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本發(fā)明公開了一種可尋址層析視場(chǎng)的液晶基成像探測(cè)芯片。包括面陣電控液晶成像微透鏡和面陣光敏探測(cè)器，其中，單元電控液晶成像微透鏡用于對(duì)目標(biāo)通過物鏡形成的壓縮光場(chǎng)執(zhí)行進(jìn)一步的匯聚式壓縮，通過調(diào)變加載在所述面陣電控液晶成像微透鏡上的信號(hào)電壓的均方幅值，調(diào)變所述單元電控液晶成像微透鏡的光匯聚能力，進(jìn)而調(diào)變由物鏡和所述單元電控液晶成像微透鏡共同確定的目標(biāo)對(duì)焦平面，從而在深度方向上改變能清晰成像的目標(biāo)圖層，執(zhí)行成像視場(chǎng)在深度

本發(fā)明公開了一種倒裝 LED 芯片在線檢測(cè)的收光方法，該收光 測(cè)試方法包括如下步驟：待測(cè)試芯片被移動(dòng)至積分球收光口的上方； 設(shè)置于積分球下方的積分球升降裝置向上運(yùn)動(dòng)，使所積分球的收光口 對(duì)準(zhǔn)所述待測(cè)試的倒裝 LED 芯片的發(fā)光側(cè)，并且使設(shè)置于積分球收光 口處的板片貼緊裝載待測(cè)試倒裝 LED 芯片的盤片。按照本發(fā)明設(shè)計(jì)的 收光測(cè)試組件，能夠成功地解決倒裝 LED 芯片電機(jī)和發(fā)光面不同側(cè)的 問題，具有高的收光精度，尤其與倒裝 LED 芯片在線檢測(cè)裝置配合使 用，能夠顯著提高性能，實(shí)現(xiàn)倒裝 LED 芯片的

本發(fā)明公開了一種雙模復(fù)合紅外電控液晶微透鏡陣列芯片，包括：芯片殼體、電控散光液晶微透鏡陣列、以及電控聚光液晶微透鏡陣列，電控散光液晶微透鏡陣列與電控聚光液晶微透鏡陣列級(jí)聯(lián)耦合構(gòu)成雙模復(fù)合電調(diào)架構(gòu)，電控散光液晶微透鏡陣列與電控聚光液晶微透鏡陣列均設(shè)置在芯片殼體內(nèi)部，二者彼此緊密貼合并與芯片殼體連接，且二者的光軸重合，電控散光液晶微透鏡陣列的光入射面和電控聚光液晶微透鏡陣列的光出射面分別通過芯片殼體頂面和底面的開口

主要應(yīng)用領(lǐng)域：國防以及電力部門 特點(diǎn)： ？ 體積小 ？ 抗電磁干擾 （一）ns級(jí)電磁脈沖場(chǎng)測(cè)量系統(tǒng) 主要技術(shù)指標(biāo)：能夠?qū)ι仙龝r(shí)間、半寬均為ns量級(jí)的電磁脈沖（如核電磁脈沖）進(jìn)行時(shí)域波形測(cè)量；線性測(cè)量范圍從100 V/m到超過100 kV/m，帶寬范圍從100 kHz到1 GHz。 （二）μs級(jí)電磁脈沖場(chǎng)測(cè)量系統(tǒng) 主要技術(shù)指標(biāo)：能夠?qū)ι仙龝r(shí)間、半寬均為μs量級(jí)的電磁脈沖（如雷電電磁脈沖）進(jìn)行時(shí)域波形測(cè)量；線性測(cè)量范圍從100 kV/m到1000 kV/m。 （三）連續(xù)波電場(chǎng)測(cè)量系統(tǒng) 主要要技術(shù)指標(biāo)：帶寬范圍從100 kHz到18 GHz，靈敏度達(dá)20 mV/m。

近幾年，硅基集成電路的速度遭遇瓶頸、停滯不前，解決的辦法之一是引入光子學(xué)器件，部分取代電子學(xué)集成電路中的信號(hào)處理和互聯(lián)器件，這就要求光子學(xué)器件具有像電子學(xué)集成那樣的小尺度和三維集成能力，同時(shí)具有和電子學(xué)集成兼容的制備工藝。這些要求使得光電混合集成面臨巨大的挑戰(zhàn)，是一個(gè)世界性的難題。 光學(xué)所張家森教授團(tuán)隊(duì)與信息科學(xué)學(xué)院彭練矛教授團(tuán)隊(duì)合作，提出了基于表面等離激元和碳納米管的三維光電混合集成系統(tǒng)，該系統(tǒng)與現(xiàn)有的COMS制備工藝兼容，可以實(shí)現(xiàn)光子學(xué)和電子學(xué)的三維集成和互聯(lián)，為解決集成電路的速度瓶頸提供了一種方法。他們演示了幾種集成回路，包括在片光操控回路、波長和偏振復(fù)用回路和具有COMS信號(hào)處理電路的集成模塊。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 這種三維集成系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)包括：1. 使用低溫COMS兼容制備工藝，可以在單片集成回路中集成光子學(xué)模塊、電子學(xué)信號(hào)處理系統(tǒng)和存儲(chǔ)系統(tǒng)；2. 利用具有原子厚度的碳納米管材料以及金屬工藝，使得光子學(xué)集成和電子學(xué)集成在材料上兼容；3. 基于表面等離激元使得光子學(xué)器件尺度可以和電子學(xué)器件尺度相近，便于集成；4. 碳納米管的工作波段可以覆蓋整個(gè)通訊波段，這是硅材料無法做到的；5. 光電探測(cè)器工作于光伏模式，可以減小能耗。該工作是首次利用原子厚度材料實(shí)現(xiàn)三維光電混合集成，可以實(shí)現(xiàn)更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同時(shí)，有可能解決電子學(xué)集成回路在速度上的瓶頸。 上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果近期發(fā)表于最新一期《自然 電子學(xué)》雜志。 相關(guān)文獻(xiàn)：Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).

成果描述：針對(duì)微鉆在使用過程中失效的主要形式和原因，納米粉在燒結(jié)成微鉆硬質(zhì)合金的過程中，出現(xiàn)WC晶粒異常長大，帶來性能的明顯降低這個(gè)問題，研究了添加特種晶粒長大抑制劑的作用和燒結(jié)過程優(yōu)化研究。現(xiàn)已能批量生產(chǎn)Ф3.75標(biāo)準(zhǔn)微鉆生產(chǎn)用納米晶硬質(zhì)合金棒材，該棒材強(qiáng)度高、硬度高、壽命長、加工性能好、實(shí)物質(zhì)量水平已達(dá)同類產(chǎn)品（三菱、東芝、SANDVICK）的先進(jìn)水平。市場(chǎng)前景分析：硬質(zhì)合金生產(chǎn)廠家生產(chǎn)納米硬質(zhì)合金制品，特別是為國內(nèi)需求量巨大的高密度印制電路板鉆孔用微鉆的硬質(zhì)合金棒材的生產(chǎn)。 2005年消耗量超過1000萬只的PCB企業(yè)有16家，超過500萬只的企業(yè)近40家。國內(nèi)PCB行業(yè)2005年消耗微鉆總量在4億只以上，采購資金超過40億元，微鉆使用壽命短和鉆機(jī)換刀頻繁已成為制約整個(gè)PCB業(yè)提升利潤空間和產(chǎn)出效率的瓶頸。市場(chǎng)迫切需要鉆孔質(zhì)量好、使用壽命高、價(jià)格適中的PCB微鉆產(chǎn)品。目前國內(nèi)PCB微鉆生產(chǎn)用硬質(zhì)合金棒材每年需求量約200萬公斤，一半以上需要進(jìn)口，需求量巨大。與同類成果相比的優(yōu)勢(shì)分析：橫斷面彎曲強(qiáng)度 /MPa≥3500 硬度/HRA≥92.5 WC晶粒度/μｍ﹤400nm 金相組織為A02B00C00 密度 /g/cm3≥14.4 國內(nèi)領(lǐng)先。

通過對(duì)懸浮劑制備、貯存過程中存在質(zhì)量問題的研究，確定出 優(yōu)化了的懸浮劑穩(wěn)定配方，解決了懸浮劑貯存過程中分層、析水率不合格、奧 氏熟化、結(jié)塊等問題，并通過系統(tǒng)研究懸浮劑穩(wěn)定體系構(gòu)建、探討懸浮劑穩(wěn)定 機(jī)理、加工工藝及影響因素，集成了懸浮劑的研發(fā)應(yīng)用技術(shù)，為農(nóng)藥懸浮劑生 產(chǎn)企業(yè)的產(chǎn)品開發(fā)和推廣應(yīng)用提供指導(dǎo)，從而能夠應(yīng)用于農(nóng)業(yè)的病蟲草害防治 領(lǐng)域。研究成果在配方篩選方法、穩(wěn)定體系構(gòu)建、加工工藝以及藥效研究等方 面取得了多項(xiàng)創(chuàng)新，為開發(fā)新型環(huán)保穩(wěn)定的懸浮劑產(chǎn)品提供了先進(jìn)的指導(dǎo)，必青島農(nóng)業(yè)大學(xué)科技成果介紹 2017 －58－ 將推動(dòng)農(nóng)藥懸浮劑的可持續(xù)發(fā)展。 本項(xiàng)目經(jīng)專家鑒定達(dá)到國際先進(jìn)水平。利用農(nóng)藥懸浮劑穩(wěn)定體系構(gòu)建與集 成應(yīng)用技術(shù)開發(fā)相應(yīng)懸浮劑產(chǎn)品，對(duì)農(nóng)藥制劑行業(yè)的發(fā)展以及綠色農(nóng)業(yè)發(fā)展具 有重要指導(dǎo)意義。 

該項(xiàng)目是精神病學(xué)與精神衛(wèi)生學(xué)臨床、軟件工程和數(shù)據(jù)工程交叉方向，探討臨床研究業(yè)務(wù)過程與數(shù)據(jù)一體化集成平臺(tái)的建設(shè)與實(shí)施，優(yōu)化臨床研究數(shù)據(jù)采集、存儲(chǔ)、交換、可視化和分析決策，為臨床研究提供更科學(xué)更高效的支撐方法與手段。

北京大學(xué)“極端光學(xué)創(chuàng)新研究團(tuán)隊(duì)”發(fā)展了一種高精度的暗場(chǎng)光學(xué)成像定位技術(shù)(位置不確定度僅21 nm)，并結(jié)合電子束套刻工藝，實(shí)現(xiàn)了片上量子點(diǎn)微盤激光器與銀納米線表面等離激元波導(dǎo)的精確、并行、無損集成。這種微盤-銀納米線復(fù)合結(jié)構(gòu)同時(shí)具有介質(zhì)激光器與表面等離激元波導(dǎo)的優(yōu)勢(shì)，因此不僅具有介質(zhì)激光器的低閾值與窄線寬特性，而且具有表面等離激元波導(dǎo)的深亞波長場(chǎng)束縛特性。基于這種靈活、可控的制備方法，他們實(shí)現(xiàn)了片上微盤激光器與表面等離激元波導(dǎo)間多種形式的精確可控集成，包括切向集成、徑向集成以及復(fù)雜集成，并且對(duì)量子點(diǎn)無任何加工損傷；進(jìn)一步，通過同時(shí)集成多個(gè)片上微盤激光器與多個(gè)銀納米線表面等離激元波導(dǎo)，他們獲得了多模、單色單模以及雙色單模的深亞波長(0.008λ2)相干輸出光源。這些高性能的深亞波長相干輸出光源可以容易地耦合并分配至其它深亞波長表面等離激元光子器件和回路中。因此，這種靈活、可控的精確集成方法在高集成密度的光子-表面等離激元復(fù)合光子回路中具有重要應(yīng)用，并且這種方法可以拓展到其它材料和其它功能的微納光子器件集成中，為未來光子芯片的實(shí)現(xiàn)提供了一種可行的解決方案。  該工作于2018年5月發(fā)表在Advanced Materials上(Advanced Materials 2018, 30, 1706546)，并以卷首插畫(Frontispiece)的形式予以重點(diǎn)報(bào)道。文章的第一作者為北京大學(xué)物理學(xué)院博士研究生容科秀，陳建軍研究員為通訊作者。該研究工作得到了國家自然科學(xué)基金委、科技部、人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、量子物質(zhì)科學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心和極端光學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心等的支持。 圖1. 片上膠體量子點(diǎn)微盤激光器與銀納米線表面等離激元波導(dǎo)的精確、并行、無損集成。

本項(xiàng)目是基于復(fù)合礦物材料的改性，通過 CPB（陽離子）和 CSB（兩性）復(fù)合改性方法，取代原有的傳統(tǒng)藥劑，可以在氣浮、生物處理等領(lǐng)域開展應(yīng)用。 技術(shù)指標(biāo)包括： 1）通過 XRD、SEM、BET、FTIR、Zeta 電位等科學(xué)表征方法，驗(yàn)證了改性后藥劑的微觀結(jié)構(gòu)有利于后續(xù)的物化、生物過程； 2）通過 Design Expert 數(shù)據(jù)處理軟件探討改性膨潤土的二次響應(yīng)曲面模型以及優(yōu)化的水平值，建立的污染物指標(biāo)的去除模型； 3）利用響應(yīng)面 Optimal Design 建立數(shù)學(xué)模型，基于響應(yīng)面法(RSM)優(yōu)化復(fù)合改性膨潤土的制備條件和工藝參數(shù)，該改性復(fù)合材料（陰-陽離子、陰-陽-非等表面活性劑、PAC 基質(zhì)交聯(lián)等方式）能實(shí)現(xiàn)市政污水穩(wěn)定提標(biāo)中 COD 保持在30mg/L 以下，黑臭水體治理中 TP 保持在 0.2mg/L 以下，含重金屬廢水的治理 中 Cr 的濃度保持在 1.0mg/L 以下，印染廢水中銻離子實(shí)現(xiàn) 95.2%的去除效果。使用該改性藥劑后，運(yùn)行成本噸水投加藥劑費(fèi)用為 0.5 元，該技術(shù)能解決多種難以處理的廢水。