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一種基于憶阻的非易失性 D 觸發器電路
本發明公開了一種基于憶阻器的非易失 D 觸發器電路；包括憶阻器 ME、定值電阻 R、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2 和第三反相器 N3 以及將憶阻器與定值電阻串聯構成的分壓電路模塊。主要是利用了憶阻的非易失和阻值隨流經本身的電荷大小改變的特性，實現了觸發器的鎖存以及觸發功能。本發明所構建 D 觸發器不僅具有傳統觸發器的功能，而且具備響應速度快以及非易失性的特點
華中科技大學
2021-04-14
基于憶阻的非易失性存儲器、讀寫擦除操作方法及測試電路
本發明提供了一種基于憶阻的非易失性存儲器及其讀、寫、擦除操作方法以及測試電路；基于憶阻的非易失性存儲器電路包括憶阻存儲單元、選址開關、控制開關以及分壓電路。本電路的設計通過行列地址信號對憶阻存儲單元進行選址，通過外加脈沖信號對讀、寫、擦除操作進行選擇，并提供了基于憶阻的非易失性存儲器的功能測試電路驗證此電路結構的有效性。同時，在此電路結構的基礎上，利用憶阻的非易失性原理，探討了對此基于憶阻的非易失性存儲器電路的
華中科技大學
2021-04-14
東北師范大學在憶阻材料與器件領域取得重要進展
憶阻器具有運行功耗低、讀寫速度快、集成密度高等優勢，在信息存儲、邏輯運算、類腦計算等領域有重要應用，被視為推進信息技術發展的一種變革性技術。
東北師范大學
2022-06-08
一種低阻高通量耐污型水處理膜及其制備方法
項目簡介 本成果處提供一種低阻高通量耐污型水處理膜，以磺化聚醚砜-聚砜/TiO2超濾膜為 模板，以 FeCl2為還原劑，在基膜孔道內原位化學沉積生成 Fe3O4納米粒子，以獲得 Fe3O4/ 磺化聚醚砜-聚砜/TiO2磁性超濾膜，本成果具有阻力小、通量大、耐污染、壽命長等優 點。 產品性能、指標 （1）阻力小，使用 TiO2 與膜材料共混增強膜的親水性，增大膜通量，0.1 MPa 下 水通
江蘇大學
2021-04-14
一種具有氣動減阻效果的耦合仿生非光滑柔性表面貼膜
本發明公開了一種具有氣動減阻效果的耦合仿生非光滑柔性表面貼膜。它包括柔性表面層、粘性液體、貼膜基體。柔性表面層與貼膜基體上均具有凹坑、凸包或溝槽的非光滑結構或者柔性表面層與貼膜基體均呈波浪狀，柔性表面層的邊壁與貼膜基體的邊緣粘結為一體，二者之間形成密閉腔體，粘性液體填充在柔性表面層與貼膜基體之間。該貼膜通過設置仿生非光滑柔性表面，將該貼膜粘貼在汽車、高速列車以及城市地鐵車身表面可以有效降低其氣動阻力。
浙江大學
2021-04-11
一種基于憶阻器的非易失性 SR 觸發器電路
本發明公開了一種基于憶阻器的非易失性 SR 觸發器電路；包括憶阻器 ME、定值電阻 Rd、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS管、第四 MOS 管、第五 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2、第三反相器 N3 以及第四反相器 N4，以及將憶阻器與定值電阻串聯構·721·成的分壓電路讀取模塊。主要是利用了憶阻的非易失和阻值隨流經本身的電荷大小改變的特性，實現了 SR 觸發器的鎖存以及置位和復位功
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器的帶寬可調的濾波電路及其操作方法
本發明公開了一種基于憶阻器的帶寬可調的低通濾波電路及其 操作方法，該電路由包含憶阻器的一階有源低通濾波電路以及憶阻器 的編程電路構成。本發明利用憶阻器的閾值電壓特性，將憶阻器的工 作模式劃分為模擬工作模式和編程工作模式，通過改變憶阻器的阻值 改變濾波電路的帶寬。編程電路由憶阻器、四個 NMOS 管以及四個 PMOS 管構成，一階有源濾波電路則由憶阻器、電容以及運算放大器 構成。本發明還公開了一種基于憶阻器的帶寬可調的
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器的情景記憶電路及其操作方法
本發明公開了一種基于憶阻器的情景記憶電路及其操作方法， 電路包括編碼電路和檢索電路；編碼電路可以根據事件本身及其相關 特征對事件進行編碼并存儲于電路中，通過擦除信號對已存信息進行 擦除，并將產生的記憶痕跡信號作為下級電路的輸入信號；檢索電路 能夠將記憶痕跡信號和檢索信號相互匹配進而產生相應的情景記憶行 為；本發明可以根據施加的相關脈沖操作，模擬生物的情景記憶行為。 完成人：繆向水、許磊、李祎、段念
華中科技大學
2021-04-14
低粗糙度低方阻的柔性透明導電復合薄膜及其制備方法
本發明屬于光電子技術領域，更具體地，涉及一種低粗糙度低 方阻的柔性透明導電復合薄膜，該薄膜為三層復合結構，最底層為透 明聚合物薄膜，中間層為金屬納米線構成的導電網絡，最頂層為均勻 覆蓋在所述透明聚合物薄膜與導電網絡上的透明導電層，該柔性透明 導電復合薄膜的平均粗糙度小于 20 納米，方阻低于 30 歐姆/平方米， 可見光范圍內保持高于 80％的透光率，該透明導電薄膜能夠承受曲率 半徑 2 毫米的彎折。本發明還公開了該
華中科技大學
2021-04-14
基于憶阻器實現計算與存儲融合的處理器及其操作方法
本發明公開了一種基于憶阻器實質蘊涵操作的計算與存儲融合 的處理器及其操作方法；該處理器由多個計算與存儲融合單元 (Computing&、Memory-Unit，CMU)通過通信網絡相連接。本發明 中使用一種能記憶電阻的器件，即憶阻器。在設計電路時，憶阻器的 阻變特性已參與完成相應的計算，并將計算結果用憶阻器的阻態來保 存，省去了傳統計算機系統中將計算結果輸出到存儲器的步驟，實現 計算與存儲的融合。通過通信網絡
華中科技大學
2021-04-14