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東南大學李全團隊在光免疫腫瘤治療方面取得重要研究突破
近日，東南大學智能材料研究院院長、首席科學家、化學化工學院李全團隊在細胞焦亡介導的光動力和光熱協同免疫腫瘤治療方面取得重要突破。
東南大學
2023-07-11
一種同軸送絲熔敷激光頭的光路分光單元
本發明公開了一種同軸送絲熔敷激光頭的光路分光單元，該分 光單元主要包括：準直鏡，前四分光透鏡，后四分光透鏡，聚焦透鏡 和金屬斜平面反射鏡。該單元目的是將準直后的激光束通過兩面相對 位置固定的四分光透鏡按照激光能量，平均分為水平面上中心對稱的 四束光路，分離后的光束通過聚焦透鏡聚焦，經過金屬斜平面反射鏡 聚焦至焦點，光路中空部分嵌入送絲機構，使光路焦點最終聚焦在焊 絲上，實現高精度、高質量、全方向的同軸送絲。
華中科技大學
2021-04-14
一種 IQ 光調制器偏置電壓的控制系統及方法
本發明公開了一種 IQ 光調制器偏置電壓控制系統及方法，該控 制系統包括順次連接的激光光源、偏振控制器、IQ 光調制器、光耦合 器、光電探測器、數據處理模塊，IQ 光調制器的輸出經光耦合器分光 后連接到光電探測器，其輸出與數據處理模塊的輸入相連，數據處理 模塊的三個輸出分別送至 IQ 光調制器的三個子調制器的直流偏置電 壓輸入端口。該控制方法為首先通過測量輸出光功率的最大值及相鄰 最小值，優化子相位調制器的偏壓，然后
華中科技大學
2021-04-14
一種太陽灶聚光式光伏光熱發電綜合利用裝置
（專利號：ZL 201410182973.1） 簡介：本發明公開了一種太陽灶聚光式光伏光熱發電綜合利用裝置，屬于太陽能利用技術領域。本發明的一種太陽灶聚光式光伏光熱發電綜合利用裝置包括光伏光熱溫差發電鍋爐、聚光式太陽灶和太陽灶及鍋爐支架組件，聚光式太陽灶將收集到的太陽光反射給光伏光熱溫差發電鍋爐；頂部光伏發電組件和底部光伏發電集熱器分別位于爐體的頂端和底端，底部光伏發電集熱器與爐體之間還設置有溫差發電片，均用于太陽能光伏發電；爐體底端中心
安徽工業大學
2021-01-12
一種太陽灶式光伏-光熱-溫差發電綜合利用系統
（專利號：ZL 201510044647.9） 簡介：本發明公開了一種太陽灶式光伏?光熱?溫差發電綜合利用系統，屬于太陽能利用領域。本發明的太陽灶式光伏?光熱?溫差發電綜合利用系統，包括光熱采集系統、水路循環系統和雙面集熱器，光熱采集系統中的伸縮桿與置物圈把柄鉸連，通過置物圈把柄與伸縮桿使置物圈與聚光太陽灶的外圓口所在面平行設置；在置物圈上安裝有雙面集熱器，該雙面集熱器由上部光伏組件、中部集熱總成和下部光伏組件組成，且雙面集熱器通過通水管
安徽工業大學
2021-01-12
立體易SCAN-P8全自動結構光3D掃描儀
產品詳細介紹
廣州市網能產品設計有限公司
2021-08-23
一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長方法
專利內容是本發明針對背景技術存在的缺陷，提出了一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長方法，緩解了襯底與薄膜之間的應力產生，得到的單晶石榴石厚膜可作為磁光或微波厚膜應用，該方法制得的磁光厚膜的厚度可達100µm以上。
電子科技大學
2021-02-01
一種糖基/磺化改性親和聚合物中空纖維分離膜、其制備方法及用途
本發明公開一種糖基/磺化改性親和聚合物中空纖維分離膜及其制備方法。該膜由聚合物樹脂、磺化聚合物樹脂和糖類高分子組成，在優選的原料與比例下對LDL有良好的特異性吸附作用，且具有良好的穩定性和生物相容性，可重復使用，成本低廉，有望投入大規模臨床應用。其制備方法包括以下過程:將膜用聚合物樹脂、磺化聚合物樹脂、糖類高分子、致孔劑按一定比例溶于溶劑，制成均一的紡絲制膜液，將紡絲制膜液過濾、真空脫泡后，通過浸沒沉淀相轉化法紡絲制備中空纖維成膜，然后將所制得的中空纖維膜依次在去離子水和超純水充分漂洗。本發明采用的共混溶解制備法具有操作簡便安全、原材料廉價易得等優點。
浙江大學
2021-04-11
高穩定金屬膜電阻器用磁控濺射中高阻靶材及制備技術
成果與項目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數小、耐熱性和穩定性 好等優點，在精密電子設備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來 說，靶材是至關重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數 (TCR)是金屬膜電阻器的一個重要性能技術指標之一，較大的 TCR 在溫度變化時 會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩定性。目前國內外生產的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數量級為千歐, 刻槽后數量級為 兆歐)且穩定(隨時間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜 穩定性高。通過在金屬 C r 中引入半導體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量 的氧來提高薄膜的電阻率, 同時調節電阻溫度系數。 技術指標如下： 溫度沖擊實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實驗后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應用領域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導體微環激光器 3 基光電集成電路 4 無線網絡與應用：協作無線網絡 5 移動通信—LTE 技術
天津大學
2021-04-11
超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法
簡介：本發明提供一種超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術領域。本發明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發明的優點在于:Cr2N層與WC層交替分布實現了Cr-N基膜成分多元化和結構多層化,解決了抗氧化性較強的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時非晶WC層進一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的
安徽工業大學
2021-04-14