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一種閾值電壓可調的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途
本發明公開了一種閾值電壓可調的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途，薄膜晶體管的頂柵、阻擋層、存儲層、隧穿層及溝道層構成了頂柵型存儲器；薄膜晶體管的溝道層、底柵氧化層及底柵構成了底柵型TFT。通過對頂柵型存儲器進行操作實現非易失性存儲器的“編程/擦除”操作，通過對底柵型TFT進行操作實現非易失性存儲器的“讀”操作。“編程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“讀”操作的分離，提升了存儲器的存儲窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
東南大學
2021-04-11
一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備方法
本發明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學
2021-04-14
一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備方法
本發明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學
2021-04-14
一種鈦基底上制備有機分子雜化TiO2納米復合薄膜的方法
一種鈦基底上制備有機分子雜化TiO2納米復合薄膜的方法，其主要步驟是：A、將純鈦片兩次放入多巴胺溶液中各浸泡10-14h，得涂層模板；B、將沒食子酸、己二胺配成混合溶液，置于35-39℃的水浴中，再將涂層模板在混合溶液中浸3-5h，取出超聲清洗三遍，得有機分子層模板；C、將0.1-0.2 mol/L的(NH4)2TiF6溶液和0.2-0.4 mol/L的H3BO3溶液，按體積比1:1混合成混合液；再調節PH值至2.7-2.9；D、將有機分子層模板浸入混合液中，在45-55℃的水浴鍋中浸泡10-40h，即得。該法在鈦基底上制備得到的TiO2薄膜的結合力高、分布均勻、光電轉換效率高，生物相容性好。
西南交通大學
2016-10-25
我國工業信息安全市場持續保持高景氣度 預計2021年增長率將達31.83%
在12月8日舉行的2021年中國工業信息安全大會上，《中國工業信息安全產業發展白皮書（2020-2021）》發布。白皮書預計，2021年我國工業信息安全市場增長率將達31.83%，市場整體規模將增長至167.01億元，在政策加持、技術創新、需求升級等多因素綜合驅動下，我國工業信息安全產業將繼續保持高景氣度。
人民網
2021-12-08
一種具有高單縱模成品率的脊波導分布反饋半導體激光器
本發明提供的具有高單縱模成品率的脊波導分布反饋(DFB)半 導體激光器，是由自下而上依次排列的 N 型電極(1)、襯底(2)、下包層 (3)、下分別限制層(4)、應變多量子阱有源層(5)、上分別限制層(6)、緩 沖層(7)、光柵層(8)、上包層(9)、第一脊條(10)、第二脊條(11)、第一 脊條上的 P 型電極(12)、第二脊條上的 P 型電極(13)組成。本發明通過 在單個半導體激光器管芯上制作端面反射率相位相差π/2 的兩個
華中科技大學
2021-04-14
錦正茂TESK301 低溫控溫儀實驗室低溫控制儀器0.01K分辨率
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錦正茂低溫控溫儀TESK301型低溫控溫儀是有北京錦正茂科技有限責任公司自主研發的高精度單回路低溫溫度控制系統，可以實現從20K-600K的溫度控制輸出。該溫控系統具有一路傳感器輸入和一路加熱輸出功能，傳感器輸入和加熱輸出組成了一個控制回路。TESK301單通道設計能滿足大部分實驗室科研以及工業低溫控溫使用。配合適當的傳感器低溫度測量低至1.4K，高溫達到600K以上，分辨率高達10mK。加熱輸出功率分為三檔可調節，低檔低至0.8W，可達80W，能滿足大部分低溫設備加熱需求。
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TESK301內置了一個標準恒流電源向電阻溫度計供電,通過四線法測量溫度傳感器電壓信號，經16位A/D轉換，自校準，數字濾波，查分度表，修正計算后顯示實測溫度，經與設定溫度比較后，實時PID運算給出控制信號，通過機內固態繼電器周期控制加熱電壓來實現溫度的控制。
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錦正科技以現代高科技產業和傳統產業為核心業務，對內承接科研生產任務，對外以商務平臺方式實現軍民兩用技術成果轉換，形成了科學管理的現代化經營模式，專門從事物理、化學和材料等領域的科學儀器研發、銷售 各類型超低溫測試設備（液氮 液氦）制冷機系統集成 ，定制 ，高低溫真空磁場發生系統，Helmholtz線圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線管，電子槍（高穩定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場真空探針臺，霍爾測試系統，電輸運測量解決方案，磁光克爾效應測量系統等產品種類齊全，性能可靠，至今已有近10余年的歷史，是國內（較早）生產探針臺，電輸運，電磁鐵的廠家之一。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-02-07
一種兼具 pH 值和離子強度響應的光子晶體水凝膠薄膜、其制備 方法及應用
本發明公開了一種兼具 pH 值和離子強度響應的光子晶體水凝膠 薄膜、其制備方法及應用。所述光子晶體水凝膠薄膜包括 Fe3O4 納米 粒子和聚丙烯酰胺-甲基丙烯酸水凝膠；所述 Fe3O4 納米粒子均勻分散 于水凝膠中，呈一維鏈狀排列，納米粒子在薄膜中的濃度為 1～ 50mg/mL。所述的光子晶體水凝膠薄膜的制備方法，包括將 Fe3O4 納 米粒子和水凝膠單體均勻混合，通過紫外光使其發生固化反應，最后 浸于可溶性碳酸鹽水
華中科技大學
2021-01-12
均一Fe3O4微球從納米到微米級尺寸控制合成及癌癥早期診斷與預警的血液腫瘤細胞快速檢測
該成果采用兩親性多元醇還原的溶劑熱法可控制備具有高度單分散性的 Fe3O4 微球，實現了微球尺寸在 50～1200 nm 范圍的可調，其>500 nm 的高單分散性的大尺寸磁珠未見文獻報道。以 SiO2 等包覆所獲得的高單分散性磁珠易于氨基和羧基化，從而在偶聯劑（如碳二亞胺）等作用下，易于實現納米磁珠與 CD45 等抗體的有效結合。目前磁珠表面包被 CD45 等抗體的試驗已順利完成。 該成果提出了納米磁珠的全尺寸控制合成新思路，在高效包被 CD45 等抗體陰性富集實體瘤循環血液中稀有癌細胞的檢
揚州大學
2021-04-14
一種高分辨率光學推掃衛星穩態重成像傳感器校正方法及系統
提供一種高分辨率光學推掃衛星穩態重成像傳感器校正方法及系統，包括構建單片TDICCD非穩態嚴密幾何模型和虛擬CCD穩態成像嚴密幾何模型，根據虛擬CCD穩態成像嚴密幾何模型得到有理函數模型，建立單片TDICCD影像與虛擬CCD重成像影像的一一映射關系，從而根據原始的單片TDICCD影像生成傳感器校正后影像。本發明技術方案結合虛擬CCD成像原理，利用多片TDICCD非穩態幾何模型與虛擬單線陣CCD穩態幾何模型定位的一致性，實現多片CCD影像的無縫拼接的同時，校正由平臺震顫引起的影像變形，提供用戶標準景影像和對應高精度RPC參數，便于后續圖像應用。
武漢大學
2021-04-10