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一種基于憶阻器的超寬帶脈沖信號產(chǎn)生裝置
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的超寬帶脈沖信號產(chǎn)生裝置，包 括憶阻器控制電路、方波振蕩電路、超寬帶脈沖產(chǎn)生電路和倍壓電路； 方波振蕩電路的輸入端連接憶阻器控制電路，倍壓電路的輸入端連接 至方波振蕩電路的第一輸出端，脈沖產(chǎn)生電路的第一輸入端連接至倍 壓電路的輸出端，第二輸入端連接至方波振蕩電路的第二輸出端。憶 阻器控制電路包括三極管，方波振蕩電路包括 TTL 門電路、憶阻器、 射極放大電路，超寬帶脈沖產(chǎn)生電路包括反相器、R
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于憶阻器的多值存儲單元、讀寫電路及其操作方法
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的多值存儲單元、讀寫電路及其·717·操作方法；所述基于憶阻的多值存儲單元是利用憶阻器的阻變特性，由多個憶阻器以特殊的連接方式構(gòu)成。這種連接方式組成的多值存儲單元繼承了憶阻器，體積小，功耗低，可拓展性強的優(yōu)點。相較于傳統(tǒng)憶阻器存儲結(jié)構(gòu)，所述多值存儲結(jié)構(gòu)提供了更大的存儲空間，為存儲器設(shè)計提供了一種新的思路。所述多值存儲單元的讀寫電路包括存儲單元、控制開關(guān)以及電壓比較電路。所述讀寫
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于憶阻器的圖像識別系統(tǒng)及方法
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的圖像識別系統(tǒng)及方法。所述系 統(tǒng)包括圖像信號提取模塊、多個基于憶阻器的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模塊和識別模 塊；所述識別模塊其輸入端與多個神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模塊的輸出端相連；每個 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模塊的輸出端與識別模塊的輸入端相連，其輸入端與信號提 取模塊的輸出端相連。所述方法包括以下步驟：（1）獲取待識別灰度 圖像的特征向量并輸入各神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型；（2）各神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型根據(jù)其 圖像模型對所述特征向量分別進行打分并進行識別；（3
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于憶阻器實現(xiàn)多層識別的電路及其控制方法
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器實現(xiàn)多層識別的電路及其控制方 法，來模擬生物大腦的多狀態(tài)(認知、熟悉、陌生)認知能力。通過分別 調(diào)節(jié)第二輸入端與第一輸入端信號脈沖的匹配數(shù)目和第二輸入端信號 脈沖幅值來實現(xiàn)多層次脈沖識別。第一輸入端輸入信號代表已存儲在 生物大腦中的樣本信號，第二輸入端輸入信號代表生物大腦接收到外 界環(huán)境的刺激信號，這種識別方法的原理是通過控制大腦存儲的樣本 信號和外界環(huán)境的刺激信號相互匹配，來調(diào)控大腦對于外
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于憶阻器的通用編程模塊及其操作方法
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的通用編程模塊及其操作方法， 可編程模塊包括阻變元件、電阻 R1、第一 N 型 MOS 管、第一 P 型 MOS 管、第二 N 型 MOS 管和第二 P 型 MOS 管；第一 N 型 MOS 管 的漏極和第一 P 型 MOS 管的漏極均連接至阻變元件的一端，第一 N 型 MOS 管的源極和第一 P 型 MOS 管的源極連接后與電阻 R1 的一端 連接，第一 N 型 MOS 管的柵極與第一 P 型 MOS
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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基于雙反饋法的阻性傳感陣列線性讀出電路及其讀出方法
本發(fā)明公開了一種基于雙反饋法的阻性傳感陣列線性讀出電路。所述讀出電路包括：行多路選擇器、列多路選擇器、掃描控制器、負恒流源、電壓采樣裝置以及第一運算放大器、第二運算放大器、第三運算放大器；所述負恒流源的輸出端連接第一運算放大器的反相輸入端，第一運算放大器的同相輸入端與第二運算放大器的同相輸入端連接后接地，第二運算放大器的反相輸入端與第二運算放大器的輸出端連接，第三運算放大器的反相輸入端與第三運算放大器的輸出端連接；電壓采樣裝置用于對第三運算放大器的輸出端電壓、第一運算放大器的輸出端電壓進行檢測。本發(fā)
東南大學(xué)
2021-04-14
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去阻啟動噴動床秸稈與煤共催化氣化制燃氣技術(shù)
項目簡介 本成果利用去阻啟動噴動床為反應(yīng)器，將生物質(zhì)秸稈和煤共催化氣化，產(chǎn)生燃氣， 形成了生物質(zhì)稻草催化水煤氣反應(yīng)低焦油中熱值燃氣制備工藝，可用于農(nóng)村地區(qū)以村鎮(zhèn) 為單位的小型氣化站的建設(shè)。成果已取得發(fā)明專利授權(quán)，ZL 2009 1 0264047.8。 性能指標 120kg/h 的生物質(zhì)稻草等與煤、碳酸鈣和水蒸汽共氣化，生成焦油含量低于 10mg/m3 、 熱值 10-15MJ/m3 的農(nóng)村用燃氣。 適用范圍、市場前景
江蘇大學(xué)
2021-04-14
一種基于憶阻的非易失性 D 觸發(fā)器電路
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的非易失 D 觸發(fā)器電路；包括憶阻器 ME、定值電阻 R、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2 和第三反相器 N3 以及將憶阻器與定值電阻串聯(lián)構(gòu)成的分壓電路模塊。主要是利用了憶阻的非易失和阻值隨流經(jīng)本身的電荷大小改變的特性，實現(xiàn)了觸發(fā)器的鎖存以及觸發(fā)功能。本發(fā)明所構(gòu)建 D 觸發(fā)器不僅具有傳統(tǒng)觸發(fā)器的功能，而且具備響應(yīng)速度快以及非易失性的特點
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于憶阻的非易失性存儲器、讀寫擦除操作方法及測試電路
本發(fā)明提供了一種基于憶阻的非易失性存儲器及其讀、寫、擦除操作方法以及測試電路；基于憶阻的非易失性存儲器電路包括憶阻存儲單元、選址開關(guān)、控制開關(guān)以及分壓電路。本電路的設(shè)計通過行列地址信號對憶阻存儲單元進行選址，通過外加脈沖信號對讀、寫、擦除操作進行選擇，并提供了基于憶阻的非易失性存儲器的功能測試電路驗證此電路結(jié)構(gòu)的有效性。同時，在此電路結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，利用憶阻的非易失性原理，探討了對此基于憶阻的非易失性存儲器電路的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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東北師范大學(xué)在憶阻材料與器件領(lǐng)域取得重要進展
憶阻器具有運行功耗低、讀寫速度快、集成密度高等優(yōu)勢，在信息存儲、邏輯運算、類腦計算等領(lǐng)域有重要應(yīng)用，被視為推進信息技術(shù)發(fā)展的一種變革性技術(shù)。
東北師范大學(xué)
2022-06-08