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產(chǎn)品詳細介紹南京固琦分析儀器制造有限公司專業(yè)制造各類非水碳硫分析儀，非水碳硫分析儀器，碳硫分析儀器，智能定硫儀，爐料分析儀，碳硫高速分析儀器，高智能碳硫分析儀器，南京碳硫分析儀，碳硫檢測儀，碳硫聯(lián)測分析儀,  化驗室儀器，碳分析儀器，硫分析儀器，管式碳硫分析儀，管式碳硫儀，智能碳硫分析儀器，自動分析儀器，智能化驗儀器，智能分析儀器，快速碳硫分析儀、分析儀器，化驗儀器，化驗設(shè)備，不銹鋼成分測定儀,化學(xué)元素分析儀, 電化學(xué)分析儀,實驗室分析儀器, 智能元素分析儀，微機元素分析儀，三元素分析儀器，可測定工業(yè)材料中碳、硫、錳、磷、硅、鎳、鉻、鉬、銅、鈦、鋅、釩、鎂、稀素的含量土等元素。儀器測量范圍廣、精度高，高、中、低檔齊全，并能接受用戶特殊定貨。廣泛應(yīng)用于鋼鐵分析儀器、冶金化驗儀器、鑄造化驗設(shè)備、機械分析儀器，化工分析儀器、礦山開發(fā)設(shè)備等行業(yè)及質(zhì)量監(jiān)督部門和大專院校。(http://www.gqfxy.com)  025-57357222 13851978239)。

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統(tǒng) 針對高壓IGBT器件內(nèi)部承受的正極性重復(fù)方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統(tǒng)（如圖1所示），可實現(xiàn)電壓波形參數(shù)、溫度和氣壓的靈活調(diào)控，用于研究電壓類型（交、直流、重復(fù)方波電壓）、波形參數(shù)、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關(guān)參數(shù)：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調(diào)，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯(lián)均流實驗系統(tǒng) 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯(lián)均流實驗系統(tǒng)（如圖3所示），平臺具有靈活調(diào)節(jié)IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數(shù)、寄生參數(shù)以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關(guān)斷過程芯片-封裝支路瞬態(tài)電流分布影響規(guī)律的研究，以及瞬態(tài)電流不均衡調(diào)控方法的研究；平臺相關(guān)參數(shù)：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯(lián)均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統(tǒng) 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰(zhàn)。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環(huán)測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環(huán)測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環(huán)測試，最多可實現(xiàn)12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數(shù)、壓力均獨立可調(diào)，功率循環(huán)周期為秒級，極限測試能力可達 300 ms，最高壓力達220 kN，虛擬結(jié)溫測量精度達±1°C，導(dǎo)通壓降測量精度達±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現(xiàn)漏電流和閾值電壓的實時在線監(jiān)測，最多可實現(xiàn)32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內(nèi)部并聯(lián)多芯片電流及結(jié)溫測量方法及實現(xiàn) 高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部芯片瞬態(tài)電流及結(jié)溫測量是器件多物理量均衡調(diào)控及狀態(tài)監(jiān)測的基本手段，針對器件內(nèi)部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現(xiàn)了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結(jié)構(gòu)設(shè)計，設(shè)計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現(xiàn)臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內(nèi)部多芯片并聯(lián)芯片結(jié)溫測量，提出了壓接型IGBT器件結(jié)溫分布測量的時序溫敏電參數(shù)法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進行單顆IGBT芯片結(jié)溫的測量，進而等效獲得一個周期內(nèi)各IGBT芯片的結(jié)溫分布。在此基礎(chǔ)上，完成了集成于高壓大功率器件內(nèi)部的多芯片并聯(lián)電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數(shù)測量驅(qū)動板的設(shè)計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統(tǒng)用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯(lián)電流均衡調(diào)控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調(diào)控等方面工作，相關(guān)成果支撐了國家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應(yīng)用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

200610112778本發(fā)明涉及一種固體氧化物燃料電池用封接材料及其制備方法，屬于燃料電池技術(shù)領(lǐng)域。其特征在于所述材料主要組成為ＢａＯ１５～８０ｗｔ％、ＭｇＯ０～３０ｗｔ％、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］０～１５ｗｔ％、ＳｉＯ↓［２］３～４５ｗｔ％、Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］０～２５ｗｔ％、ＭｇＦ↓［２］０～１５ｗｔ％、Ｋ↓［２］Ｏ０～１０ｗｔ％、Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］０～１０ｗｔ％、Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］０～１ｗｔ％，優(yōu)選該組成為：ＢａＯ１７～６０ｗｔ％、ＭｇＯ２～１８ｗｔ％、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］７～１２ｗｔ％、ＳｉＯ↓［２］１０～４０ｗｔ％、Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］０～１７ｗｔ％、ＭｇＦ↓［２］２～１４ｗｔ％、Ｋ↓［２］Ｏ０～５ｗｔ％、Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］０～７ｗｔ％、Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］０～０．５ｗｔ％；其制備方法包括壓制素坯，在空氣氣氛下加熱熔融，驟冷獲得玻璃熔塊，破碎、分級等，或采用其它方法得到玻璃粉。該材料與氧化鈰基電解質(zhì)材料、鎵酸鑭基電解質(zhì)材料在浸潤性能、熱膨脹系數(shù)和化學(xué)穩(wěn)定性方面匹配良好，適用于封接金屬、陶瓷部件，特別適用于封接固體氧化物燃料電池的玻璃基封接材料。

主要功能：1. 無感體征監(jiān)測通過UWB雷達及多光譜相機即可實現(xiàn)較為準確的體溫心率呼吸血壓等參數(shù)，患者無需任何穿戴傳感器。多終端數(shù)據(jù)集成顯示，提高患者就診體驗。2. 輔助手環(huán)條件允許的情況下還可佩戴手環(huán)輔助其他模塊測量體征，內(nèi)置定位芯片，第一時間掌握病人位置，可通過手環(huán)與AI語音助理進行交互。3. 意外預(yù)判多光譜相機和其他部件通過綜合參數(shù)檢測到用戶姿態(tài)異常、體征異常時，預(yù)警可能出現(xiàn)的意外與急癥4. 智能輔助診斷全病癥知識圖譜科學(xué)輔助診斷、指導(dǎo)用藥

 1988年國際上提出的MEMS(MicroElectroMechanical System)技術(shù)是將IC工藝和機電設(shè)計相結(jié)合制造微傳感器、微執(zhí)行器和微系統(tǒng)的新技術(shù)，也稱硅MEMS。作為對硅MEMS的補充和發(fā)展，非硅材料種類繁多、性能各異，能滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域的需求，我們在國家863 計劃等項目支持下于九十年代初首先提出并創(chuàng)立了非硅MEMS技術(shù)。 提出非硅MEMS新概念和總體思路；開發(fā)了以金屬基為主的多種材料兼容的非硅表面微加工、高深寬比三維微加工等成套非硅微加工技術(shù)，為非硅MEMS發(fā)展奠定了良好基礎(chǔ)；把經(jīng)典原理和非硅微加工結(jié)合，開發(fā)了一系列壓電、靜電、磁電、微流體、慣性等種類的微器件和微系統(tǒng)，形成若干具有完全知識產(chǎn)權(quán)的專利群；并將非硅MEMS應(yīng)用于生物芯片、微引信、信息、光器件、復(fù)合膜模具、國防武器、非硅MEMS生產(chǎn)線等眾多領(lǐng)域，取得了顯著的經(jīng)濟、社會效益，推動和引領(lǐng)了我國非硅MEMS技術(shù)的應(yīng)用和發(fā)展。  非硅MEMS技術(shù)及其應(yīng)用獲得國家技術(shù)發(fā)明二等獎2項（2008，2000），省部一等獎4項，獲2009年中國工業(yè)博覽會創(chuàng)新獎；授權(quán)發(fā)明專利200多項；出版MEMS專著6部。

? 非損傷微測技術(shù)（Non-invasive Micro-test Technology，NMT）源于美國MBL實驗室（54位諾貝爾獎得主的搖籃），由神經(jīng)學(xué)家Lionel F. Jaffe（美國揚格公司創(chuàng)始人之一）于1974年發(fā)明，2001年，美國揚格公司正式推出現(xiàn)代NMT。NMT是一種研究活體材料的底層核心技術(shù)，研究人員基于NMT能夠建立自己獨有的Me-Only 研究平臺，從而獲得極具創(chuàng)新的研究成果。 ? NMT可在不接觸、不損傷樣品的情況下，檢測分子/離子進出生物活體的流速（流動速率和方向），可測樣品種類繁多，小到菌、單細胞、液泡，大到組織、器官、整體都可檢測。基于NMT商業(yè)化的設(shè)備統(tǒng)稱為非損傷微測系統(tǒng)。 ? 揚格/旭月的非損傷微測系統(tǒng)包含BIO系列、CONFLUX系列（共聚焦/熒光NMT）、NMT100系列、NMT200系列、NMT100S系列、NMT200S系列、NMT150系列、NMT活體工作站系列、NMT Physiolyzer?系列等，已發(fā)展至第七代自動化智能產(chǎn)品。揚格/旭月的NMT系統(tǒng)全部采用從美國揚格（旭月北京）研發(fā)中心自主研發(fā)的imFluxes智能操作軟件，將十余年的NMT應(yīng)用大數(shù)據(jù)與設(shè)備實現(xiàn)完美結(jié)合，并且在產(chǎn)品一體化、自動化、智能化、擴展升級等諸多方面都有大幅提升。 ? 揚格/旭月已取得基于NMT的數(shù)十項專利及軟件著作權(quán)，擁有完善的專利保護體系，所有產(chǎn)品全部通過中關(guān)村NMT聯(lián)盟認證和ISO9001質(zhì)量體系認證。揚格/旭月所銷售的NMT專用耗材，已通過中關(guān)村NMT聯(lián)盟認證，所有耗材是揚格/旭月研發(fā)中心結(jié)合十余年的經(jīng)驗、摸索并自主研發(fā)生產(chǎn)的。NMT專用耗材較傳統(tǒng)的通用型耗材保質(zhì)期更長，性能更穩(wěn)定、可靠，所有對外銷售的耗材全部經(jīng)過嚴格的生產(chǎn)、檢驗流程。 ? 揚格/旭月的NMT研究平臺已經(jīng)幫助國內(nèi)外科研單位取得近百項各類專利，以及包含Nature、Cell在內(nèi)的500多篇論文。同時，已銷往歐洲的瑞士蘇黎世大學(xué)（擁有包括愛因斯坦在內(nèi)10余位諾貝爾獎得主），以及中國科學(xué)院、中國林科院、中國農(nóng)科院、農(nóng)業(yè)部下屬的眾多科研院所與高校，以及北大、上海交大等知名高校。 ? 美國揚格公司推出新產(chǎn)品熒光非損傷微測系統(tǒng)，該系統(tǒng)非損傷性地同時獲取活體樣品內(nèi)外離子分子種類、濃度、流速和運動方向的信息，是生理功能鑒定的直接手段。 測量方式和特點：活體、動態(tài)、實時、內(nèi)外兼測、長時間多維掃描與測量。 所測離子和分子：IAA、O2、H2O2、Ca2+、H+、K+、Na+、Cu2+、Pb2+、Cd2+、Cl-、NH4+、NO3-、Mg2+。 測量材料：整體、器官、組織、細胞層、單細胞、（富集）細胞器。 擁有熒光功能。 產(chǎn)品型號：非損傷微測系統(tǒng)NMT-IE系列（美國原裝整機進口或進口原件，國內(nèi)組裝） 參數(shù)請來電咨詢：82622628 按1 營銷中心

產(chǎn)品詳細介紹中廣上洋U-EDIT 100HD    中廣上洋U-EDIT專業(yè)視頻編輯產(chǎn)品提供了您所需要的一切，它沿襲了大洋非線性編編產(chǎn)品模塊齊全、功能強大的優(yōu)點，經(jīng)過優(yōu)化的工作流程完全滿足SD及HD的應(yīng)用，同時采用高質(zhì)量的視音頻處理技術(shù)、行業(yè)領(lǐng)先的創(chuàng)意與剪輯工具、強大的字幕動畫創(chuàng)作模塊和實用的音頻處理模塊，幫您更快、更輕松、更專業(yè)地創(chuàng)作出最好的作品。處理器：英特爾@酷睿@高速處理器圖形顯卡：專業(yè)圖形處理顯卡數(shù)據(jù)存儲：2*1TB尺寸（單位mm）：570*430*176硬件板卡：Cutelink系列板卡視頻輸入輸出接口： HDMI高標清/C復(fù)合音頻輸入輸出接口：立體聲線路輸入輸出立體聲話筒輸入立體聲耳機輸出其他接口：支持OHCI1394

成果簡介： 在含有苯硼酸和納米金的溶液體系中加入含糖樣品，樣品中的糖類物質(zhì)與苯硼酸結(jié)合從而抑制苯硼酸和納米金的結(jié)合，使溶液顏色發(fā)生變化，通過檢測或者觀測溶液顏色的變化實現(xiàn)樣品中糖類物質(zhì)的定量、半定量或定性檢測。

本發(fā)明涉及一種金納米環(huán)的制備方法，包括如下步驟：將鈀納米片，抗壞血酸和分散劑溶解于溶劑中；所述的鈀納米片中鈀原子在溶液中的濃度為2.0×10?4～1.4×10?3mol/L；所述的抗壞血酸在溶液中的濃度為0.1～0.5mol/L；然后將氯金酸水溶液注入到上述的溶液，在0～35℃下反應(yīng)，得到金納米環(huán)；所述的氯金酸與鈀納米片中鈀原子的摩爾比為7 : 1～25 : 1。該制備方法簡單，重復(fù)性高，成本低，制備得到的金納米環(huán)具有空心結(jié)構(gòu)，尺寸均勻、分散性好，而且尺寸與壁厚都可以調(diào)控。

內(nèi)容介紹： 針對飛機數(shù)字化制造中的飯金工藝智能設(shè)計、曲面類零件展開和平板 類零件排樣問題，建立了仮金零件工藝知識庫，實現(xiàn)了飯金零件典型工 藝的智能設(shè)計；提出了曲面類零件展開的等變形協(xié)調(diào)解法，實現(xiàn)了飛機 飯金曲面類零件的快速、準確展開；設(shè)計了面向飛機銀金零件多種下料 方式的排樣算法，實現(xiàn)了仮金零件的綜合優(yōu)化排樣；開發(fā)了面向航空數(shù) 字化制造的使能工具軟件，實現(xiàn)飛機飯金工藝設(shè)計的智能化和快速化。