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墨水，印花設備，噴頭是高速數碼印花的三大元素。墨水作為耗材用量巨大， 影響著設備、噴頭的使用壽命以及印花布質量的優劣，是破局的關鍵所在。國內 目前沒有成熟的墨水技術來實現進口產品的替代，制約了高速數碼印花技術的發展。 經過膜法處理的墨水用于印花設備，提高設備運行狀態穩定和印花布印花質量。相較與傳統印花，該項目的染輔料利用率高十倍以上，印花廢水大大減少。 高品質墨水為印花過程帶來了質量與速度的完美融合

本發明公開了一種番紅1號西紅花的脫毒試管球莖的培養法，包括以下步驟：西紅花球莖于溫水浸泡后進行水培催芽，取球莖的側芽進行培養，剝取所得的無菌苗上的莖尖分生組織進行培養，待長到1.5cm～2.0cm高時作為植株Ⅰ，對植株Ⅰ進行菜豆黃花葉病毒顆粒檢測，如果檢測到病毒顆粒，從該植株Ⅰ上剝取莖尖分生組織，以此替代上述步驟中的剝取自無菌苗上的莖尖分生組織重復上述步驟，直至獲得不含菜豆黃花葉病毒顆粒的植株Ⅰ為止；將不含菜豆黃花葉病毒顆粒的植株Ⅰ進行培養；誘導出的叢生芽接種到球莖誘導膨大培養基上進行培養，直至長成所需的規格。采用該方法能在短時間內生產大量遺傳背景相同的優質脫毒健康種苗。

一種微動疲勞試驗系統的法向加載裝置，其中：基座螺紋固定于拉扭多軸疲勞試驗機臺面上，基座上固定兩根橫向導軌，基座右端安裝絲杠的螺母，絲杠的螺桿與夾持機構的右擋板相連；夾持機構的組成是：底板底面滑塊與基座上的導軌配合；底板的左、右端固定有通過四根導桿相連的左、右擋板；右夾頭右側凹槽內安裝有與右擋板壓頭相對壓力傳感器；右微動墊置于右夾頭弧形槽內；氣缸固定于左擋板左側，氣缸的活塞桿穿過左擋板與緩沖塊相連，緩沖塊右側面與運動板的左側面相對；運動板右側通過三維傳感器與左夾頭相連；左微動墊置于左夾頭弧形槽內。該試驗裝置加載的法向載荷能更好的保持恒定，試驗結果更準確、可靠。

成果簡介有機溶劑在精細化學工業中起著舉足輕重的作用。 二氯甲烷是不可燃低沸點溶劑， 廣泛用于醫藥、 塑料及膠片等工業。 二氯甲烷具有廣譜的溶解力、 低沸點以及相對而言最低的毒性和相對而言最好的反應惰性， 使其成為有機合成中應用最為頻繁的有機溶劑。 作為溶劑， 其地位幾乎跟無機鹽化學中水相當。 在生產過程中， 簡單回收得到的二氯甲烷溶劑通常含有一定量的水分。 水是有機溶劑中常見且不易去除的雜質， 對有機溶劑參與的合成反應和分離過程產生極其不利的影響。 因而簡單回收的二氯甲烷溶劑無法直接循

研究內容 ：本項目采用真空干燥和真空冷凍干燥兩步法生產乳酸菌發 酵菌劑。首先在常溫下通過真空干燥將細胞的含水量降低到 15-30%，最 后在低溫下通過真空冷凍干燥將細胞的含水量降低到 5%以下，可有效防 止細胞內冰晶膨脹、細胞自溶的現象發生，大幅度提高了冷凍干燥過程中 凍干菌劑的存活率，乳酸菌活菌數可達 10cfu/克，超過目前所有市售的乳 酸菌發酵菌劑產品活菌數。 技術優點

一種泡生法藍寶石晶體生長爐，屬于晶體生長裝置，克服使用現有泡生法裝置需要人工干預完成放肩過程的問題。本發明包括爐體、坩堝、坩堝蓋、爐蓋和籽晶桿，爐體內敷設有側壁保溫層和底部保溫層，圍繞爐體內的坩堝設置有側面加熱器和底部加熱器，并設置有側反射屏、底部反射屏和上部反射屏；所述坩堝蓋由頂部圓盤和下部圓柱連為一體構成，下部圓柱底端為內凹曲面；工作時，坩堝蓋的內凹曲面與熔液接觸，可以簡化放肩過程，并抑制熔液自然對流和表面張

產品詳細介紹水蒸氣透過量測試儀適用于塑料薄膜、復合膜等膜、醫療、建筑領域等多種材料的水蒸氣透過率的測定。通過對水蒸氣透過率的測定，達到控制與調節包裝材料等產品的技術指標。水蒸氣透過量測試儀符合GB 1037、GB/T 16928、ASTM E96、ISO 2528等多項標準。 水蒸氣透過量測試儀W3/060特點： 計算機控制，試驗過程自動化 單機六腔獨立測試 一臺主機可連接九臺衛星機，實現六十個試樣獨立測試 間歇稱重測量，每次測量前稱重器自動清零 透濕杯稱量氣缸升降機構 標準風速 自動控溫 自動控濕 溫濕度檢定口 試驗報告可按文件格式、數據庫格式、Excel格式存儲 寬范圍電源輸入 標準砝碼與標準膜二種快速校準模式 網絡傳輸接口支持局域網數據集中管理與互聯網信息傳輸 水蒸氣透過量測試儀工作原理： 在一定的溫度下，使試樣的兩側形成一特定的濕度差，水蒸氣透過試樣進入干燥的一側，通過測定透濕杯重量隨時間的變化量，從而求出試樣的水蒸氣透過率等參數。 了解詳情請致電：濟南蘭光0531-85068566   Labthink蘭光產品： 1. 氣體滲透儀 2. 透氣性測試儀 3. 氣體透過率測定儀 4. 透氧儀 5. 透濕性測試儀 6. 密封試驗儀 7. 落鏢沖擊試驗儀 8. 密封儀 9. 泄漏與密封強度測試儀 10. 氧氣透過率測試儀 11. 熱封儀 12. 氧氣透過率測定儀 13. 水蒸氣透過率測試儀 14. 薄膜拉力機 15. 摩擦系數儀 16. 初粘性測試儀 17. 智能電子拉力試驗機 18. 撕裂度儀 19. 熱縮試驗儀 20. 電子剝離試驗機 21. 揉搓試驗儀 22. 瓶蓋扭矩儀 23. 頂空氣體分析儀 24. 磨擦試驗機 25. 熱封試驗儀 26. 擺錘沖擊試驗儀 27. 墨層結合牢度試驗機 28. 持粘性測試儀 29. 薄膜測厚儀 30. 霧化試驗儀 31. 摩擦系數測試儀 32. 紙箱抗壓機 33. 氣相色譜儀 34. 摩擦系數測定儀 35. 測厚儀 36. 膠粘劑拉伸剪切機 37. 透氣度測試儀

產品詳細介紹壓差法氣體滲透儀適用于塑料薄膜、復合膜、高阻隔材料、片材、金屬箔片、橡膠、滲透膜等材料在各種溫度下的氣體透過率、溶解度系數、擴散系數、滲透系數的測定。壓差法氣體滲透儀符合GB 1038、ASTM D1434、ISO 2556、ISO 15105-2等多種標準。壓差法氣體滲透儀（VAC-V2）具有以下特點：測定試驗氣體透過率、溶解度、擴散與滲透系數；三腔獨立測試，恒溫控制，可選濕度控制；任意溫度下的數據擬合功能；可擴展有毒、易爆等危險氣體的試驗；壓差法氣體滲透儀測試原理：將預先處理好的試樣放置在上下測試腔之間，夾緊，首先對低壓腔（下腔）進行真空處理，然后對整個系統抽真空，當達到規定的真空度后，關閉測試下腔，向高壓腔（上腔）充入一定壓力的試驗氣體，并保證在試樣兩側形成一個恒定的壓差（可調），這樣氣體會在壓差梯度的作用下，由高壓側向低壓側滲透，通過對低壓側內壓強的監測處理，從而得出所測試樣的各項阻隔性參數。壓差法氣體滲透儀技術指標：測試范圍： 0.05 ～ 50,000 cm3/m2·24h·0.1MPa（常規）                      上限不小于500,000 cm3/m2·24h·0.1MPa（擴展體積）                      注：常規和擴展體積通過體積填塊來選擇 控溫范圍：5℃～95℃控溫精度：±0.1℃ 控濕范圍：0%RH、2%RH～98.5%、100%RH（濕度發生裝置另購）控濕精度：±1%RH真空精度：0.1Pa 測試腔真空度：<20Pa試樣尺寸：Φ97mm試樣數量：3 件(數據各自獨立)透過面積：38.48cm2試驗氣體：O2、N2、CO2 等氣體（氣源用戶自備）了解詳情請致電：濟南蘭光0531-85068566 Labthink蘭光產品：1. 透氧儀 2. 氣體透過率測定儀 3. 透氣性測試儀 4. 透濕儀 5. 透濕性測試儀 6. 密封試驗儀 7. 落鏢沖擊試驗儀 8. 密封儀 9. 泄漏與密封強度測試儀 10. 氧氣透過率測試儀 11. 熱封儀 12. 氧氣透過率測定儀 13. 水蒸氣透過率測定儀 14. 薄膜拉力機 15. 摩擦系數儀 16. 初粘性測試儀 17. 智能電子拉力試驗機 18. 撕裂度儀 19. 熱縮試驗儀 20. 電子剝離試驗機 21. 揉搓試驗儀 22. 瓶蓋扭矩儀 23. 頂空分析儀 24. 磨擦試驗機 25. 熱封試驗儀 26. 擺錘沖擊試驗儀 27. 墨層結合牢度試驗機 28. 持粘性測試儀 29. 薄膜測厚儀 30. 霧化測試儀 31. 摩擦系數測試儀 32. 紙箱抗壓試驗機 33. 氣相色譜儀 34. 摩擦系數測定儀 35. 透氣度測試儀 36. 測厚儀 37. 摩擦系數試驗儀

實驗內容 1、自由振蕩—擺輪振幅與系統固有周期的對應值的測量； 2、測定阻尼系數 β，阻尼電流連續可調，測試繪制阻尼變化曲線； 3、測定受迫振動的幅度特性和相頻特性曲線； 4、研究不同阻尼對受迫振動的影響，觀察共振現象； 5、學習用頻閃法測定運動物體的某些量，例如相位差等。

成果與項目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數小、耐熱性和穩定性 好等優點，在精密電子設備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來 說，靶材是至關重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數 (TCR)是金屬膜電阻器的一個重要性能技術指標之一，較大的 TCR 在溫度變化時 會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩定性。目前國內外生產的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數量級為千歐, 刻槽后數量級為 兆歐)且穩定(隨時間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜 穩定性高。通過在金屬 C r 中引入半導體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量 的氧來提高薄膜的電阻率, 同時調節電阻溫度系數。 技術指標如下： 溫度沖擊實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實驗后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應用領域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導體微環激光器 3 基光電集成電路 4 無線網絡與應用：協作無線網絡 5 移動通信—LTE 技術