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一種用于多軸磁懸浮軸承的電流相反的電力電子控制器
本發(fā)明公開了一種用于多軸磁懸浮軸承的電流相反的電力電子 控制器，包括：2N 個繞組橋臂及一個共用橋臂，其中，N 為多軸磁懸 浮軸承自由度數(shù)，2N 個繞組橋臂分為 N 個 A 組繞組橋臂以及 N 個 B 組繞組橋臂，每一個繞組橋臂設(shè)置一個可控開關(guān)，共用橋臂設(shè)置 2 個 可控開關(guān)，通過改變可控開關(guān)的導(dǎo)通時間控制通過每個繞組的電流， 實現(xiàn)對多軸磁懸浮軸承中電磁力的控制。本發(fā)明的各繞組勵磁電流在 公共接點處相互抵消，改變了以往結(jié)構(gòu)共用橋臂電流為各繞組橋臂之 和，顯著減小了流過共用橋臂可控開關(guān)的電流，降低了開
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡及其構(gòu)成的鎖模光纖激光器
本實用新型公開了一種摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡及其構(gòu)成的鎖模光纖激光器，該摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡包括基底、鍍在所述基底上的高反射膜以及鍍在所述高反射膜上的摻鐵硒化鋅薄膜，由于該摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡以摻鐵硒化鋅薄膜為可飽和吸收體，同時摻鐵硒化鋅薄膜本身具有較高的損傷閾值，能夠用于高功率激光器的研制，彌補(bǔ)了本領(lǐng)域缺少高損傷閾值可飽和吸收鏡或可飽和吸收體的空缺；基于上述摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡構(gòu)成的鎖模光纖激光器，利用雙包層增益光纖獲得激光，并通過摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡對激光進(jìn)行調(diào)制實現(xiàn)鎖模，獲得超短脈沖激光。
四川大學(xué)
2017-12-28
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類環(huán)狀流微膜蒸發(fā)板翅式冷凝蒸發(fā)技術(shù) 新型高效冷凝蒸發(fā)器
該項目是在國家自然科學(xué)基金委的大力支持下，由西安交通大學(xué)吳裕遠(yuǎn)教授主持的課題組經(jīng)過15年的艱苦努力，突破傳統(tǒng)機(jī)理，銳意科技創(chuàng)新，所取得的最新成果，榮獲2001年國家技術(shù)發(fā)明獎二等獎。該項目是西安交通大學(xué)，擁有完全的自主知識產(chǎn)權(quán),非常適宜在制氧、石油、化工、乙烯等換熱器領(lǐng)域推廣應(yīng)用。
西安交通大學(xué)
2021-01-12
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一種基于超聲波振動式結(jié)晶器的不銹鋼生產(chǎn)方法
（專利號：ZL 201410284167.5） 簡介：本發(fā)明公開了一種基于超聲波振動式結(jié)晶器的不銹鋼生產(chǎn)方法，屬于鋼鐵冶金技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的步驟為：步驟一、高爐煉鐵；步驟二、轉(zhuǎn)爐冶煉并進(jìn)行精煉；步驟三、超聲波連鑄，經(jīng)過步驟二精煉之后的鋼水在連鑄過程中采用水平連鑄結(jié)晶器，在水平連鑄結(jié)晶器上產(chǎn)生超聲波振動。本發(fā)明中無需依靠結(jié)晶器的機(jī)械振動，而僅僅依靠超聲波振動力使初生坯殼與結(jié)晶器內(nèi)壁自動“脫模”，從而消除或減少不銹鋼鑄坯表面缺陷的產(chǎn)生；結(jié)晶器
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
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基于酞菁納米線具有紅外響應(yīng)的有機(jī)憶阻器及陽離子調(diào)節(jié)特性
憶阻器，全稱記憶電阻器(Memristor)。惠普公司的研究人員首次做出納米憶阻器件，掀起憶阻研究熱潮。納米憶阻器件的出現(xiàn)，有望實現(xiàn)非易失性隨機(jī)存儲器。并且，基于憶阻的隨機(jī)存儲器的集成度、功耗、讀寫速度都要比傳統(tǒng)的隨機(jī)存儲器優(yōu)越。此外，憶阻是硬件實現(xiàn)人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)突觸的最好方式。由于憶阻的非線性性質(zhì)，可以產(chǎn)生混沌電路，從而在保密通信中也有很多應(yīng)用。目前，有機(jī)憶阻器普遍具有穩(wěn)定性差、工作機(jī)理模糊不清、紅外響應(yīng)差的不足。所以，研究人員希望能夠開發(fā)出具有高穩(wěn)定性且紅外響應(yīng)好的有機(jī)憶阻器。
南方科技大學(xué)
2021-04-13
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基于運(yùn)算放大器的阻性傳感器陣列讀出電路及其讀出方法
本發(fā)明公開了一種基于運(yùn)算放大器的阻性傳感器陣列讀出電路，所述阻性傳感器陣列為共用行線和列線的阻性傳感器陣列；該讀出電路包括：標(biāo)準(zhǔn)電阻行，其包括一行N個標(biāo)準(zhǔn)電阻，增設(shè)于所述阻性傳感器陣列中，從而得到一個新的共用行線和列線的（M+1）×N電阻陣列；（M+1）個運(yùn)算放大器，與電阻陣列的（M+1）條行線一一對應(yīng)，每個運(yùn)算放大器的反相輸入端、輸出端連接于一點后與其所對應(yīng)行線連接；控制器，其具有至少(M+1)個IO端口以及至少N個ADC采樣端口，其中的(M+1)個IO端口與所述（M+1）個運(yùn)算放大器的同相輸入端
東南大學(xué)
2021-04-14
基于人工表面等離激元的微波渦旋波發(fā)生器及其實現(xiàn)方法
本發(fā)明公開一種基于人工表面等離激元的微波渦旋波發(fā)生器。該結(jié)構(gòu)工作在微波頻段，由雙層人工表面等離激元波導(dǎo)實現(xiàn)對于電磁波的傳輸，上層波導(dǎo)和下層波導(dǎo)之間的連接通過一個金屬過孔實現(xiàn)。該微波渦旋波發(fā)生器的輻射部分主要由一系列放置在人工表面等離激元波導(dǎo)旁邊的圓形貼片實現(xiàn)，同時這些圓形貼片作為諧振器也提供了產(chǎn)生不同的渦旋波所需的相位。這種微波渦旋波發(fā)生器可以在不同頻率處實現(xiàn)具有不同軌道角動量模式的渦旋波，而不需要在結(jié)構(gòu)上做出任何改變。
東南大學(xué)
2021-04-14
紅外二氧化碳傳感器C20E（教育行業(yè)專用）
產(chǎn)品詳細(xì)介紹 紅外二氧化碳傳感器C20E（教育行業(yè)專用） C20E二氧化碳傳感器專為教育應(yīng)用而設(shè)計。在0-40℃溫度范圍內(nèi)有補(bǔ)償。 C20E通過四線連接就可以工作了：+5V、0V、串行輸入、串行輸出。 產(chǎn)品主要參數(shù)： 1) 檢測范圍：5% 2) 溫度范圍：0-40℃ 3) 供電電壓：5V 4) 零點誤差：20ppm 5) 預(yù)熱時間：120S
深圳市新世聯(lián)科技有限公司
2021-08-23
海利普變頻器HLP-A海利普OP-AB01面板OP-AB02
產(chǎn)品詳細(xì)介紹
海利普變頻器HLP-A海利普OP-AB01面板OP-AB02
HLPA00D423B,HLPA0D7523B,HLPA01D543C,HLPA02D243CHLPA03D743B,HLPA05D543B,HLPA07D543B,HLPA001143B,HLPA001543B,HLPA18D543B,HLPA002243B
HLP-A高性能通用型:HOLIP變頻器
?功率范圍：0.4KW~22KW（單、三相220V）；
0.75KW~450KW(三相380V)；
型號功率 型號功率HLPA00D423B220V/0.4KWHLPA001143B380V/11KWHLPA0D7523B220V/0.75KWHLPA001543B380V/15KWHLPA01D523B220V/1.5KWHLPA18D543B380V/18.5KWHLPA02D223B220V/2.2KWHLPA002243B380V/22KWHLPA03D723B220V/3.7KWHLPA003043B380V/30KW HLPA003743B380V/37KWHLPA0D7543B380V/0.75KWHLPA004543B380V/45KWHLPA01D543B380V/1.5KWHLPA005543B380V/55KWHLPA02D243B380V/2.2KWHLPA007543B380V/75KWHLPA03D743B380V/3.7KWHLPA009043B380V/90KWHLPA05D543B380V/5.5KWHLPA011043B380V/110KWHLPA07D543B380V/7.5KWHLPA013243B380V/132KWHLP
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東莞市榮達(dá)機(jī)電設(shè)備有限公司
2021-08-23
BC型裸片硅二極管溫度計低溫溫度傳感器
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨的標(biāo)定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨特的優(yōu)勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；
※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復(fù)性：[email protected]，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達(dá)：75V；
※ 損壞前電流高達(dá)：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µ[email protected]; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應(yīng)時間：[email protected], 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-02-26