阻變存儲(chǔ)器集成
已有樣品/n垂直結(jié)構(gòu)的高密度三維交叉陣列,結(jié)合了3D-Xpoint以及3D-NAND兩種架構(gòu)的優(yōu)勢(shì),具有制備工藝簡(jiǎn)單,成本低廉以及集成密度高等優(yōu)點(diǎn)。劉明團(tuán)隊(duì)在前期四層堆疊結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上(IEDM 2015 10.2、VLSI 2016 8.4)實(shí)現(xiàn)了8層結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì),進(jìn)一步驗(yàn)證了RRAM三維結(jié)構(gòu)微縮至5nm以下的可能性。
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12