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一種薄膜型LED器件及其制造方法
本發(fā)明公開一種薄膜型LED器件及其制造方法，本發(fā)明器件包括：薄片型線路基板，免金線倒裝結(jié)構(gòu)LED芯 片以及一層透光保護膜。本器件LED芯片為倒裝結(jié)構(gòu)，芯片電極通過共晶焊接方式固定于薄片型基板，實現(xiàn)免金線鍵合的電氣互聯(lián)，一層透光保護膜覆蓋于芯片和 基板表面。本發(fā)明公開的LED器件電極位于器件底部，易于實現(xiàn)表面貼裝技術(shù)。本發(fā)明公開器件厚度在0.25-0.6mm之間，具有厚度薄，體積小，發(fā)光角 度大，光效高，可靠性高，制造工藝簡單，生產(chǎn)效率高，成本低等諸多優(yōu)點，適合大功率及普通功率LED封裝，可廣泛應(yīng)用于照明、顯示等領(lǐng)域。截至目前，已累計創(chuàng)造產(chǎn)值超過33.66億元，新增利潤2.60億元。2017年，以本專利技術(shù)為核心的科技成果“半導(dǎo)體發(fā)光器件跨尺度光功能結(jié)構(gòu)設(shè)計與制造關(guān)鍵技術(shù)”獲得廣東省人民政府頒發(fā)的廣東省科技進步一等獎，并且本專利獲得中國專利優(yōu)秀獎。
華南理工大學(xué)
2021-04-10
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磁隨機存儲器芯片（STT-MRAM）器件
已有樣品/nSTT-MRAM 是一種極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲器解決方案。由于采用了大量的新材料、新結(jié)構(gòu)，加工制備難度極大。當前，美韓日三國在該項技術(shù)上全面領(lǐng)先，很有可能在繼硬盤、DRAM 及閃存等存儲芯片之后再次實現(xiàn)對我國100%的壟斷。微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心研究員趙超與北京航空航天大學(xué)教授趙巍勝的聯(lián)合團隊通過3 年的艱苦攻關(guān)，在STT-MRAM 關(guān)鍵工藝技術(shù)研究上實現(xiàn)了重要突破，在國內(nèi)首次采用可兼容CMOS 工藝成
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
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薄膜電致電光器件的大平面制備方法
薄膜電致發(fā)光器件作為顯示器件主要用于工業(yè)現(xiàn)場儀表顯示、車站、機場、銀行、證券交易市場、街頭廣告信息顯示，作為大平面高清晰顯示可用于各種會場、廣場高清晰電視彩像顯示，及可檢索軍用地圖、筆記本電腦及賓館等山水、立體彩色裝飾。其特點為全固體化、亮度高、壽命長、可大平面化和可裝飾表面。響應(yīng)速度快，使用溫度范圍寬。由于制備方法簡單較之國內(nèi)外同類產(chǎn)品成本低，可批量工業(yè)
西安交通大學(xué)
2021-01-12
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大尺寸鈮酸鋰晶體、單晶薄膜及器件
本技術(shù)涵蓋大尺寸鈮酸鋰晶體生長工藝及裝備、晶圓制備、單晶薄膜制備及聲表面波器件，實現(xiàn)材料、裝備、器件協(xié)同發(fā)展。主要針對8英寸鈮酸鋰晶體、單晶薄膜及聲表面波器件進行開發(fā)研究，該技術(shù)屬于我國“卡脖子”技術(shù)，目前國際市場空白。在鈮酸鋰晶體生長方面，開發(fā)了大尺寸智能單晶生長設(shè)備及工藝，包括大尺寸鈮酸鋰晶體生長模擬仿真設(shè)計、鈮酸鋰熔體-晶體固液界面特性與控制、大尺寸鈮酸鋰晶體生長工藝開發(fā)、生長-檢測-分析-控制人工智能系統(tǒng)。采用離子束切片鍵合技術(shù)制備鈮酸鋰單晶薄膜，突破傳統(tǒng)的薄膜制備方法無法制備單晶鈮酸鋰薄膜
山東大學(xué)
2021-04-14
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光纖柵陣列傳感器件及檢測技術(shù)
本項目的創(chuàng)新點主要是采用環(huán)形鏡解調(diào)和GSM數(shù)字移動網(wǎng)傳輸信號的技術(shù)。具有響應(yīng)速度快、調(diào)諧范圍寬、可實時檢測、使用壽命長、抗電磁干擾能力強等優(yōu)點，有重要實用意義。 光纖光柵傳感器陣列的每一個光柵反射率大于90%，線寬小于0.4nm，各光柵中心波長間隔大于1nm。 研制出寬帶光源等實驗裝置，寬帶光源輸出功率大于1mw，帶寬30nm；已成功應(yīng)用于光纖光柵傳感器陣列檢測實驗。 研制出寬帶光源、高雙折射光纖環(huán)鏡濾波邊緣濾波解調(diào)系統(tǒng)的實驗樣機。 研制出快
南開大學(xué)
2021-04-14
單壁碳納米管和石墨烯的制備及其在能源、光電器件和復(fù)合材料等方面的應(yīng)用
項目成果/簡介:1991 年發(fā)現(xiàn)的碳納米管（CNT）以及 2004 年發(fā)現(xiàn)的石墨烯（graphene），分別是一維和二維納米材料的典型代表，被認為是 21世紀的戰(zhàn)略性材料。 本項目發(fā)明了一類新的催化劑和大量制備 SWNTs 的方法，實現(xiàn)了高質(zhì)量單壁碳納米管的宏量制備（圖 1），純度達 70%以上，并達到了產(chǎn)業(yè)化規(guī)模（達 200 公斤/年以上）。采用機械共混及"原位"聚合 等方法，使SWNTs 有效地分散于高分子基質(zhì)中，獲得了以環(huán)氧樹脂、ABS 及聚氨酯等為基質(zhì)材料，電導(dǎo)率達 0.2 S/cm、導(dǎo)電臨界含量僅為0.06%、電磁屏蔽效果高達 49dB 的復(fù)合材料。 本項目首先發(fā)展了一種可大量制備的可溶性功能化石墨烯（SPFGraphene）的方法，實現(xiàn)了石墨烯的百克級制備（圖 2）。通過透射電子顯微鏡（圖 3）及原子力顯微鏡（圖 4）確定了石墨烯的二維平面結(jié)構(gòu)。 獲得了可溶性石墨烯材料及柔性透明導(dǎo)電薄膜（圖 5）；制備了基于石墨烯的高穩(wěn)定性有機光伏電池及復(fù)合材料。 圖 5、基于石墨烯的透明電極材料 所研制的單壁碳納米管及石墨烯已用于數(shù)十家科研機構(gòu)的研究和相關(guān)產(chǎn)品/樣機的研制，包括應(yīng)用于國家 863 重大汽車電池項目（中科院物理所）和軍工衛(wèi)星電池項目（中國電子科技集團公司第十八研究所）等。已研制出晶體管、鋰離子電池、超級電容器（圖 6）以及高性能復(fù)合材料等多種產(chǎn)品，具有廣闊的應(yīng)用前景。應(yīng)用范圍:南開大學(xué)在碳納米材料的制備及應(yīng)用研究方面取得了一批開創(chuàng)性成果，該項目技術(shù)的推廣，將促進我國新材料、微電子、儲能、資源保護等領(lǐng)域的技術(shù)進步和發(fā)展，為我國在這一新型納米材料領(lǐng)域占據(jù)有利地位，提高國際競爭力，做出重要貢獻。
南開大學(xué)
2021-04-11
單壁碳納米管和石墨烯的制備及其在能源、光電器件和復(fù)合材料等方面的應(yīng)用
1991 年發(fā)現(xiàn)的碳納米管（CNT）以及 2004 年發(fā)現(xiàn)的石墨烯（graphene），分別是一維和二維納米材料的典型代表，被認為是 21世紀的戰(zhàn)略性材料。 本項目發(fā)明了一類新的催化劑和大量制備 SWNTs 的方法，實現(xiàn)了高質(zhì)量單壁碳納米管的宏量制備（圖 1），純度達 70%以上，并達到了產(chǎn)業(yè)化規(guī)模（達 200 公斤/年以上）。采用機械共混及"原位"聚合 等方法，使SWNTs 有效地分散于高分子基質(zhì)中，獲得了以環(huán)氧樹脂、ABS 及聚氨酯等為基質(zhì)材料，電導(dǎo)率達 0.2 S/cm、導(dǎo)電臨界含量僅為0.06%、電磁屏蔽效果高達 49dB 的復(fù)合材料。 本項目首先發(fā)展了一種可大量制備的可溶性功能化石墨烯（SPFGraphene）的方法，實現(xiàn)了石墨烯的百克級制備（圖 2）。通過透射電子顯微鏡（圖 3）及原子力顯微鏡（圖 4）確定了石墨烯的二維平面結(jié)構(gòu)。 獲得了可溶性石墨烯材料及柔性透明導(dǎo)電薄膜（圖 5）；制備了基于石墨烯的高穩(wěn)定性有機光伏電池及復(fù)合材料。 圖 5、基于石墨烯的透明電極材料 所研制的單壁碳納米管及石墨烯已用于數(shù)十家科研機構(gòu)的研究和相關(guān)產(chǎn)品/樣機的研制，包括應(yīng)用于國家 863 重大汽車電池項目（中科院物理所）和軍工衛(wèi)星電池項目（中國電子科技集團公司第十八研究所）等。已研制出晶體管、鋰離子電池、超級電容器（圖 6）以及高性能復(fù)合材料等多種產(chǎn)品，具有廣闊的應(yīng)用前景。
南開大學(xué)
2021-02-01
單壁碳納米管和石墨烯的制備及其在能源、光電器件和復(fù)合材料等方面的應(yīng)用
1991年發(fā)現(xiàn)的碳納米管（CNT）以及2004年發(fā)現(xiàn)的石墨烯（graphene），分別是一維和二維納米材料的典型代表，被認為是21世紀的戰(zhàn)略性材料。 本項目發(fā)明了一類新的催化劑和大量制備SWNTs的方法，實現(xiàn)了高質(zhì)量單壁碳納米管的宏量制備（圖1），純度達70%以上，并達到了產(chǎn)業(yè)化規(guī)模（達200公斤/年以上）。 采用機械共混及"原位"聚合等方法，使SWNTs有效地分散于高分子基質(zhì)中，獲得了以環(huán)氧樹脂、ABS及聚氨酯等為基質(zhì)材料，電導(dǎo)率達0.2 S/cm、導(dǎo)
南開大學(xué)
2021-04-14
單壁碳納米管和石墨烯的制備及其在能源、光電器件和 復(fù)合材料等方面的應(yīng)用
1991 年發(fā)現(xiàn)的碳納米管（CNT）以及 2004 年發(fā)現(xiàn)的石墨烯（graphene），分別是一維和二維納米材料的典型代表，被認為是 21
世紀的戰(zhàn)略性材料。
本項目發(fā)明了一類新的催化劑和大量制備 SWNTs 的方法，實現(xiàn)了高質(zhì)量單壁碳納米管的宏量制備（圖 1），純度達 70%以上，并達到了產(chǎn)業(yè)化規(guī)模（達 200 公斤/年以上）。采用機械共混及"原位"聚合等方法，使 SWNTs 有效地分散于高分子基質(zhì)中，獲得了以環(huán)氧樹脂、ABS 及聚氨酯等為基質(zhì)材料，電導(dǎo)率達 0.2 S/cm、導(dǎo)電臨界含量僅為0.06%、電磁屏蔽效果高達 49dB 的復(fù)合材料。
本項目首先發(fā)展了一種可大量制備的可溶性功能化石墨烯（SPFGraphene）的方法，實現(xiàn)了石墨烯的百克級制備（圖 2）。通過透射電子顯微鏡（圖 3）及原子力顯微鏡（圖 4）確定了石墨烯的二維平面結(jié)構(gòu)。
南開大學(xué)
2021-04-13
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基于限幅噪聲和子載波干擾消除的PTS-OFDM方法
本發(fā)明屬于通信抗干擾技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及正交頻分復(fù)用(Orthogonal Frequency Division Multiplexing,OFDM)技術(shù)、限幅技術(shù)(clipping)、部分傳輸序列技術(shù)(Partial Transmit Sequence,PTS)、相移鍵控(Phase Shifting Keying，PSK)調(diào)制技術(shù)及其相關(guān)的OFDM技術(shù)。基于限幅噪聲和子載波干擾消除的PTS?OFDM方法，在有CFO的系統(tǒng)中，將限幅噪聲與頻率偏移綜合考慮，在PTS中找出一個最優(yōu)相位。本發(fā)明通過綜合考慮限幅噪聲與CFO引進的ICI，從PTS中選擇一個最優(yōu)相位，使系統(tǒng)的BER性能得到顯著的提高。
電子科技大學(xué)
2021-04-10