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輸出電容低ESR開關(guān)變換器雙緣PFM調(diào)制電壓型控制方法及其裝置
本成果來自國家科技計(jì)劃項(xiàng)目，現(xiàn)已結(jié)題，并獲得國家發(fā)明專利授權(quán)（ZL201310022469.0），知識(shí)產(chǎn)權(quán)屬于西南交通大學(xué)。該成果公開了一種輸出電容低ESR開關(guān)變換器雙緣PFM調(diào)制電壓型控制方法及其裝置，檢測流過輸出電容的電流ic以及輸出電壓Vo，將兩者相加得到信號(hào)Vos，電壓控制信號(hào)Vc與Vos經(jīng)過時(shí)間運(yùn)算器生成可變時(shí)間，結(jié)合預(yù)設(shè)的恒定時(shí)間，再經(jīng)過控制時(shí)序生成器產(chǎn)生由恒定時(shí)間和可變時(shí)間組成的控制時(shí)序，控制開關(guān)變換器開關(guān)管的導(dǎo)通與關(guān)斷。本成果具有輸出電壓低紋波且無低頻振蕩、穩(wěn)定范圍廣、瞬態(tài)響應(yīng)速度快、穩(wěn)壓精度高的優(yōu)點(diǎn)。
西南交通大學(xué)
2016-06-27
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一種摻雜鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備方法
本發(fā)明公開了一種摻雜鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備方 法，適合鍶、鈰、鈀等元素?fù)诫s鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備。 本方法采用陽極氧化法制備納米棒陣列模板，采用溶膠凝膠法在模板 上形成摻雜鈷酸鑭納米棒，并采用晶種的方式將納米棒與電極基板接 觸。該方法可以完好的保留納米棒的形貌，并能在室溫下對(duì)一氧化碳 有較好的響應(yīng)。采用該方法制備的室溫一氧化碳傳感器結(jié)構(gòu)簡單，性 能優(yōu)異。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種賤金屬內(nèi)電極疊層片式 ZnO 壓敏電阻器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種賤金屬內(nèi)電極疊層片式 ZnO 壓敏電阻器及其 制備方法，所述壓敏電阻器為瓷片和內(nèi)電極依次層壓生成，其中所述 內(nèi)電極材質(zhì)為賤金屬鎳，所述壓敏電阻器的兩端涂有銀電極。本發(fā)明 具有以下有益效果：（1）本發(fā)明所使用的 ZnO 壓敏電阻材料配方適 用于還原再氧化制備工藝；（2）本發(fā)明采用賤金屬 Ni 為內(nèi)電極，可 以大幅度降低多層片式壓敏電阻器制備成本；（3）采用傳統(tǒng)的固相燒 結(jié)方法，端銀的燒滲和瓷體氧化一次性
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其制備方法， 包括多個(gè)垂直方向的三維 NAND 存儲(chǔ)串，每一個(gè)三維 NAND 存儲(chǔ)串 包括水平襯底、垂直于襯底的圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域、分別位于半導(dǎo)體區(qū) 域上、下的第二電極和第一電極、包裹圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域的隧穿電介 質(zhì)、圍繞隧穿電介質(zhì)上、下分布了多個(gè)分立的電荷存儲(chǔ)層、包裹了隧 穿電介質(zhì)以及多個(gè)電荷存儲(chǔ)層的阻隔電介質(zhì)層、與絕緣層相堆疊的控 制柵電極；圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域包括多個(gè)存儲(chǔ)單元的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種用于多軸磁懸浮軸承的電流相反的電力電子控制器
本發(fā)明公開了一種用于多軸磁懸浮軸承的電流相反的電力電子 控制器，包括：2N 個(gè)繞組橋臂及一個(gè)共用橋臂，其中，N 為多軸磁懸 浮軸承自由度數(shù)，2N 個(gè)繞組橋臂分為 N 個(gè) A 組繞組橋臂以及 N 個(gè) B 組繞組橋臂，每一個(gè)繞組橋臂設(shè)置一個(gè)可控開關(guān)，共用橋臂設(shè)置 2 個(gè) 可控開關(guān)，通過改變可控開關(guān)的導(dǎo)通時(shí)間控制通過每個(gè)繞組的電流， 實(shí)現(xiàn)對(duì)多軸磁懸浮軸承中電磁力的控制。本發(fā)明的各繞組勵(lì)磁電流在 公共接點(diǎn)處相互抵消，改變了以往結(jié)構(gòu)共用橋臂電流為各繞組橋臂之 和，顯著減小了流過共用橋臂可控開關(guān)的電流，降低了開
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡及其構(gòu)成的鎖模光纖激光器
本實(shí)用新型公開了一種摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡及其構(gòu)成的鎖模光纖激光器，該摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡包括基底、鍍在所述基底上的高反射膜以及鍍在所述高反射膜上的摻鐵硒化鋅薄膜，由于該摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡以摻鐵硒化鋅薄膜為可飽和吸收體，同時(shí)摻鐵硒化鋅薄膜本身具有較高的損傷閾值，能夠用于高功率激光器的研制，彌補(bǔ)了本領(lǐng)域缺少高損傷閾值可飽和吸收鏡或可飽和吸收體的空缺；基于上述摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡構(gòu)成的鎖模光纖激光器，利用雙包層增益光纖獲得激光，并通過摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡對(duì)激光進(jìn)行調(diào)制實(shí)現(xiàn)鎖模，獲得超短脈沖激光。
四川大學(xué)
2017-12-28
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一種基于超聲波振動(dòng)式結(jié)晶器的不銹鋼生產(chǎn)方法
（專利號(hào)：ZL 201410284167.5） 簡介：本發(fā)明公開了一種基于超聲波振動(dòng)式結(jié)晶器的不銹鋼生產(chǎn)方法，屬于鋼鐵冶金技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的步驟為：步驟一、高爐煉鐵；步驟二、轉(zhuǎn)爐冶煉并進(jìn)行精煉；步驟三、超聲波連鑄，經(jīng)過步驟二精煉之后的鋼水在連鑄過程中采用水平連鑄結(jié)晶器，在水平連鑄結(jié)晶器上產(chǎn)生超聲波振動(dòng)。本發(fā)明中無需依靠結(jié)晶器的機(jī)械振動(dòng)，而僅僅依靠超聲波振動(dòng)力使初生坯殼與結(jié)晶器內(nèi)壁自動(dòng)“脫模”，從而消除或減少不銹鋼鑄坯表面缺陷的產(chǎn)生；結(jié)晶器
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
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基于酞菁納米線具有紅外響應(yīng)的有機(jī)憶阻器及陽離子調(diào)節(jié)特性
憶阻器，全稱記憶電阻器(Memristor)。惠普公司的研究人員首次做出納米憶阻器件，掀起憶阻研究熱潮。納米憶阻器件的出現(xiàn)，有望實(shí)現(xiàn)非易失性隨機(jī)存儲(chǔ)器。并且，基于憶阻的隨機(jī)存儲(chǔ)器的集成度、功耗、讀寫速度都要比傳統(tǒng)的隨機(jī)存儲(chǔ)器優(yōu)越。此外，憶阻是硬件實(shí)現(xiàn)人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)突觸的最好方式。由于憶阻的非線性性質(zhì)，可以產(chǎn)生混沌電路，從而在保密通信中也有很多應(yīng)用。目前，有機(jī)憶阻器普遍具有穩(wěn)定性差、工作機(jī)理模糊不清、紅外響應(yīng)差的不足。所以，研究人員希望能夠開發(fā)出具有高穩(wěn)定性且紅外響應(yīng)好的有機(jī)憶阻器。
南方科技大學(xué)
2021-04-13
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基于運(yùn)算放大器的阻性傳感器陣列讀出電路及其讀出方法
本發(fā)明公開了一種基于運(yùn)算放大器的阻性傳感器陣列讀出電路，所述阻性傳感器陣列為共用行線和列線的阻性傳感器陣列；該讀出電路包括：標(biāo)準(zhǔn)電阻行，其包括一行N個(gè)標(biāo)準(zhǔn)電阻，增設(shè)于所述阻性傳感器陣列中，從而得到一個(gè)新的共用行線和列線的（M+1）×N電阻陣列；（M+1）個(gè)運(yùn)算放大器，與電阻陣列的（M+1）條行線一一對(duì)應(yīng)，每個(gè)運(yùn)算放大器的反相輸入端、輸出端連接于一點(diǎn)后與其所對(duì)應(yīng)行線連接；控制器，其具有至少(M+1)個(gè)IO端口以及至少N個(gè)ADC采樣端口，其中的(M+1)個(gè)IO端口與所述（M+1）個(gè)運(yùn)算放大器的同相輸入端
東南大學(xué)
2021-04-14
基于人工表面等離激元的微波渦旋波發(fā)生器及其實(shí)現(xiàn)方法
本發(fā)明公開一種基于人工表面等離激元的微波渦旋波發(fā)生器。該結(jié)構(gòu)工作在微波頻段，由雙層人工表面等離激元波導(dǎo)實(shí)現(xiàn)對(duì)于電磁波的傳輸，上層波導(dǎo)和下層波導(dǎo)之間的連接通過一個(gè)金屬過孔實(shí)現(xiàn)。該微波渦旋波發(fā)生器的輻射部分主要由一系列放置在人工表面等離激元波導(dǎo)旁邊的圓形貼片實(shí)現(xiàn)，同時(shí)這些圓形貼片作為諧振器也提供了產(chǎn)生不同的渦旋波所需的相位。這種微波渦旋波發(fā)生器可以在不同頻率處實(shí)現(xiàn)具有不同軌道角動(dòng)量模式的渦旋波，而不需要在結(jié)構(gòu)上做出任何改變。
東南大學(xué)
2021-04-14