|
搜索
搜 索
高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
.jpg){kind=logo}
薄膜晶體管的器件研究
通過(guò)簡(jiǎn)單封裝和熱退火，制備出穩(wěn)定富含氫的IGZO 晶體管，其晶體管電學(xué)性能、穩(wěn)定性都獲得大大提高。制備方法較簡(jiǎn)單且重復(fù)性高，即用氮化硅薄膜封裝，再通過(guò)熱擴(kuò)散將氮化硅內(nèi)氫元素?cái)U(kuò)散至InGaZnO薄膜內(nèi)。摻氫后的晶體管，其開態(tài)電流和開關(guān)比都獲得了數(shù)量級(jí)的提升（約40倍），而且閾值電壓沒有太大變化。而對(duì)應(yīng)提取出的場(chǎng)效應(yīng)遷移率則出現(xiàn)異常，大于300 cm2/(V·s)，遠(yuǎn)高于未經(jīng)處理的對(duì)照樣品。然后結(jié)合二次離子質(zhì)譜儀（SIMS）和X射線光電子能譜分析（XPS）表征，發(fā)現(xiàn)薄膜內(nèi)不但氫濃度提升了約一個(gè)數(shù)量級(jí)，而且氧空位缺陷態(tài)也大大減少了，而自由電子濃度則相應(yīng)顯著增加。?研究還指出，該工作模式在長(zhǎng)溝道晶體管中效果尤為顯著，而在短溝道器件中則受到明顯局限。該工作揭示了氫在氧化物半導(dǎo)體中的穩(wěn)定存在方式和對(duì)導(dǎo)電性能的關(guān)鍵作用，為提升長(zhǎng)溝道晶體管的電流驅(qū)動(dòng)能力提供了一種新的器件工作模式，并對(duì)高遷移率薄膜晶體管的驗(yàn)證和分析提供了普適性的理論依據(jù)和實(shí)驗(yàn)方法。
中山大學(xué)
2021-04-13
.jpg){kind=logo}
核心真空電子器件關(guān)鍵技術(shù)
項(xiàng)目研制出倍頻程和1.5倍頻程寬帶低二次諧波連續(xù)波行波管，二次諧波由-3 dBc降低到-7dBc，是目前國(guó)內(nèi)外此類行波管綜合技術(shù)水平最高的指標(biāo)。并且研制出了國(guó)際上第一只高效率W波段脊加載曲折波導(dǎo)行波管及第一只V波段曲折波導(dǎo)寬帶行波管。該項(xiàng)目獲得四川省科技發(fā)明一等獎(jiǎng)。
電子科技大學(xué)
2021-04-14
.jpg){kind=logo}
高性能紅外光電探測(cè)器件
紅外光電探測(cè)器在國(guó)防軍事方面有重要的應(yīng)用前景，比如紅外制導(dǎo)、紅外追蹤、夜視儀等等。目前國(guó)外使用的主流紅外光電探測(cè)器是基于碲鎘汞的制冷型探測(cè)器和氧化釩/非晶硅的非制冷型探測(cè)器。對(duì)于碲鎘汞探測(cè)器來(lái)說(shuō)，一方面在高質(zhì)量的材料生長(zhǎng)上存在很大的挑戰(zhàn)；另一方面它需要輔助制冷裝置來(lái)提供 77 K 的低溫環(huán)境，極大地限制了其便攜性和廣泛使用性。而基于氧化釩/非晶硅的非制冷型探測(cè)器由于其熱輻射引發(fā)電阻變化的機(jī)制極大地限制了探測(cè)率（小于 10
南京大學(xué)
2021-04-14
.jpg){kind=logo}
高壓大功率半導(dǎo)體器件IGCT
1. 痛點(diǎn)問(wèn)題
功率半導(dǎo)體是支撐能源領(lǐng)域發(fā)展的核心部件。為實(shí)現(xiàn)3060雙碳目標(biāo)，我國(guó)正在超常規(guī)推動(dòng)新能源發(fā)電、大容量輸配電和電氣化交通等領(lǐng)域，對(duì)電壓等級(jí)4.5kV以上的功率器件需求急速增長(zhǎng)。提高器件電壓和容量可以減少器件串并聯(lián)數(shù)量、縮減裝備體積和成本，是解決城市用地緊張、降低海上風(fēng)電平臺(tái)建設(shè)成本的關(guān)鍵。然而，受工作機(jī)理和制備工藝限制，IGBT器件最大功率等級(jí)為4.5kV/3kA和6.5kV/0.75kA，已接近瓶頸，無(wú)法滿足能源發(fā)展需求。因此，亟需更高電壓、更大容量、更高可靠性和更低制造成本的功率半導(dǎo)體器件解決方案。
2020年，中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)2000億元，但90%以上依賴進(jìn)口，尤其是4.5kV以上器件，近乎全部進(jìn)口。亟需尋求自主可控的功率半導(dǎo)體器件國(guó)產(chǎn)替代方案。
2. 解決方案
本技術(shù)面向新能源發(fā)電和輸配電領(lǐng)域大容量、高可靠的需求，提出了自主化IGCT器件（集成門極換流晶閘管）的設(shè)計(jì)、制備和驅(qū)動(dòng)控制方案，可以提高阻斷電壓和關(guān)斷電流能力、降低器件運(yùn)行損耗，且可以結(jié)合應(yīng)用工況開展定制優(yōu)化，如改善器件防爆特性、解決高壓裝置中的驅(qū)動(dòng)供電問(wèn)題等，從而實(shí)現(xiàn)大容量、高可靠、低成本、高效率的能量管理和功率變換。
目前團(tuán)隊(duì)已研制出4.5kV/5kA和6.5kV/4kA的IGCT器件，功率等級(jí)全面覆蓋IGBT，且具有向更大容量發(fā)展的潛力。與IGBT、MOSFET等晶體管器件相比，本技術(shù)提出的IGCT具有通態(tài)損耗低、耐受電壓高、可靠性高、抗干擾能力強(qiáng)等突出優(yōu)勢(shì)，符合能源發(fā)展趨勢(shì)，且制造工藝沿用基本沿用傳統(tǒng)的晶閘管路線，制造成本低，國(guó)內(nèi)工藝基礎(chǔ)好。
清華大學(xué)
2021-10-26
.jpg){kind=logo}
一種 MEMS 器件的封裝方法
本發(fā)明公開了一種 MEMS 器件的封裝方法，包括 S1 在框架基 板與封蓋的內(nèi)表面上對(duì)稱附著圖形化的過(guò)渡金屬化層和釬料層；S2 在 框架基板的釬料層上附著圖形化的自蔓延多層膜；S3 將芯片鍵合固定 在框架基板上并實(shí)現(xiàn)信號(hào)互連；S4 將固定有芯片的框架基板與封蓋進(jìn) 行除氣除濕處理后對(duì)準(zhǔn)堆疊形成封裝結(jié)構(gòu)；S5 對(duì)封裝結(jié)構(gòu)施加壓力、 預(yù)熱后引燃自蔓延多層膜，自蔓延多層膜燃燒并熔化釬料層實(shí)現(xiàn)冶金 互連。本發(fā)明將封蓋直接與框架
華中科技大學(xué)
2021-04-14
.jpg){kind=logo}
光譜儀器光柵分光器件與部件
中階梯光柵的刻劃： ICP光譜儀的分光核心部件主要是中階梯光柵，中階梯光柵的二維分光系統(tǒng)，具備更高的分辨能力，使光譜儀具有分析精準(zhǔn)、多元素同時(shí)檢測(cè)以及檢測(cè)速度快等優(yōu)點(diǎn)。 √ 分辨力高 √ 制作難度大
上海理工大學(xué)
2021-04-13
非連續(xù)可用子載波CI-OFDM碼添加方法
本發(fā)明相對(duì)于傳統(tǒng)的OFDM系統(tǒng)發(fā)射機(jī)模型，添加了一個(gè)N點(diǎn)IDFT運(yùn)算，不需要太多額外的復(fù)雜度和硬件開銷。相對(duì)于傳統(tǒng)的OFDM，本發(fā)明大大降低了發(fā)送信號(hào)的PAPR，使發(fā)送信號(hào)功率分配更加均勻，降低了發(fā)射機(jī)功放的設(shè)計(jì)難度。本發(fā)明提出對(duì)添加Nzero個(gè)0后的N維信號(hào)進(jìn)行CI擴(kuò)展，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)直接對(duì)N-Nzero調(diào)制符號(hào)進(jìn)行CI擴(kuò)展，保持了子載波的正交性，使得發(fā)射信號(hào)的PAPR獲得了進(jìn)一步的降低。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
.jpg){kind=logo}
摩擦界面的聲子傳遞理論與能量耗散模型
該成果獲2018年度國(guó)家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)自然科學(xué)類二等獎(jiǎng)，該成果系統(tǒng)地開展了摩擦的聲子耗散以及聲子在界而和多層膜結(jié)構(gòu)內(nèi)的輸運(yùn)規(guī)律的研究，在摩擦的聲子粍散機(jī)理研宄方面，發(fā)現(xiàn)摩擦粍能與聲子主導(dǎo)頻率的定量關(guān)系；在國(guó)際上最早給出超晶格結(jié)構(gòu)導(dǎo)熱系數(shù)最小值出現(xiàn)的條件：率先提出聲子沿石墨法向輸運(yùn)的自由程遠(yuǎn)大于經(jīng)典理論預(yù)測(cè)的10nm左右：實(shí)現(xiàn)了描述聲子輸運(yùn)的玻爾茲曼方程的數(shù)值解，在國(guó)際上率先發(fā)現(xiàn)多層膜之間的范德華力能夠提髙聲子在多層膜結(jié)構(gòu)面內(nèi)的平均自由程。該項(xiàng)0組的研究成果主要發(fā)表在Nano Letters、Physical Review B、Nature Nanotechnology等國(guó)際學(xué)術(shù)期刊上，其中8篇代表性論文獲Science、Nature Nanotechnology、Nature Materials、Advanced Materials等重要國(guó)際學(xué)術(shù)期刊論文SCI他引509篇次，單篇最髙SCI他引U5次，研宂成果在國(guó)際上產(chǎn)生了重要的學(xué)術(shù)影響。
東南大學(xué)
2021-04-10
.jpg){kind=logo}
一種懸式絕緣子再現(xiàn)檢測(cè)系統(tǒng)
本實(shí)用新型公開了一種懸式絕緣子在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，包括：應(yīng)力監(jiān)測(cè)裝置、污穢檢測(cè)裝置和導(dǎo)線風(fēng)偏 監(jiān)測(cè)裝置，用來(lái)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)瓷柱式絕緣子的應(yīng)力數(shù)據(jù)、污穢數(shù)據(jù)和導(dǎo)線風(fēng)偏數(shù)據(jù)；應(yīng)力監(jiān)測(cè)裝置、污穢檢 測(cè)裝置和導(dǎo)線風(fēng)偏監(jiān)測(cè)裝置的輸出均連接 A/D 轉(zhuǎn)換電路，A/D 轉(zhuǎn)換電路的輸出連接數(shù)字處理電路，數(shù)字 處理電路用來(lái)將 A/D 轉(zhuǎn)換電路輸出的數(shù)字信號(hào)遠(yuǎn)距離傳輸?shù)揭苿?dòng)終端；移動(dòng)終端連接數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器；太陽(yáng) 能電池用來(lái)供電；控制電路與應(yīng)力監(jiān)測(cè)裝置、污穢檢測(cè)裝置、導(dǎo)線風(fēng)偏監(jiān)測(cè)裝置、A/D 轉(zhuǎn)換電路、數(shù)字 處理電路和移動(dòng)終端均相連。本實(shí)用新型可實(shí)現(xiàn)高壓輸電線路上瓷柱式絕緣子的遠(yuǎn)程實(shí)時(shí)監(jiān)控，從而及 時(shí)發(fā)現(xiàn)并排除絕緣子的安全隱患。
武漢大學(xué)
2021-04-13
多功能瓷柱式絕緣子在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)
本實(shí)用新型公開了一種多功能瓷柱式絕緣子在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，包括：泄漏電流采集裝置，用來(lái)實(shí)時(shí)監(jiān) 測(cè)瓷柱式絕緣子的泄露電流數(shù)據(jù)；Sensor-應(yīng)力監(jiān)測(cè)裝置，用來(lái)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)瓷柱式絕緣子的應(yīng)力數(shù)據(jù)；污穢 檢測(cè)裝置，用來(lái)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)瓷柱式絕緣子的污穢數(shù)據(jù)；控制器通過(guò)信號(hào)線與泄漏電流采集裝置、Sensor-應(yīng) 力監(jiān)測(cè)裝置和污穢檢測(cè)裝置均相連；控制器用來(lái)收集數(shù)據(jù)，并將收集的數(shù)據(jù)通過(guò)發(fā)射天線發(fā)送出去，信 號(hào)接收器通過(guò)接收天線接收數(shù)據(jù)，信號(hào)接收器和終端機(jī)信號(hào)連接；太陽(yáng)能電池用來(lái)供電。本實(shí)用新型設(shè) 計(jì)精簡(jiǎn)，成本低廉，可很大程度保證瓷柱式絕緣子的正常運(yùn)行，從而預(yù)防事故發(fā)生，確保輸電線路的安 全和穩(wěn)定運(yùn)行。
武漢大學(xué)
2021-04-13