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本發明公開了一種超高壓液控集成換向閥，其包括閥體和多個 結構相同的單閥，該閥體上設有豎向閥孔和控制液進口，豎向閥孔的 兩端連接有螺堵和螺塞，螺塞上開設有相互連通的液控腔室和控制液 出口；該單閥安裝在螺堵和螺塞之間，其包括閥套、閥桿和閥座；閥 套與螺塞抵接，閥桿下端與閥套呈密封狀滑動配合，并將閥套分隔成 上下兩個液控腔；閥桿的底部與液控腔室之間安裝有彈簧，其上端安 裝有蓋帽；蓋帽內表面與閥桿上端構成球窩狀，用于安裝閥球；閥桿 上還套裝有支撐環；支撐環與螺堵之間安裝有閥座，閥座上開設有閥 口。本發明具備

隨著包括5G通訊、物聯網在內的新型產業的興起，在實際應用中對于高速、低損耗的信息處理系統的需求與日俱增。傳統的電子器件受摩爾定律的限制，在儲存密度和運算速度的突破上均面臨瓶頸，并且進入“ 后摩爾時代”，電子器件不可無限制地進行集成。器件的尺寸越小，量子效應越明顯，集成的困難就越大。作為摩爾定律的延續，人們提出一種極具潛力的設計——光子芯片。相較于傳統的電子芯片，光子芯片的巨大優勢之一是光子之間無相互作用力，可以大大降低系統的功耗，增大信息傳輸的帶寬。因此，光子芯片可以在數據通信、高性能計算和傳感技術上有重要的應用。 帶通濾波器是一種信號前端處理器件，是光子芯片集成的重要元器件之一。它可以有效抑制不需要波段的信號，僅允許目標波段通過，這在信號處理領域具有廣泛的應用。然而，目前帶通濾波器在光子集成器件領域少見報道。傳統方法大多依賴經驗以及物理啟發進行結構設計和參數優化，需要耗費大量資源，器件的性能有局限性。相較于傳統的設計方法，利用算法設計納米光子學器件具有普適性和高效性。通過采用恰當的算法進行優化，可以有效提高設計效率，優化器件指標，避免出現局部最優的情況，找到性能最優的器件。 圖1.帶通濾波器掃描電鏡圖

郭光燦院士團隊在固態量子存儲領域取得重要進展。該團隊李傳鋒、周宗權研究組基于自主加工的激光直寫波導，實現了光子偏振態的可集成固態量子存儲，存儲保真度高達99.4±0.6%，該工作顯著推進了可集成量子存儲器在量子網絡中的應用。

1 成果簡介語音識別在嵌入式芯片上實現的主要矛盾是算法實現的性能精度與芯片功耗、速度之間的矛盾，一個性能較好的 800 條典型漢語普通話語音識別算法以純粹軟件嵌入方案實現通常需要 200MIPS 以上 ARM（ Advanced Risc Machine） MCU 處理速度，因此我們提出語音識別集成電路 IP 與協處理器來克服以上的問題，通過關鍵運算的硬件化映射來大幅提高語音識別計算的功耗和處理速度。該設計可作為語音識別集成電路 IP 放入客戶的 SoC 芯片中，也可作為協處理器放在片外。 關鍵性能指標如下： *工藝：蘇州 HJTC 0.18um 1P6M 標準 CMOS 工藝 *管芯面積： 1.5 x 2mm *邏輯規模： 3 萬等效門（標準二輸入與非門，不含 SRAM） *I/O 數： 52 封裝: CQFP64 *存儲規模：片上集成 1 片單口 SRAM，共 4K×16 比特 *供電電壓：核心部分->1.8V， IO 部分->3.3V *正常工作頻率： 20MHz（最高工作頻率 100MHz） *功耗： 80uW/MHz *速度： 4us/幀（特征維數取 27，時鐘頻率取 20MHz） 圖 1 語音識別集成電路版圖圖 2 ARM+語音識別協處理的測試系統表 1 與其他語音識別芯片的對比2 應用說明語音識別 IP 或協處理器基于對高斯混合模型計算的優化，適合于各種 HMM 模型的模式識別計算，在語音識別、說話人識別、說話人確認、語音合成等方面均可以廣泛應用。 語音識別 IP 或協處理器以加速 ASIC 的模式工作，相同時鐘主頻下計算性能是 TI C54x系列 16bit DSP 的 5.5 倍以上，對主系統計算性能提升可以達到 4~8 倍。 語音識別 IP 或協處理器對于性能要求型場合和功耗限制型場合都十分適合，芯片支持16bit 并行總線接口，適合于各種 32 位/16 位 MCU 系統，迅速為系統集成高性能語音處理能力。3 應用范圍車載導航， GPS 手機，支持大規模識別詞表（例如萬條以上的地名）支持模糊語音檢索；低端手機平臺，支持語音撥號、語音控制，支持用戶身份確認、聲紋密碼。4 效益分析語音識別 IP 或協處理器芯片可應用拓展到個人移動信息終端的全市場空間，以 GPS 產品為例，細分的預裝 GPS、個人導航設備（ Portable Navigation Device， PND）， GPS 手機三種產品，根據 CCID（ Consulting China Research Center）咨詢公司預測 2008 年這三者分別約占到全球市場總量的 15%、 35%和 50%?？焖僭鲩L的 GPS 市場，對語音識別功能有著非常迫切而又實際的需求， GPS 應用提出的超大規模詞表、高混淆度和高環境復雜度這一系列語音識別的技術難題，也只能由語音識別芯片解決。語音識別加快了人機交互與地名等信息的檢索，可提高駕駛期間操作 GPS 的行車安全性，同時可以反過來進一步促進 GPS 產品的銷售增長。 語音識別技術通過芯片在性能得到大幅提升后，將擺脫傳統的人名撥號功能，可用于菜單控制、地名、信息、多媒體內容的檢索等等。而語音識別芯片使得低功耗和低成本的要求得以滿足，有望成為手機人機交互界面（ Man-Machine Interface， MMI）發展的新技術增長點，移動通信領域的市場潛力特別巨大。

微晶玻璃腔體是激光陀螺的重要元件和組成部分，為了降低對進口材料的依賴程度、提高國產化水平，對國產微晶玻璃腔體在激光陀螺批量化生產中的可行性進行分析，主要研究內容包括：國產微晶玻璃的制造工藝；采用國產微晶玻璃腔體與采用進口微晶玻璃腔體的激光陀螺性能比較；使用國產微晶玻璃腔體激光陀螺樣機。使用國產化微晶玻璃腔體激光陀螺樣機零偏穩定性和溫度零偏變化率能夠達到現有水平。

產品詳細介紹：三維集成式定位工作臺通過柔性鉸鏈機構對壓電陶瓷進行直接驅動以實現無間隙的微位移傳動，具有沿X軸的升降及Y軸的轉動。并可集成電阻應變片以實現高精度閉環控制。主要用于光學、激光掃描、通信、光束偏轉和光束偏擺。

產品詳細介紹：二維集成式工作臺通過柔性鉸鏈機構對壓電陶瓷進行直接或放大以實現無間隙無耦合的微位移傳動，具有沿X軸方向和Y軸方向的兩維運動，行程從10um至200um。該系列微動臺可集成電阻應變片以實現高精度閉環控制，并可根據客戶需求定制更小尺寸的微動臺。

IECUBE-3100集成電路測試實訓平臺是一個源于繼承廣電路行業實際工業應用場景，基于集成電路行業國際領先的NI測試測量技術，針對集成電路測試技能培養而專門開發的實訓平臺，可以完成典型集成電路的測試實訓，包括ADC、DAC、PA、數字邏輯IC以及晶體管等。

主要應用領域：國防以及電力部門 特點： ？ 體積小 ？ 抗電磁干擾 （一）ns級電磁脈沖場測量系統 主要技術指標：能夠對上升時間、半寬均為ns量級的電磁脈沖（如核電磁脈沖）進行時域波形測量；線性測量范圍從100 V/m到超過100 kV/m，帶寬范圍從100 kHz到1 GHz。 （二）μs級電磁脈沖場測量系統 主要技術指標：能夠對上升時間、半寬均為μs量級的電磁脈沖（如雷電電磁脈沖）進行時域波形測量；線性測量范圍從100 kV/m到1000 kV/m。 （三）連續波電場測量系統 主要要技術指標：帶寬范圍從100 kHz到18 GHz，靈敏度達20 mV/m。

近幾年，硅基集成電路的速度遭遇瓶頸、停滯不前，解決的辦法之一是引入光子學器件，部分取代電子學集成電路中的信號處理和互聯器件，這就要求光子學器件具有像電子學集成那樣的小尺度和三維集成能力，同時具有和電子學集成兼容的制備工藝。這些要求使得光電混合集成面臨巨大的挑戰，是一個世界性的難題。 光學所張家森教授團隊與信息科學學院彭練矛教授團隊合作，提出了基于表面等離激元和碳納米管的三維光電混合集成系統，該系統與現有的COMS制備工藝兼容，可以實現光子學和電子學的三維集成和互聯，為解決集成電路的速度瓶頸提供了一種方法。他們演示了幾種集成回路，包括在片光操控回路、波長和偏振復用回路和具有COMS信號處理電路的集成模塊。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 這種三維集成系統的優點包括：1. 使用低溫COMS兼容制備工藝，可以在單片集成回路中集成光子學模塊、電子學信號處理系統和存儲系統；2. 利用具有原子厚度的碳納米管材料以及金屬工藝，使得光子學集成和電子學集成在材料上兼容；3. 基于表面等離激元使得光子學器件尺度可以和電子學器件尺度相近，便于集成；4. 碳納米管的工作波段可以覆蓋整個通訊波段，這是硅材料無法做到的；5. 光電探測器工作于光伏模式，可以減小能耗。該工作是首次利用原子厚度材料實現三維光電混合集成，可以實現更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同時，有可能解決電子學集成回路在速度上的瓶頸。 上述實驗結果近期發表于最新一期《自然 電子學》雜志。 相關文獻：Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).