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本實用新型提供一種雙半圓環型絕緣子清掃裝置，包括主體外框、設置在主體外框內部的加壓裝置 和蓄電池、以及貫穿所述主體外框的送壓系統，所述送壓系統包括環型出風口、U 型導氣管道、旋轉送 風口和往返電機;其中旋轉送風口和往返電機位于主體外框的內部，所述 U 型導氣管道上端連接環型出 風口，底端設置旋轉送風口，所述旋轉送風口連通加壓裝置和 U 型導氣管道，

本發明公開了一種磁浮平面電機位置初始定位方法，該方法包 括以下步驟：在磁浮平面電機動子不同位置放置 4 個霍爾傳感器，通 過測量電機靜止時各個傳感器所在位置的磁通密度，選取磁通密度最 低的 3 個測量值作為觀測值，結合磁鋼陣列上磁通密度分布模型，通 過特定的數學模型來計算磁浮平面電機幾何中心所處的磁場相位，實 現平面電機動子幾何中心初始磁場相位定位及旋轉角度定位。該方法 通過增加冗余傳感器及對傳感器合理排布避免傳感器在磁場峰值進行 數據采集，提升了定位精度。 

本實用新型公開了一種基于共面波導饋電的超寬帶圓形單極子天線，其特征包括：圓形輻射貼片、饋線、接地板以及介質板；在介質板的表面設置有圓形輻射貼片、饋線和接地板；圓形輻射貼片與饋線的上端相連接；饋線的下端設置有與外部連接的接口；在饋線的兩側對稱設置有接地板；且接地板與饋線之間形成有縫隙。本實用新型能增加天線的帶寬，從而滿足雷達使用需求。

浙江大學聚焦超潔凈流控系統基礎研究、技術攻關和產品研發，攻克了影響光刻分辨率、良品率與產率的1mk級溫度測控、5ppt級金屬離子測控、20μm級氣泡測控、50nm級殘留液膜測控等關鍵核心技術 一、項目分類 關鍵核心技術突破 二、技術分析 如何通過超潔凈流控技術降低流控污染，減少曝光缺陷，提升曝光良率，是國產高端半導體制造裝備研制面臨的重大挑戰，直接關乎整機產品的產線應用性能與市場競爭力。此外，作為各類半導體制造裝備的共性核心零部件，超潔凈流控部件市場被美國、日本等國壟斷，使我國半導體制造裝備產業面臨核心零部件“卡脖子”風險。浙江大學流體動力與機電系統國家重點實驗室啟爾團隊所承擔的高端半導體制造裝備核心分系統之一的超潔凈流控系統，自2004年以來在國家863計劃和國家02專項支持，聚焦超潔凈流控系統基礎研究、技術攻關和產品研發，攻克了影響光刻分辨率、良品率與產率的1mk級溫度測控、5ppt級金屬離子測控、20μm級氣泡測控、50nm級殘留液膜測控等關鍵核心技術，完成了超潔凈流控系統九大組件的研制和集成測試，為半導體制造設備掃描速度與產能的提高提供基礎理論與方法依據，同時自主研發的半導體機臺核心超潔凈流控零部件實現了產品化，突破了國外技術的封鎖，為我國半導體制造的發展與自主創新提供了基礎支撐。

LT 灰中主要含有鐵氧化物（磁鐵礦與赤鐵礦）和硅酸鹽（鐵橄欖石和鈣鐵輝石、透輝石），它們物性差異較大，比磁化率在不同量級，利用其物性差異通過強磁場將鐵氧化物和硅酸鹽等雜質分離，實現氧化鐵的富集與提取。提取后的氧化物再經過低溫改性，即可制備α-Fe 2 O 3 產品。

首次 實現 將水汽遷移反應與費托合成反應成功 耦合 ， 構建了水汽遷移反應活性中心 Pt-Mo 2 C/C 和費托合成反應活性中心 Ru/C 。將兩種催化劑 進行簡單的物理混合，通過調節兩種活性中心的 結構和 比例調控各自的反應速率。 實現了在低溫 200 o C 的條件下，將 CO 和水 一步 直接轉化制備油品的過程 。 該過程中費托反應的活性高達 8.7 mol -CH2-  mol Ru -1  h -1 ，與在合成氣（ H 2 /CO=2 ） 條件下 Ru/C 催化劑 的費托活性相當，且費托產物中 C5+ 油相產物的選擇性接近 70% 。 對比雙金屬催化劑 RuPt-Mo 2 C/C 和物理混合催化劑的結果，發現兩種活性金屬 Pt 和 Ru 的結合形式在催化反應中起了十分重要的影響。當 Pt 和 Ru 形成 PtRu 合金后會同時削弱 WGS 和 FTS 兩個反應的的活性，進而打破兩個反應之間的動力學平衡。而當兩種活性中心分別作用的時候則剛好使兩個反應的動力學速率達到平衡，實現最優的 CO 和水轉化制備油品的活性和選擇性。

小試階段/n針對多孔介質燃燒器用泡沫陶瓷目前存在的常溫強度以及熱震穩定性能差等問題，本發明制備了一種Al2O3-SiC復合泡沫陶瓷。該陶瓷克服現有技術缺陷，具有強度高、抗氧化性能好和抗熱震性能優良等優點。

產品詳細介紹迷你型氧氣傳感器O2S-XX-T3   一、產品簡介： 氧氣傳感器采用兩個氧化鋯盤，在其中間是一個密封空間。其中一個盤起的功能是可逆氧氣泵，依次充滿樣品氣和抽空此小空間。另一個盤用于測量氧分壓差比率，得到相對應的傳感電壓。氧化鋯盤作為氧氣泵運行時，需要的700 °C 的溫度由加熱元件產生。氧氣泵使小空間范圍內達到額定的最小和最大壓力所花的時間和環境中氧分壓值具有對應關系。   二、產品特性： 1)       非消耗性的氧化鋯傳感元件 2)       氧壓范圍 2 mbar...3 bar 3)       高穩定性和精度，可測量0…100% 氧 4)       對于其他氣體無交叉干擾 5)       無需溫度穩定 6)       內置加熱元件 7)       加熱器電壓： 4.35 ±0.1 VDC (1.85 A) 8)       允許氣體溫度： -100...250 °C ；   三、產品參數 特性 最小 典型 最大 單位 氧壓范圍 2   3000 mbar 精度      5 操作溫度（O2S-T3）   700（4.00V）   °C 操作溫度（O2S-FR-T3）   700（4.35V）     響應時間(10-90%，O2S-T3)      15 S 響應時間(10-90%，O2S-FR-T3)     4 預熱時間(s)      100 預熱時間（從準備開始s）      20   四、典型應用： 排放控制 - 柴油機/鍋爐/加熱系統；生物能源/生物氣；醫療；空氣質量監控MOT 車檢排放測試設備；堆制肥料；農業；水果或氧氣敏感型食物運輸；OBOGS(機上氧氣發生器)； OBIGGS(機上惰性氣體發生器)；儀器儀表生產商    

本發明屬于通信抗干擾技術領域，尤其涉及正交頻分復用(Orthogonal Frequency Division Multiplexing,OFDM)技術、限幅技術(clipping)、部分傳輸序列技術(Partial Transmit Sequence,PTS)、相移鍵控(Phase Shifting Keying，PSK)調制技術及其相關的OFDM技術。基于限幅噪聲和子載波干擾消除的PTS?OFDM方法，在有CFO的系統中，將限幅噪聲與頻率偏移綜合考慮，在PTS中找出一個最優相位。本發明通過綜合考慮限幅噪聲與CFO引進的ICI，從PTS中選擇一個最優相位，使系統的BER性能得到顯著的提高。