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內(nèi)容介紹： 電磁釧接是一種先進(jìn)的抑接工藝方法，可以解決普通鑰接方法在鑰接 鈦合金等難成形材料斜釘、復(fù)合材料結(jié)構(gòu)方面的鑰接難題，能夠手工釧 接大直徑鑰釘和無(wú)頭斜釘。釆用電磁卽接代替普通鑰接可以大幅度提高 結(jié)構(gòu)疲勞壽命，減小釧接噪音，改善工人勞動(dòng)條件。 電磁釧接可用于干涉配合緊固件的安裝，解決傳統(tǒng)安裝方法難以安裝 大直徑大干涉量干涉配合緊固件安

該團(tuán)隊(duì)選用了常見(jiàn)的醫(yī)用聚合物聚乙烯醇(PVA)，通過(guò)冷凍解凍和干燥-退火的處理，提高納米晶域在垂直界面方向的有序度，從而實(shí)現(xiàn)該粘接界面的疲勞閾值達(dá)到800 J/m 2

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種木柱抄手榫墩接加固結(jié)構(gòu)，包括傳統(tǒng)建筑木柱的修繕加固結(jié)構(gòu)本體；所述傳統(tǒng)建筑木柱的修繕加固結(jié)構(gòu)本體是由原柱、墩接柱、鐵箍、十字線組成；其中原柱和墩接柱橫截面上畫(huà)有十字線，原柱和墩接柱均分成四瓣，原柱和墩接柱相互搭交處分別剔除十字中的兩瓣，形成榫頭，原柱和墩接柱通過(guò)榫頭相互插接；所述鐵箍包裹在原柱和墩接柱的搭接處；本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，構(gòu)造合理、新穎，能夠有效的對(duì)木柱進(jìn)行修繕加固，大大的提高了柱體結(jié)構(gòu)的性能，降低了試驗(yàn)試件性能破壞的風(fēng)險(xiǎn)，有利于古建筑的保護(hù)和利用。

EVA（乙烯-醋酸乙烯共聚物）熱熔膠粘劑是一種不需溶劑、不含水份、100％的固體可熔性的聚合物體系。在常溫下為固體，加熱到一定溫度變?yōu)槟芰鲃?dòng)的粘性液體。因其不含任何溶劑，故屬于環(huán)保型膠粘劑。EVA熱熔膠對(duì)幾乎所有的材料均有熱膠接力，綜合性能好。其主要缺點(diǎn)是粘接強(qiáng)度低。 該技術(shù)通過(guò)加入一種粘接強(qiáng)度改性劑，很大程度地提高了EVA熱熔膠的粘接強(qiáng)度，其膠接強(qiáng)度與反應(yīng)型聚氨酯熱熔膠相當(dāng)。該熱熔膠制備方便，設(shè)備簡(jiǎn)單。該技術(shù)已獲國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利授權(quán)（專(zhuān)利號(hào)：CN100350011C） 通過(guò)該技術(shù)制得的EVA熱熔膠具有更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。不僅能廣泛用于制鞋，服裝粘貼，書(shū)籍無(wú)線裝訂，木材積層板制作，無(wú)紡布制作，汽車(chē)坐席、車(chē)燈等的組裝，電子、電器中的絕緣捻子封緘，電子部件灌封，光盤(pán)制作等方面。還可作為結(jié)構(gòu)膠粘劑應(yīng)用于汽車(chē)、建筑、道路施工等領(lǐng)域。

本發(fā)明提供了一種用于三層結(jié)構(gòu)薄膜的接料裝置，包括接料底板，設(shè)置在接料底板的一相對(duì)兩側(cè)，用于提供粘結(jié)膠帶的粘結(jié)膠帶組件；設(shè)置在接料底板的另一相對(duì)兩側(cè)，用于對(duì)接薄膜整齊對(duì)位的膠帶糾偏組件；設(shè)置在接料底板上用于接料時(shí)固定對(duì)接薄膜的壓合組件；以及設(shè)置在接料底板上方用于夾持三層結(jié)構(gòu)薄膜各層的夾持組件。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)三層結(jié)構(gòu)薄膜的分層對(duì)接，整個(gè)裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作方便，易于實(shí)現(xiàn)。

本發(fā)明公開(kāi)了一種自粘接雙壁香精微膠囊的制備及應(yīng)用方法。采用復(fù)合乳化劑，以香精為囊芯，密胺樹(shù)脂和聚丙烯酸酯為壁材，分別通過(guò)原位聚合法和界面聚合法分別對(duì)香精進(jìn)行包囊，制備了自粘接雙壁香精微膠囊，并提供了這種自粘接雙壁香精微膠囊的應(yīng)用方法。本發(fā)明效果為采用一種安全環(huán)保的制備方法制得自粘接雙壁香精微膠囊，其固含量為30%-35%，較市面上其他香精微膠囊固含量高出10%-15%。通過(guò)原位聚合法和界面聚合法進(jìn)行雙層造壁，對(duì)香精包裹率可達(dá)90%-95%，產(chǎn)品乳液具有良好的穩(wěn)定性。自粘接雙壁香精微膠囊在保持微膠囊特有優(yōu)勢(shì)的同時(shí)，使其具備了自粘接性能，簡(jiǎn)化了棉織物整理工藝。且整理的棉織物留香效果良好，靜置留香可達(dá)6個(gè)月，水洗10次后仍然能保持怡人香氣。

"本發(fā)明公開(kāi)了一種盾構(gòu)法多孔隧道近接施工附加荷載的輔助支撐方法，在先掘進(jìn)隧道的管片內(nèi)壁構(gòu)造可自行走的輔助支撐結(jié)構(gòu)：即沿隧道的縱向間隔設(shè)置環(huán)形工字鋼，再用縱向工字鋼與所述環(huán)形工字鋼聯(lián)結(jié)成整體，環(huán)向千斤頂通過(guò)設(shè)置在其上的膠輪支撐在縱向工字鋼上，各環(huán)形工字鋼之間設(shè)置有縱向千斤頂，在倒數(shù)第二個(gè)環(huán)形工字鋼上設(shè)置卷?yè)P(yáng)機(jī)，倒數(shù)第一個(gè)環(huán)形工字鋼設(shè)置有相應(yīng)的掛置卷?yè)P(yáng)機(jī)鋼索的掛鉤。本發(fā)明方法在有效減緩盾構(gòu)法多孔隧道近接施工引起的縱向效應(yīng)的同時(shí)可以多盾構(gòu)同時(shí)掘進(jìn)，不影響先行盾構(gòu)隧道的正常出渣，不需要在先行隧道施工完畢后再施工后行隧道。 "

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種古建筑木柱燕尾榫墩接加固結(jié)構(gòu)，包括原柱和墩接新柱，墩接新柱包括燕尾榫、新柱立面和底座，新柱立面沿豎直方向設(shè)在底座的上方，新柱立面的上方設(shè)有燕尾榫，燕尾榫呈對(duì)稱(chēng)燕尾狀，榫頭平面的寬度和長(zhǎng)度均與新柱立面上平面的寬度和長(zhǎng)度一致，榫尾內(nèi)斜邊與新柱立面之間為銳角，原柱截面立面上方開(kāi)設(shè)有卯口，燕尾榫插入原柱截面卯口內(nèi)，使原柱和墩接新柱榫卯連接固定在一起，并在墩接搭交處用鐵箍加固。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、構(gòu)造合理，在堅(jiān)持不改變古建筑原材料及施工工藝原則的基礎(chǔ)上，柱根的墩接不僅保證接

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測(cè)試系統(tǒng) 針對(duì)高壓IGBT器件內(nèi)部承受的正極性重復(fù)方波電壓以及高溫工況，研制了針對(duì)高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測(cè)試系統(tǒng)（如圖1所示），可實(shí)現(xiàn)電壓波形參數(shù)、溫度和氣壓的靈活調(diào)控，用于研究電壓類(lèi)型（交、直流、重復(fù)方波電壓）、波形參數(shù)、氣體種類(lèi)、氣體壓力等因素對(duì)絕緣特性，具備放電脈沖電流測(cè)量、局部放電測(cè)量、放電光信號(hào)測(cè)量、漏電流測(cè)量及紫外光子測(cè)量等功能（如圖2所示），平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調(diào)，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個(gè)大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 針對(duì)高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部的芯片間電流均衡問(wèn)題，研制了針對(duì)壓接型IGBT器件的多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)（如圖3所示），平臺(tái)具有靈活調(diào)節(jié)IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開(kāi)展芯片參數(shù)、寄生參數(shù)以及壓力和溫度等多物理量對(duì)壓接型IGBT器件在開(kāi)通/關(guān)斷過(guò)程芯片-封裝支路瞬態(tài)電流分布影響規(guī)律的研究，以及瞬態(tài)電流不均衡調(diào)控方法的研究；平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn) 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進(jìn)一步提升，對(duì)其可靠性考核裝備在測(cè)量精度、測(cè)試效率等方面提出了挑戰(zhàn)。針對(duì)柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測(cè)試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環(huán)測(cè)試裝備和100V/200°C高溫柵偏測(cè)試裝備（如圖4所示）。功率循環(huán)測(cè)試裝備可針對(duì)柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開(kāi)展功率循環(huán)測(cè)試，最多可實(shí)現(xiàn)12個(gè)IGBT器件的同時(shí)測(cè)試。電流等級(jí)、波形參數(shù)、壓力均獨(dú)立可調(diào)，功率循環(huán)周期為秒級(jí)，極限測(cè)試能力可達(dá) 300 ms，最高壓力達(dá)220 kN，虛擬結(jié)溫測(cè)量精度達(dá)±1°C，導(dǎo)通壓降測(cè)量精度達(dá)±2mV。高溫柵偏測(cè)試裝備可實(shí)現(xiàn)漏電流和閾值電壓的實(shí)時(shí)在線監(jiān)測(cè)，最多可實(shí)現(xiàn)32個(gè)IGBT器件的同時(shí)測(cè)試。 4. 壓接器件內(nèi)部并聯(lián)多芯片電流及結(jié)溫測(cè)量方法及實(shí)現(xiàn) 高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部芯片瞬態(tài)電流及結(jié)溫測(cè)量是器件多物理量均衡調(diào)控及狀態(tài)監(jiān)測(cè)的基本手段，針對(duì)器件內(nèi)部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問(wèn)題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計(jì)算方法，實(shí)現(xiàn)了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)了針對(duì)器件電流測(cè)量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實(shí)現(xiàn)臨近芯片電流造成的測(cè)量誤差小于1%；針對(duì)器件內(nèi)部多芯片并聯(lián)芯片結(jié)溫測(cè)量，提出了壓接型IGBT器件結(jié)溫分布測(cè)量的時(shí)序溫敏電參數(shù)法，通過(guò)各芯片柵極的時(shí)序單獨(dú)控制（如圖6所示），在各周期分別進(jìn)行單顆IGBT芯片結(jié)溫的測(cè)量，進(jìn)而等效獲得一個(gè)周期內(nèi)各IGBT芯片的結(jié)溫分布。在此基礎(chǔ)上，完成了集成于高壓大功率器件內(nèi)部的多芯片并聯(lián)電流測(cè)試PCB羅氏線圈以及時(shí)序溫敏電參數(shù)測(cè)量驅(qū)動(dòng)板的設(shè)計(jì)（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統(tǒng)用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開(kāi)展了芯片建模與篩選、芯片并聯(lián)電流均衡調(diào)控、封裝絕緣特性及電場(chǎng)建模以及器件多物理場(chǎng)調(diào)控等方面工作，相關(guān)成果支撐了國(guó)家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過(guò)柔直換流閥用器件的應(yīng)用驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)，同時(shí)也支撐了世界首個(gè)18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

200610112778本發(fā)明涉及一種固體氧化物燃料電池用封接材料及其制備方法，屬于燃料電池技術(shù)領(lǐng)域。其特征在于所述材料主要組成為ＢａＯ１５～８０ｗｔ％、ＭｇＯ０～３０ｗｔ％、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］０～１５ｗｔ％、ＳｉＯ↓［２］３～４５ｗｔ％、Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］０～２５ｗｔ％、ＭｇＦ↓［２］０～１５ｗｔ％、Ｋ↓［２］Ｏ０～１０ｗｔ％、Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］０～１０ｗｔ％、Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］０～１ｗｔ％，優(yōu)選該組成為：ＢａＯ１７～６０ｗｔ％、ＭｇＯ２～１８ｗｔ％、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］７～１２ｗｔ％、ＳｉＯ↓［２］１０～４０ｗｔ％、Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］０～１７ｗｔ％、ＭｇＦ↓［２］２～１４ｗｔ％、Ｋ↓［２］Ｏ０～５ｗｔ％、Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］０～７ｗｔ％、Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］０～０．５ｗｔ％；其制備方法包括壓制素坯，在空氣氣氛下加熱熔融，驟冷獲得玻璃熔塊，破碎、分級(jí)等，或采用其它方法得到玻璃粉。該材料與氧化鈰基電解質(zhì)材料、鎵酸鑭基電解質(zhì)材料在浸潤(rùn)性能、熱膨脹系數(shù)和化學(xué)穩(wěn)定性方面匹配良好，適用于封接金屬、陶瓷部件，特別適用于封接固體氧化物燃料電池的玻璃基封接材料。