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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
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一種平底螺旋立銑刀正交車銑軸類零件的切削力建模方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種平底螺旋立銑刀正交車銑軸類工件的切削力 建模方法，包括步驟：分別建立螺旋立銑刀坐標(biāo)系和軸類零件坐標(biāo)系， 確定兩個(gè)坐標(biāo)系間的坐標(biāo)變換；在建立的坐標(biāo)系中，明確正交車銑切 削運(yùn)動(dòng)軌跡，確定軸向進(jìn)給、徑向進(jìn)給和總進(jìn)給；根據(jù)計(jì)算得到的正 交車銑運(yùn)動(dòng)軌跡和確定的進(jìn)給，確定正交車銑切屑幾何；對(duì)每個(gè)離散 層建立微元正交車銑切削力計(jì)算公式，根據(jù)確定的正交車銑切屑厚度、 切削深度和正交車銑切入切出角，判斷各離散層是否參與切削，確定 微元切削力的積分限，積分參與切削的微元切削力，獲得當(dāng)前切削狀 態(tài)總切削力
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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具有抗耐藥性的含三唑結(jié)構(gòu)鏈接子的組合抗菌肽及其合 成方法
近年來(lái)，濫用抗生素產(chǎn)生的耐藥性問(wèn)題日益嚴(yán)重，對(duì)人類疾病造成了巨大的威脅。尋找新的可替代抗生素的新藥迫在眉睫。抗菌肽（Antimicrobial peptides），是生物體經(jīng)誘導(dǎo)產(chǎn)生的一類具有抗菌活性的小分子多肽，來(lái)源廣泛，其分子量小，大約在 3~6 kD 之間，有耐熱、 耐酸性強(qiáng)，水溶性好，快速的殺菌能力等特點(diǎn)（Hancock REW，Scott MG. Proc Natl AcadSci USA，2000，97（16）：8856~ 8861）。抗菌肽的抗菌機(jī)制不同于普通抗生素，抗菌機(jī)制一般包括①
蘭州大學(xué)
2021-04-14
一種抗鹽脅迫基因 CbCRT1、制備方法以及其編碼產(chǎn)物 的氨基酸序列
西北地區(qū)的 70%的土地為貧瘠土壤，其中高鹽堿土壤又占了近一半，這導(dǎo)致大多數(shù)植物很難生存，這就進(jìn)一步限制了農(nóng)民的可用耕地面積 （于法穩(wěn)，2001）。因此，選育具有抗鹽特性的作物就變得非常 重要。但是，由于缺乏合理的篩選手段和技術(shù)，且隨機(jī)選育所需的人力物力都十分巨大，目前篩選得到的具有抗鹽特性的作物數(shù)量很少，且抗性不強(qiáng)。 近些年來(lái)，科學(xué)家發(fā)現(xiàn)了一些能在高鹽堿土壤上生長(zhǎng)的抗鹽脅迫植株，并將該植株中抗鹽脅迫相關(guān)的基因進(jìn)行克隆獲得具有抗鹽脅迫能力的轉(zhuǎn)基因作物
蘭州大學(xué)
2021-04-14
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一種智能手機(jī)上下文感知服務(wù)的低功耗傳感器輪詢方法
本發(fā)明在智能手機(jī)中傳感器應(yīng)用為上下文感知服務(wù)基礎(chǔ)上，提出了一種為上下文感知應(yīng)用程序使用的低功耗傳感器輪詢方法。該方法可以動(dòng)態(tài)清除不必要的傳感器活動(dòng)，從而使得這些傳感器可以更長(zhǎng)時(shí)間地保持睡眠狀態(tài)。同時(shí)也提出了一種尋找應(yīng)用請(qǐng)求與傳感器活動(dòng)間關(guān)系的方法。采用這種方法，輪詢調(diào)度器總能計(jì)算并匹配用戶調(diào)用的多種應(yīng)用程序組合探測(cè)頻率來(lái)引導(dǎo)低功耗輪詢以避免非必須活動(dòng)。使用不同上下文應(yīng)用程序?qū)Υ朔椒ㄟM(jìn)行評(píng)估，結(jié)果表明中間件中低功耗輪詢響應(yīng)時(shí)間極小(97ms)，與傳統(tǒng)窮舉輪詢操作相比，大約可以節(jié)約70％的能耗，該上下文感知服務(wù)實(shí)現(xiàn)可以減少智能手機(jī)的傳感器能耗并延長(zhǎng)其電池使用時(shí)間。
四川大學(xué)
2016-10-25
一種高精度的航空發(fā)動(dòng)機(jī)葉片自動(dòng)三維測(cè)量方法和系統(tǒng)
本發(fā)明公開(kāi)了一種高精度的航空發(fā)動(dòng)機(jī)葉片自動(dòng)三維測(cè)量方法， 包括以下步驟：1)配準(zhǔn)：將設(shè)計(jì)模型所處的設(shè)計(jì)坐標(biāo)系與工件實(shí)體所 處的測(cè)量坐標(biāo)系進(jìn)行配準(zhǔn)；2)路徑規(guī)劃：通過(guò)數(shù)據(jù)處理裝置規(guī)劃距離 傳感器在測(cè)量過(guò)程中的運(yùn)動(dòng)路徑，以使工件實(shí)體上的被測(cè)區(qū)域一直處 于距離傳感器的測(cè)量范圍內(nèi)；3)自動(dòng)測(cè)量：距離傳感器對(duì)工件實(shí)體的 正面區(qū)域和反面區(qū)域進(jìn)行采樣，得到工件實(shí)體的完整表面輪廓。本發(fā) 明使用距離傳感器作為測(cè)量終端，可以獲得被測(cè)區(qū)域
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種含雙饋風(fēng)電機(jī)組的電力系統(tǒng)故障電流計(jì)算方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種考慮雙饋風(fēng)電機(jī)組勵(lì)磁調(diào)節(jié)特性的電力系統(tǒng) 故障電流值計(jì)算方法，包括 S1 建立雙饋風(fēng)電機(jī)組受勵(lì)磁調(diào)節(jié)特性影響 的等效受控電流源模型；S2 建立電力系統(tǒng)的正序阻抗矩陣、負(fù)序阻抗 矩陣和零序阻抗矩陣； S3建立不同故障類型下的故障點(diǎn)邊界條件方程； S4 進(jìn)行迭代計(jì)算獲得雙饋風(fēng)電機(jī)組的受控電流源值； S5 根據(jù)雙饋風(fēng)電 機(jī)組的受控電流源值、以阻抗矩陣表征的電網(wǎng)節(jié)點(diǎn)電壓方程以及故障 點(diǎn)邊界條件方程獲得當(dāng)前迭代計(jì)算時(shí)各節(jié)點(diǎn)的各序電壓值，并計(jì)算實(shí) 際節(jié)點(diǎn)的電壓值；S6 獲得當(dāng)前迭代計(jì)算的節(jié)點(diǎn)實(shí)際電
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種水輪發(fā)電機(jī)組勵(lì)磁系統(tǒng) PID 控制參數(shù)的優(yōu)選方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種水輪發(fā)電機(jī)組勵(lì)磁系統(tǒng) PID 控制參數(shù)優(yōu)選方法，用于在水輪發(fā)電機(jī)組勵(lì)磁系統(tǒng)中對(duì) PID 控制參數(shù)進(jìn)行優(yōu)選。根據(jù)水輪發(fā)電機(jī)組勵(lì)磁系統(tǒng)建立仿真模型，然后依據(jù)該仿真系統(tǒng)建立以水輪發(fā)電機(jī)機(jī)端電壓和參考電壓為狀態(tài)量的目標(biāo)函數(shù)，運(yùn)用本發(fā)明設(shè)計(jì)的優(yōu)選方法求解目標(biāo)函數(shù)得到最優(yōu) PID 控制參數(shù)。本發(fā)明設(shè)計(jì)的水輪發(fā)電機(jī)組勵(lì)磁系統(tǒng) PID 控制參數(shù)的優(yōu)選方法，采用一種新型啟發(fā)式優(yōu)化算法優(yōu)化目標(biāo)函數(shù)，能搜索到更小的目標(biāo)函數(shù)值，得到的解代表更優(yōu)的 PID 控制參數(shù)。更優(yōu)的 PID 控制參數(shù)能使水輪發(fā)電機(jī)組勵(lì)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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含有二硫鍵和金剛烷的甲基丙烯酸酯單體及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種含有雙硫鍵和金剛烷的甲基丙烯酸酯單體及其制備方法。甲基丙烯酸羥乙酯經(jīng) N,N’-羰基二咪唑(CDI)活化后與胱胺反應(yīng)，得到一端雙鍵一端氨基的中間產(chǎn)物，繼續(xù)用 CDI 活化氨基， 再與金剛烷胺反應(yīng)得到含有雙硫鍵和金剛烷的甲基丙烯酸酯單體。該單體容易發(fā)生自由基聚合得到大分 子聚合物，也可以與其它的含有雙鍵的單體共聚得到功能性聚合物。所得到的聚合物含有雙硫鍵，在還 原劑存在的條件下能夠斷鏈降解，可用于制備氧化還原敏感功能高分子材料。
武漢大學(xué)
2021-04-14
一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的柵電極及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的柵電極及其制 備方法；柵電極包括 n 個(gè)依次成階梯狀排列的柵電極單元，每個(gè)柵電 極單元為柱狀結(jié)構(gòu)，由連通電極和包圍在連通電極周圍的絕緣側(cè)壁構(gòu) 成；所述連通電極的上表面用于連接?xùn)艑樱卤砻嬗糜谶B接字線。本 發(fā)明適用于在字線等前道工藝完成后制備連接?xùn)艑拥碾姌O結(jié)構(gòu)。此電 極結(jié)構(gòu)呈階梯狀連接不同堆疊層且相對(duì)應(yīng)的柵層，對(duì)疊層中非相對(duì)應(yīng) 的柵層與柵電極之間通過(guò)絕緣層隔離
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種非易失性高密度三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種非易失性高密度三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其制 備方法，包括由多個(gè)垂直方向的三維 NAND 存儲(chǔ)串構(gòu)成的存儲(chǔ)串陣列； 每個(gè)三維 NAND 存儲(chǔ)串包括半導(dǎo)體區(qū)域以及圍繞半導(dǎo)體區(qū)域的四層包 裹結(jié)構(gòu)；半導(dǎo)體區(qū)域包括溝道以及分別與溝道兩端連接的源極和漏極； 源極與漏極串聯(lián)連接；溝道為方柱形結(jié)構(gòu)；四層包裹結(jié)構(gòu)從里到外依 次為隧穿電介質(zhì)層、電荷存儲(chǔ)層、阻隔電介質(zhì)層以及控制柵電極；阻 隔電介質(zhì)層在不同的方向具有不同的厚度，
華中科技大學(xué)
2021-04-14