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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
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納米晶氮碳化鈦陶瓷超細(xì)粉的高溫碳氮化制備法
一種納米晶氮碳化鈦陶瓷超細(xì)粉的高溫碳氮化反應(yīng)制備法,以納米氧化鈦和納米碳黑為原料,工藝步驟依次為配料、混料、干燥、裝料、高溫碳氮化、球磨、過(guò)篩。此法工藝簡(jiǎn)單,成本較低,較一般碳熱還原法節(jié)約能源,容易實(shí)現(xiàn)規(guī)模化工業(yè)生產(chǎn)。通過(guò)控制反應(yīng)溫度、保溫時(shí)間、氮?dú)鈮毫?或流量)、碳鈦配比等工藝因素可以合成各種氮含量的氮碳化鈦納米晶超細(xì)粉。用此法制備的氮碳化鈦粉末為球形,分散性較好,平均粒度為100～200NM,平均晶粒度為20～50NM,純度達(dá)99%以上。
四川大學(xué)
2021-04-11
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基于雙反饋法的阻性傳感陣列線性讀出電路及其讀出方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于雙反饋法的阻性傳感陣列線性讀出電路。所述讀出電路包括：行多路選擇器、列多路選擇器、掃描控制器、負(fù)恒流源、電壓采樣裝置以及第一運(yùn)算放大器、第二運(yùn)算放大器、第三運(yùn)算放大器；所述負(fù)恒流源的輸出端連接第一運(yùn)算放大器的反相輸入端，第一運(yùn)算放大器的同相輸入端與第二運(yùn)算放大器的同相輸入端連接后接地，第二運(yùn)算放大器的反相輸入端與第二運(yùn)算放大器的輸出端連接，第三運(yùn)算放大器的反相輸入端與第三運(yùn)算放大器的輸出端連接；電壓采樣裝置用于對(duì)第三運(yùn)算放大器的輸出端電壓、第一運(yùn)算放大器的輸出端電壓進(jìn)行檢測(cè)。本發(fā)
東南大學(xué)
2021-04-14
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高性能氮化硼納米材料
納米氮化硼材料兼具氮化硼和納米材料的雙重優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于航空航天、高端電子散熱材料、吸附劑、水凈化、化妝品等領(lǐng)域。項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出一種能夠?qū)崿F(xiàn)形貌和尺寸均一且具有超大比表面積多孔氮化硼納米纖維的規(guī)模化制備技術(shù)，目前市場(chǎng)尚未實(shí)現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)。該技術(shù)合成工藝簡(jiǎn)單可控、成本低、過(guò)程綠色環(huán)保，處于國(guó)際領(lǐng)先地位。
1 產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域
圖2 高性能氮化硼納米纖維粉體
圖3 氮化硼納米纖維粉體微觀形貌
吉林大學(xué)
2025-02-10
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低阻測(cè)量
"專(zhuān)業(yè)測(cè)量低阻的發(fā)明儀器：可測(cè)最低阻值0.000001Ω；在實(shí)際應(yīng)用中，還可測(cè)0.000001V的交流電壓和0.000001A的交流電流。 "
廈門(mén)大學(xué)
2021-04-10
納米氮化釩及納米碳氮化釩粉體的制備方法
本發(fā)明提供了一種納米氮化釩及納米碳氮化釩粉體的制備方法。其特征在于以粉狀釩酸銨、碳質(zhì)還原劑和微量稀土等催化劑為原料，按一定配比將它們?nèi)苡谌ルx子水或蒸餾水中，并攪拌均勻，制得溶液。然后將該溶液加熱、干燥，最后得到含有釩源和碳源的前驅(qū)體粉末。將前驅(qū)體粉末置于高溫反應(yīng)爐中，并通入還原氣體作為反應(yīng)和保護(hù)氣體，于800～950℃、30～60min條件下，制得平均粒徑＜100nm、粒度分布均勻的納米氮化釩及納米碳氮化釩粉體。本方法具有反應(yīng)溫度低、反應(yīng)時(shí)間短、生產(chǎn)成本低、工藝簡(jiǎn)單等特點(diǎn)，適合工業(yè)化生產(chǎn)。
四川大學(xué)
2021-04-11
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氮化鎵界面態(tài)起源
已有樣品/n基于超低溫的恒定電容深能級(jí)瞬態(tài)傅里葉譜表征了LPCVD-SiNx/GaN界面態(tài)，在70K低溫下探測(cè)到近導(dǎo)帶能級(jí)ELP (EC - ET = 60 meV)具有1.5 × 10-20 cm-2的極小捕獲界面。在國(guó)際上第一次通過(guò)高分辨透射電鏡在LPCVD-SiNx/GaN界面發(fā)現(xiàn)晶化的Si2N2O分量，并基于Si2N2O/GaN界面模型的第一性原理分析，證明了近導(dǎo)帶界面態(tài)主要來(lái)源于鎵懸掛鍵與其臨近原子的強(qiáng)相互作用。由于晶化的Si2N2O
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
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高可靠憶阻器件及其視聽(tīng)覺(jué)傳感應(yīng)用
技術(shù)成熟度：技術(shù)突破
傳統(tǒng)CMOS工藝的圖形處理器通常是由探測(cè)、存儲(chǔ)、處理等多個(gè)分立系統(tǒng)構(gòu)成，不可避免的增加了集成電路的復(fù)雜性、功耗和成本，憶阻器在新型信息存儲(chǔ)器件、存算一體化技術(shù)及人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域有著巨大應(yīng)用潛力。
研發(fā)團(tuán)隊(duì)發(fā)展的感存算一體化新型光電憶阻材料與器件能夠解決傳統(tǒng)人工視聽(tīng)覺(jué)系統(tǒng)在容量、集成度、速度等方面的技術(shù)瓶頸問(wèn)題，是實(shí)現(xiàn)高效智能視聽(tīng)覺(jué)傳感系統(tǒng)的基礎(chǔ)。研發(fā)團(tuán)隊(duì)首次在基于氧化鎢材料憶阻突觸器件的視聽(tīng)覺(jué)系統(tǒng)中模擬了速度檢測(cè)的多普勒頻移信息處理，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)高通濾波和處理具有相對(duì)時(shí)序和頻移的尖峰數(shù)據(jù)。這些結(jié)果為視聽(tīng)覺(jué)運(yùn)動(dòng)感知的模擬提供了新機(jī)會(huì)，促進(jìn)了其在未來(lái)神經(jīng)形態(tài)傳感領(lǐng)域的應(yīng)用。
意向開(kāi)展成果轉(zhuǎn)化的前提條件：中試放大及產(chǎn)業(yè)化工藝開(kāi)發(fā)資金支持
東北師范大學(xué)
2025-05-16
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神經(jīng)形態(tài)憶阻器
傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)采用分立的處理器和存儲(chǔ)器，所有計(jì)算數(shù)據(jù)都要通過(guò)總線進(jìn)行搬運(yùn)，造成了存儲(chǔ)墻、功耗墻等突出問(wèn)題。基于憶阻器的神經(jīng)形態(tài)器件能夠在物理層面模擬生物突觸、神經(jīng)元信息處理功能，從而實(shí)現(xiàn)局域的存算融合，從根本上解決馮諾依曼瓶頸，帶來(lái)巨大的性能和能效提升。
北京大學(xué)
2021-02-01
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懸空氮化物薄膜LED
南京郵電大學(xué)
2021-04-14
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自蔓延反應(yīng)燒結(jié)氮化硅/氮化硼復(fù)相可加工陶瓷
北京科技大學(xué)特種陶瓷研究室開(kāi)發(fā)出一種自蔓延反應(yīng)燒結(jié)氮化硅/氮化硼復(fù)相可加工陶瓷材料，其應(yīng)用前景極其廣闊。 Si和N2合成Si3N4反應(yīng)的絕熱燃燒溫度高，體積有所增加，生成棒狀的b-Si3N4相相互交叉，提高了自蔓延反應(yīng)燒結(jié)氮化硅多孔陶瓷的強(qiáng)度，但氮化硅加工性能差。h-BN陶瓷可加工性能好，但燒結(jié)性能差。本項(xiàng)目利用h-BN相在氮化硅陶瓷中形成弱界面，當(dāng)加工時(shí)，弱界面上會(huì)形成微裂紋，并沿弱界面發(fā)生偏轉(zhuǎn)，耗散裂紋擴(kuò)展的能量使裂紋擴(kuò)展終止；當(dāng)載荷繼續(xù)上升時(shí)，在下層的弱結(jié)合界面處將產(chǎn)生新的臨界裂紋再擴(kuò)展；如此反復(fù)，使裂紋成為跳躍式階梯狀擴(kuò)展，斷裂漸次發(fā)生而非瞬間脆斷，使氮化硅/氮化硼多孔陶瓷材料具有了好的可加工性能。 本項(xiàng)目原料中采用了一定比例的Si粉，比完全以Si3N4粉為原料的普通燒結(jié)工藝節(jié)約了原料成本。產(chǎn)品的基本工藝為自蔓延高溫合成（燃燒合成）工藝，在氣體高壓反應(yīng)器中進(jìn)行，燒結(jié)所需要的能量完全由原料自身放熱提供，與其他制備方法（常壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)、反應(yīng)燒結(jié)）相比較，不需要高溫?zé)Y(jié)爐長(zhǎng)時(shí)間燒結(jié)，大大節(jié)省了能源。本項(xiàng)目工藝簡(jiǎn)單，燒結(jié)速度快，效率高。可制作復(fù)雜形狀一維，二維的大尺寸陶瓷材料。抗彎強(qiáng)度已做到188MPa，材料可加工性能優(yōu)良。 已獲中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利《ZL 200610089013.6自蔓延反應(yīng)燒結(jié)Si3N4/BN復(fù)相可加工陶瓷的方法》。
北京科技大學(xué)
2021-04-11