|
搜索
搜 索
高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
.jpg){kind=logo}
一種固態(tài)盤閃存芯片閾值電壓感知方法及系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種固態(tài)盤內(nèi)部閃存芯片閾值電壓感知優(yōu)化方法， 主要用于多層單元閃存芯片使用低密度奇偶校驗(yàn)碼糾錯(cuò)時(shí)的一種優(yōu)化 方法。該系統(tǒng)結(jié)構(gòu)主要由 LDPC 編碼模塊、閃存芯片存儲(chǔ)模塊、非均 勻閾值電壓感知模塊、對(duì)數(shù)似然比計(jì)算模塊和 LDPC 譯碼模塊組成。 LDPC 編碼模塊主要對(duì)原始數(shù)據(jù)利用 LDPC 生成矩陣編碼生成碼字； 閃存芯片存儲(chǔ)模塊主要存儲(chǔ)數(shù)據(jù)；非均勻閾值電壓感知模塊主要對(duì)閃 存芯片進(jìn)行非均勻閾值電壓感知；
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于電控液晶紅外匯聚平面微柱鏡的紅外波束控制芯片
本發(fā)明公開了一種基于電控液晶紅外匯聚平面微柱鏡的紅外波束控制芯片。包括電控液晶紅外匯聚平面微柱鏡陣列；電控液晶紅外匯聚平面微柱鏡陣列包括液晶材料層，依次設(shè)置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向?qū)印⒌谝浑姼綦x層、圖形化電極層、第一基片和第一紅外增透膜，以及依次設(shè)置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向?qū)印⒌诙姼綦x層、公共電極層、第二基片和第二紅外增透膜；公共電極層由一層勻質(zhì)導(dǎo)電膜構(gòu)成；圖形化電極層由布有 m×n 元陣
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種液晶基電調(diào)空間分辨率全色成像探測(cè)芯片
本發(fā)明公開了一種液晶基電調(diào)空間分辨率全色成像探測(cè)芯片，包括陶瓷外殼、金屬支撐和散熱板、驅(qū)控和圖像預(yù)處理模塊、面陣全色成像探測(cè)器、以及面陣電控液晶微透鏡，驅(qū)控和圖像預(yù)處理模塊、面陣全色成像探測(cè)器、以及面陣電控液晶微透鏡設(shè)置于陶瓷外殼內(nèi)，陶瓷外殼后部固定設(shè)置于金屬支撐和散熱板頂部，驅(qū)控和圖像預(yù)處理模塊固定設(shè)置于陶瓷外殼后部與金屬支撐和散熱板連接處，面陣全色成像探測(cè)器平行設(shè)置于驅(qū)控和圖像預(yù)處理模塊頂部，面陣電控液晶微
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種適應(yīng)多規(guī)格芯片的表面貼裝機(jī)拾取裝置
本發(fā)明公開了一種適應(yīng)多規(guī)格芯片的表面貼裝機(jī)拾取裝置，包 括 Z 向進(jìn)給模塊、傳動(dòng)模塊、氣路模塊、花鍵軸模塊和吸嘴模塊，其 中 Z 向進(jìn)給模塊用于帶動(dòng)背板上下運(yùn)動(dòng)；氣路模塊中的真空發(fā)生器用 于產(chǎn)生真空，并通過(guò)氣管、快接接頭和花鍵軸聯(lián)接，在花鍵軸內(nèi)部產(chǎn) 生真空環(huán)境；傳動(dòng)模塊用于保證吸取的芯片在貼裝時(shí)姿態(tài)的精準(zhǔn)度； 花鍵軸模塊用于傳遞旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)和提供緩沖作用；吸嘴模塊則通過(guò)吸嘴 頭與吸嘴桿內(nèi)嵌的密封墊產(chǎn)生不同的配合，控制不同組合的通氣孔的 開閉，進(jìn)而使吸嘴頭產(chǎn)生不同尺寸的真空域。通過(guò)本發(fā)明，應(yīng)能夠僅 采用一
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種用于無(wú)源超高頻 RFID 標(biāo)簽芯片的解調(diào)電路
本發(fā)明公開了一種用于無(wú)源超高頻 RFID 標(biāo)簽芯片解調(diào)電路， 包括整流電路、取包絡(luò)電路、低通濾波電路、均值產(chǎn)生電路、比較器、 整形電路、使能控制電路、偏置電路。整流電路由主級(jí)和輔助級(jí)構(gòu)成， 采用閾值補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)，取包絡(luò)電路在使能控制電路控制下提取包絡(luò)，低 通濾波電路直接采用 RC 結(jié)構(gòu)，均值產(chǎn)生電路由運(yùn)算放大器、二極管 和電容構(gòu)成，利用峰值檢測(cè)的原理實(shí)現(xiàn)，比較器采用開環(huán)的運(yùn)算放大 器實(shí)現(xiàn)，整形電路由兩個(gè)級(jí)聯(lián)的反相器構(gòu)成，
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種液晶基單眼復(fù)眼一體化成像探測(cè)芯片
本發(fā)明公開了一種液晶基單眼復(fù)眼一體化成像探測(cè)芯片，包括陶瓷外殼、金屬支撐和散熱板、以及單眼復(fù)眼一體化成像探測(cè)架構(gòu)，陶瓷外殼后部固置于金屬支撐和散熱板頂部，單眼復(fù)眼一體化成像探測(cè)架構(gòu)設(shè)置于陶瓷外殼內(nèi)，并包括同軸順序設(shè)置的驅(qū)控與圖像預(yù)處理模塊、面陣可見光探測(cè)器以及面陣電控液晶成像微透鏡，面陣電控液晶成像微透鏡用于從陶瓷外殼頂部開口接收可見光，并將該可見光聚焦到面陣可見光探測(cè)器，驅(qū)控與圖像預(yù)處理模塊通過(guò)通訊與控制信號(hào)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種 LED 倒裝芯片的圓片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)、方法及產(chǎn)品
本發(fā)明公開了一種 LED 倒裝芯片的圓片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)、方法及產(chǎn)品，包括 LED 倒裝芯片、硅基板、透鏡、印刷電路板和熱沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的長(zhǎng)度與芯片的長(zhǎng)度相同；硅基板的反面加工有兩組通孔，兩通孔與凹腔相連通；在凹腔和兩通孔的表面沉積有絕緣層；凹腔表面的絕緣層上沉積有散熱金屬層和反光金屬層；兩通孔內(nèi)填充有金屬體，通孔內(nèi)的金屬體與凹腔表面的散熱金屬層相接；凹腔內(nèi)底部的兩金屬層存在一開口，用于將該金屬層隔離為兩部分；硅基板的反面沉積有絕緣層，該絕緣層表面布線用于電極連接的金屬層；凹
華中科技大學(xué)
2021-04-14
大學(xué).jpg){kind=logo}
一種圖像壓縮光學(xué)芯片的實(shí)時(shí)在線制作檢測(cè)系統(tǒng)及方法
本發(fā)明屬于光電子芯片加工制造技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種圖像壓縮光學(xué)芯片的實(shí)時(shí)在線制作檢測(cè)系統(tǒng)及方法。利用計(jì)算機(jī)對(duì)待壓縮圖像進(jìn)行壓縮得到第一圖像，并掃描得到第一圖像灰度信息，根據(jù)第一圖像得到第一控制信息；超快激光器根據(jù)第一控制信息對(duì)光學(xué)芯片材料進(jìn)行波導(dǎo)結(jié)構(gòu)加工；激光器陣列根據(jù)第一圖像灰度信息產(chǎn)生對(duì)應(yīng)功率的激光并通過(guò)光纖進(jìn)入至光學(xué)芯片材料；利用光功率探測(cè)器陣列接收光學(xué)芯片材料輸出的激光并得到功率信息；計(jì)算機(jī)根據(jù)功率信息得到第二圖像灰度信息，重構(gòu)得到第二圖像，根據(jù)第一圖像和第二圖像得到第二控制信息；超快激光器根據(jù)第二控制信息對(duì)光學(xué)芯片材料進(jìn)行在線矯正加工。本發(fā)明能夠提高光學(xué)芯片的生產(chǎn)效率、降低制造成本。
湖北工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
.jpg){kind=logo}
微型集成式固體電解質(zhì)環(huán)境監(jiān)測(cè)氣體傳感器
一、項(xiàng)目簡(jiǎn)介隨著工業(yè)化進(jìn)程的加速推進(jìn)，人類社會(huì)各方面的發(fā)展對(duì)化石燃料的消耗與日俱增，而由此產(chǎn)生的大氣環(huán)境污染問(wèn)題也愈發(fā)嚴(yán)重，對(duì)人類的生存和健康、自然生態(tài)環(huán)境造成極大的損害。基于固體電解質(zhì)的氣體傳感器，結(jié)合先進(jìn)的 MEMS 和鍍膜技術(shù)，對(duì)于 CO 、SO 等污染性氣體濃度的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)、防治十分重要。22項(xiàng)目以 Li3PO 、Li3PO -Li SiO 薄膜固體電解質(zhì)薄膜作為導(dǎo)電介質(zhì)，研制 CO 、34422SO 等環(huán)境監(jiān)測(cè)氣體傳感器。通過(guò)固體電解質(zhì)薄膜的 CO 、SO 氣體傳感器的響應(yīng)222原理分析，設(shè)計(jì)了集成式環(huán)境監(jiān)測(cè)氣體傳感器，選擇了合適的反應(yīng)電極材料，結(jié)合 MEMS 薄厚膜工藝，采用熱阻蒸發(fā)鍍膜工藝沉積 Li PO 固體電解質(zhì)薄膜，絲網(wǎng)34印刷厚膜技術(shù)制備反應(yīng)電極和加熱電極，完成了集成式微型 CO 、SO 氣體傳感器22的研制、封裝、測(cè)試，為工業(yè)應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。微型氣體傳感器可實(shí)現(xiàn) CO 和 SO22氣體的高精度監(jiān)測(cè)，并具有體積小、功耗低、成本低的特點(diǎn)。西安交通大學(xué)國(guó)家技術(shù)轉(zhuǎn)移中心二、技術(shù)指標(biāo)（性能參數(shù)）芯片尺寸封裝方式1.6mm x 1.8mmTO 封裝檢測(cè)范圍測(cè)量誤差工作電壓傳感
西安交通大學(xué)
2021-04-10
微型集成式固體電解質(zhì)環(huán)境監(jiān)測(cè)氣體傳感器
一、項(xiàng)目簡(jiǎn)介隨著工業(yè)化進(jìn)程的加速推進(jìn)，人類社會(huì)各方面的發(fā)展對(duì)化石燃料的消耗與日俱增，而由此產(chǎn)生的大氣環(huán)境污染問(wèn)題也愈發(fā)嚴(yán)重，對(duì)人類的生存和健康、自然生態(tài)環(huán)境造成極大的損害。基于固體電解質(zhì)的氣體傳感器，結(jié)合先進(jìn)的 MEMS 和鍍膜技術(shù)，對(duì)于 CO 、SO 等污染性氣體濃度的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)、防治十分重要。22項(xiàng)目以 Li3PO 、Li3PO -Li SiO 薄膜固體電解質(zhì)薄膜作為導(dǎo)電介質(zhì)，研制 CO 、34422SO 等環(huán)境監(jiān)測(cè)氣體傳感器。通過(guò)固體電解質(zhì)薄膜的 CO 、SO 氣體傳感器的響應(yīng)222原理分析，設(shè)計(jì)了集成式環(huán)境監(jiān)測(cè)氣體傳感器，選擇了合適的反應(yīng)電極材料，結(jié)合 MEMS 薄厚膜工藝，采用熱阻蒸發(fā)鍍膜工藝沉積 Li PO 固體電解質(zhì)薄膜，絲網(wǎng)34印刷厚膜技術(shù)制備反應(yīng)電極和加熱電極，完成了集成式微型 CO 、SO 氣體傳感器22的研制、封裝、測(cè)試，為工業(yè)應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。微型氣體傳感器可實(shí)現(xiàn) CO 和 SO22氣體的高精度監(jiān)測(cè)，并具有體積小、功耗低、成本低的特點(diǎn)。西安交通大學(xué)國(guó)家技術(shù)轉(zhuǎn)移中心二、技術(shù)指標(biāo)（性能參數(shù)）芯片尺寸封裝方式1.6mm x 1.8mmTO 封裝檢測(cè)范圍測(cè)量誤差工作電壓傳感
西安交通大學(xué)
2021-04-10