 計(jì)劃等項(xiàng)目支持下于九十年代初首先提出并創(chuàng)立了非硅MEMS技術(shù)。 提出非硅MEMS新概念和總體思路；開發(fā)了以金屬基為主的多種材料兼容的非硅表面微加工、高深寬比三維微加工等成套非硅微加工技術(shù)，為非硅MEMS發(fā)展奠定了良好基礎(chǔ)；把經(jīng)典原理和非硅微加工結(jié)合，開發(fā)了一系列壓電、靜電、磁電、微流體、慣性等種類的微器件和微系統(tǒng)，形成若干具有完全知識(shí)產(chǎn)權(quán)的專利群；并將非硅MEMS應(yīng)用于生物芯片、微引信、信息、光器件、復(fù)合膜模具、國(guó)防武器、非硅MEMS生產(chǎn)線等眾多領(lǐng)域，取得了顯著的經(jīng)濟(jì)、社會(huì)效益，推動(dòng)和引領(lǐng)了我國(guó)非硅MEMS技術(shù)的應(yīng)用和發(fā)展。  非硅MEMS技術(shù)及其應(yīng)用獲得國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)2項(xiàng)（2008，2000），省部一等獎(jiǎng)4項(xiàng)，獲2009年中國(guó)工業(yè)博覽會(huì)創(chuàng)新獎(jiǎng)；授權(quán)發(fā)明專利200多項(xiàng)；出版MEMS專著6部。