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本發(fā)明公開了一種燒結(jié)金屬纖維束催化劑的制備方法，包括：(1)通過陽極氧化法對(duì)燒結(jié)金屬纖維束進(jìn)行表面處理，通過控制電解條件得到的表面帶有附載孔隙的燒結(jié)金屬纖維束，將制備得到的表面帶有附載孔隙的燒結(jié)金屬纖維束浸漬到含有金屬催化劑的水溶液中至少30分鐘，負(fù)載完成后，經(jīng)煅燒得到燒結(jié)金屬纖維束催化劑。本發(fā)明還提高了由該方法制備得到的催化劑以及利用該催化劑用于治理廢氣的等離子體催化的裝置。本發(fā)明采用燒結(jié)金屬纖維束(SMF)催化劑與介質(zhì)阻擋放電技術(shù)相結(jié)合，在降低能耗的同時(shí)，提高了降解廢氣中VOCs的去除率。

本發(fā)明公開了一種具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方 法及設(shè)備。方法根據(jù)待成形金屬構(gòu)件切片輪廓形狀確定成型缸的內(nèi)部 結(jié)構(gòu)，使各鋪粉層的金屬粉末盡量只處于待成形金屬構(gòu)件切片輪廓形 狀對(duì)應(yīng)的區(qū)域，以大幅度減少金屬粉末的用量，并提高高能束增材制 造的功效。設(shè)備包括一個(gè)或多個(gè)成型缸，該成型缸的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與待成 形金屬構(gòu)件切片輪廓形狀相匹配。本發(fā)明通過使用鑲塊以及與金屬構(gòu) 件切片輪廓形狀相適應(yīng)的異形基板，實(shí)現(xiàn)了針對(duì)不同金屬構(gòu)件

本發(fā)明公開了一種梯度溫度場(chǎng)主動(dòng)調(diào)控系統(tǒng)及其控制方法，系 統(tǒng)由溫度場(chǎng)監(jiān)控系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)和控制系統(tǒng)；溫度場(chǎng)監(jiān)控系統(tǒng)用于測(cè) 量成形區(qū)域 XOY 平面及四周的溫度場(chǎng)信息，將獲得的溫度場(chǎng)信息進(jìn)行 量化處理后反饋給控制系統(tǒng)，加熱系統(tǒng)根據(jù)控制系統(tǒng)指令對(duì)成型缸的 底部和四周進(jìn)行溫度場(chǎng)的分區(qū)獨(dú)立實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)，以實(shí)現(xiàn)在加工過程中整 個(gè)加工區(qū)域的溫度場(chǎng)恒定，保證已加工區(qū)域與未加工區(qū)域處于合理的 溫度梯度，避免熱應(yīng)力導(dǎo)致構(gòu)件翹曲、變形、開裂。本

本發(fā)明公開了一種強(qiáng)磁場(chǎng)下電子槍式電子束注入約束的裝置和 方法；裝置包括分段的負(fù)極板、正極板和電子槍；負(fù)極板與正極板相 對(duì)并與磁場(chǎng)方向平行放置；電子槍位于極板邊緣且平行于極板。本發(fā) 明采用電子槍，能發(fā)射出大量高速運(yùn)動(dòng)的電子束；電場(chǎng)由通電極板產(chǎn) 生，電場(chǎng)方向與磁場(chǎng)方向垂直；電子槍位于極板邊緣且與極板平行， 電子槍能發(fā)射出大量高速運(yùn)動(dòng)的電子束。這些電子束經(jīng)過分段的電場(chǎng) 區(qū)域時(shí)產(chǎn)生電漂移運(yùn)動(dòng)。在極板出口收集電子束，根據(jù)收集電子束大 小，反饋調(diào)整電子槍發(fā)射面角度與發(fā)射功率。本發(fā)明通過分段的電場(chǎng)， 克服單一極板

據(jù)李榮鵬教授介紹，人類基因組中編碼功能蛋白的基因僅占基因總量的2%，其余98%的基因轉(zhuǎn)錄產(chǎn)物為非編碼RNA，過去這類RNA一直被認(rèn)為是冗余，其相關(guān)功能研究一直是空白。近年來，非編碼RNA的研究逐漸成為國(guó)際熱點(diǎn)，大量實(shí)驗(yàn)證據(jù)證明，非編碼RNA控制著幾乎所有的細(xì)胞生理功能。李榮鵬教授的研究在國(guó)際上首次證實(shí)了母系遺傳的長(zhǎng)鏈非編碼RNA MEG3的4號(hào)轉(zhuǎn)錄產(chǎn)物，在肺部感染免疫過程中能夠特異性表達(dá)，然后通過調(diào)節(jié)炎癥因子IL-1b的表達(dá)水平，精準(zhǔn)控制宿主的免疫反應(yīng)。在感染過程中，肺泡巨噬細(xì)胞通過降低MEG3-4的表達(dá)量，釋放出游離的小分子非編碼RNA miR-138，然后miR-138結(jié)合到細(xì)胞因子IL-1b的mRNA 5‘UTR區(qū)域，形成剪切復(fù)合體降解mRNA，以維持IL-1b在體內(nèi)的較低水平，防止過度的炎癥反應(yīng)殺傷細(xì)胞。這一結(jié)果深層次解析了MEG3-4調(diào)節(jié)宿主感染免疫的分子機(jī)制，同時(shí)也為推進(jìn)MEG3-4作為RNA藥物的應(yīng)用提供了理論基礎(chǔ)。

本發(fā)明公開了一種基于塊的子圖構(gòu)建及分布式圖處理方法，其子圖構(gòu)建方法，包括圖分割、對(duì)子圖中的頂點(diǎn)重新貼標(biāo)簽、將區(qū)間與數(shù)據(jù)片關(guān)聯(lián)、分塊和構(gòu)建子圖的步驟；采用啟發(fā)式的、輕量級(jí)的 SGP方法進(jìn)行圖分割，采用用戶定義的啟發(fā)式函數(shù)把頂點(diǎn)按順序指派到 P個(gè)子圖，具有性能高，邊的切割率較低的特點(diǎn)，并且可以兼顧子圖工作負(fù)載平衡問題；其分布式圖處理系統(tǒng)，塊分割之后，子圖之間以整個(gè)內(nèi)存塊為單位進(jìn)行通信；與現(xiàn)有技術(shù)的細(xì)粒度通訊方式相比，本發(fā)

近年來，磁振子電子學(xué)在信息計(jì)算和信息傳輸領(lǐng)域表現(xiàn)出了極具價(jià)值的應(yīng)用潛力。磁振子電子學(xué)利用以磁振子為載體的電子自旋進(jìn)動(dòng)來實(shí)現(xiàn)信息處理，有望實(shí)現(xiàn)無熱量產(chǎn)生、低耗散的信息傳輸，相比于傳統(tǒng)意義上通過操縱電荷來實(shí)現(xiàn)信息的處理的微電子學(xué)具有無可比擬的巨大優(yōu)勢(shì)。磁振子電子學(xué)領(lǐng)域的進(jìn)展很大程度上依賴于能夠有效傳輸磁振子的新材料的發(fā)現(xiàn)，而獲得長(zhǎng)距離的磁振子輸運(yùn)始終是磁振子電子學(xué)研究的重中之重。與通常的三維磁性絕緣體（如Yttrium Iron Garnet）相比，二維尺度下的磁振子被理論預(yù)言有很多的新穎物理效應(yīng)，例如自旋能斯特效應(yīng)，拓?fù)浯耪褡樱约巴鉅柎耪褡拥取?在最新的研究文章中，量子材料科學(xué)中心韓偉課題組在二維磁性體系中展開工作并取得了重要進(jìn)展，觀測(cè)到了二維反鐵磁體系中磁振子的長(zhǎng)距離輸運(yùn)。MnPS3晶體是一種層狀反鐵磁材料，利用機(jī)械剝離手段得到了二維的MnPS3薄片。MnPS3薄片上制備了用于測(cè)量磁振子輸運(yùn)的非局域器件，器件結(jié)構(gòu)如圖A所示。器件左側(cè)Pt電極通過熱方法來注入磁振子，右側(cè)Pt電極探測(cè)在二維MnPS3中擴(kuò)散傳輸?shù)拇耪褡印Ｔ诙S反鐵磁MnPS3中，實(shí)驗(yàn)上觀測(cè)到了幾微米的磁振子擴(kuò)散長(zhǎng)度。并且從圖B中可以看出，隨著注入端和探測(cè)端距離的增加，探測(cè)到的非局域信號(hào)表現(xiàn)出e指數(shù)衰減的形式，跟一維漂移擴(kuò)散模型的理論模型一致。在此基礎(chǔ)上，他們還系統(tǒng)研究了MnPS3厚度對(duì)磁振子弛豫性質(zhì)的影響。隨著MnPS3厚度從40nm降低至8nm，磁振子弛豫長(zhǎng)度由4μm減小到1μm（圖C），這可能是由較薄的MnPS3中較強(qiáng)的表面雜質(zhì)散射效應(yīng)導(dǎo)致的。 該文章中的結(jié)果具有重要的學(xué)術(shù)價(jià)值：二維材料中的磁振子輸運(yùn)實(shí)現(xiàn)為二維磁性材料在磁振子電子學(xué)的應(yīng)用與發(fā)展奠定了基礎(chǔ)，也有望推動(dòng)磁振子在量子尺度下的新穎量子物理性質(zhì)研究。圖：二維反鐵磁體系中磁振子輸運(yùn)研究。（A）二維反鐵磁MnPS3中的磁振子輸運(yùn)測(cè)量結(jié)構(gòu)示意圖。（B）自旋信號(hào)R_NL^*隨電極間距的依賴關(guān)系，與理論預(yù)言的e指數(shù)衰減吻合。（C）磁振子弛豫長(zhǎng)度隨MnPS3厚度的依賴關(guān)系。 該工作于2019年2月7日在線發(fā)表于物理學(xué)術(shù)期刊Physical Review X上(Phys. Rev. X 9, 011026 (2019) )。 DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevX.9.011026。該工作由韓偉研究員設(shè)計(jì)和指導(dǎo)完成，北京大學(xué)量子材料科學(xué)中心2015級(jí)博士生邢文宇為文章第一作者，物理學(xué)院2015級(jí)本科生邱露頤為第二作者（今年9月份將去哈佛大學(xué)讀博士），韓偉研究員為文章通訊作者。本工作的順利完成得到了量子材料科學(xué)中心賈爽教授和謝心澄院士的合作幫助，以及國(guó)家重大科學(xué)研究計(jì)劃、國(guó)家自然科學(xué)基金、中國(guó)科學(xué)院戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項(xiàng)的支持。

北京大學(xué)物理學(xué)院/定量生物學(xué)中心歐陽頎課題組在Nature Physics發(fā)表題為“The energy cost and optimal design for synchronization of coupled molecular oscillators”（文章網(wǎng)址：https://www.nature.com/articles/s41567-019-0701-7）文章，揭示了互相耦合的分子振子達(dá)到同步化所需的熱力學(xué)代價(jià)，表明分子振子的同步化需要額外能量耗散，并揭示了能量耗散與所能達(dá)到的最優(yōu)同步化效果及耦合的最佳設(shè)計(jì)之間的關(guān)系。 振子之間的同步化現(xiàn)象在自然界是非常普遍的現(xiàn)象，許多非線性理論與實(shí)驗(yàn)很好地回答了很大一部分非線性振子中的同步化問題。然而，對(duì)于分子振子而言，他們的振蕩節(jié)律由隨機(jī)的、大噪聲的生化反應(yīng)所決定，與之前相對(duì)成熟的非線性理論所涉及的情況有所不同。這類分子振子的同步化規(guī)律，尤其是同步化所需的熱力學(xué)代價(jià)尚不明確。 歐陽頎課題組與美國(guó)IBM T. J. Waston 研究中心/北京大學(xué)定量生物學(xué)中心杰出訪問教授的涂豫海教授展開合作研究，首次在理論上闡明了實(shí)現(xiàn)分子振子同步化所需的熱力學(xué)代價(jià)。該研究提出一個(gè)簡(jiǎn)單而普適的隨機(jī)理論模型，假設(shè)不同的分子振子之間被一些額外的分子間化學(xué)反應(yīng)耦合起來從而使彼此的相位相互靠近，用以描述一般的可產(chǎn)生同步化振蕩的分子振子。在這個(gè)理論模型中，研究者們找到了單分子穩(wěn)定振蕩狀態(tài)的概率密度的解析解，由此計(jì)算了不同條件下的能量耗散，并通過平均場(chǎng)近似得到了該振蕩出現(xiàn)同步化現(xiàn)象的條件。通過比較不同條件下的能量耗散，研究者發(fā)現(xiàn)，若要實(shí)現(xiàn)分子振蕩的同步化，除去驅(qū)動(dòng)單個(gè)分子振蕩的能量以外，還必須要有一部分不為零的額外的能量耗散。除此以外，當(dāng)外界條件給定能量耗散的大小時(shí)，雖然可以通過調(diào)整模型中的參數(shù)達(dá)到各種不同的同步化效果，但是可以達(dá)到的最優(yōu)的同步化效果由給定的能量耗散所限制。當(dāng)能量耗散小于一個(gè)臨界值時(shí)（這個(gè)臨界值大于驅(qū)動(dòng)單個(gè)分子振蕩的能量）同步化是不可能的，給定的能量耗散越大，所能達(dá)到的最優(yōu)同步化效果越好。該結(jié)論具有一定的普適性。隨后研究者在藍(lán)藻的生物鐘系統(tǒng)中檢驗(yàn)了該理論，驗(yàn)證了生物體內(nèi)的分子振蕩體系確實(shí)需要額外的能量來實(shí)現(xiàn)同步化。 北京大學(xué)物理學(xué)院博士生，歐陽頎課題組的張東良為該文章的第一作者，涂豫海教授為通訊作者，合作者包括歐陽頎教授和美國(guó)加州圣地亞哥分校的博士后曹遠(yuǎn)勝博士。

本發(fā)明公開了一種高壓輸電線路絕緣子清掃與檢測(cè)機(jī)器人，包括可以繞旋轉(zhuǎn)軸向兩邊打開的環(huán)形框 架和控制箱，環(huán)形框架包括通過多個(gè)輔助支架固定相連的上層支架和下層支架、以及通過清掃層升降機(jī) 構(gòu)可上下移動(dòng)的中層支架，上層支架上設(shè)有用于夾住絕緣子的上夾爪，上夾爪上設(shè)有檢測(cè)裝置，中層支 架上設(shè)有清掃裝置和夾持絕緣子裙部的輔助夾爪，上層支架和下層支架之間還設(shè)有通過夾爪層升降機(jī)構(gòu) 上下移動(dòng)的下夾爪，與轉(zhuǎn)軸相對(duì)的環(huán)形框

近日，國(guó)防科技大學(xué)前沿交叉學(xué)科學(xué)院朱夢(mèng)劍-秦石喬課題組與北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳課題組合作，設(shè)計(jì)了一種梯度表面能調(diào)控的復(fù)合型轉(zhuǎn)移媒介，實(shí)現(xiàn)了晶圓級(jí)超平整石墨烯向半導(dǎo)體襯底的干法貼合與無損釋放。