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PLUTO-F(14.5L)實驗室大容量等離子清洗機
上海沛沅儀器設備有限公司
2022-05-25
一種用于檢測禽白血病病毒J亞群的試劑盒
本發明提供了用于檢測禽白血病病毒J亞群(ALV?J)的試劑盒，屬于RT?PCR檢測技術領域。本發明的試劑盒含有一對特異性引物，其核苷酸序列分別如SEQ ID NO.1?2所示。本發明還提供了檢測禽白血病病毒J亞群的方法。本發明試劑盒和檢測方法具有高特異性、高靈敏度、高效率、通用性好、低成本的特點，可在6.5h內對臨床病料進行快速鑒別診斷，本發明為ALV?J的早期快速診斷和開展分子流行病學調查提供技術手段，以更好地指導養禽生產中對該病的防控。
中國農業大學
2021-04-11
基于銅耗最小的軸向磁場磁通切換容錯電機容錯控制方法
本發明公開了一種基于銅耗最小的軸向磁場磁通切換容錯電機容錯控制方法，使軸向磁場磁通切換容錯電機發生單相斷路故障時能夠運行在容錯狀態，并使電機的銅耗最小化。逆變器采用三相四橋臂容錯拓撲，根據相電流判斷故障狀態。當正常運行時，逆變器工作在三相三橋臂模式下，軸向磁場磁通切換容錯電機控制系統采用ｉｄ＝０的ＳＶＰＷＭ控制策略，分配ｄ軸、ｑ軸電流；當發生單相故障時，進行容錯控制，逆變器工作在兩相三橋臂模式下，并通過控制容錯繞組電流給電機增磁，使電機整體的銅耗最小化。本發明在單相斷路情況下，以銅耗最小為優化目標，
東南大學
2021-04-14
基于水下距離選通成像的水下考察勘探成像觀察儀（產品）
成果簡介：距離選通技術利用脈沖激光器和選通攝像機，脈沖發射和開啟成 像時間的先后分開不同距離上的散射光和目標場景反射光，使被目標場景反射回來的輻射脈沖剛好在攝像機選通開啟時間內到達攝像機并成像。利用激 光距離選通夜視成像技術，研制水下考察勘探成像觀察儀，實現對海洋、湖泊、水庫等的水下觀察、勘探和救援等。實現水下圖像的對比度增強，適合 深水或夜間使用，其觀察距離較裸眼遠 5-7 倍，較傳統攝像裝置遠 2-4 倍。 項
北京理工大學
2021-04-14
一種多氣隙軸向磁通-磁場調制永磁電機
本發明公開了一種多氣隙軸向磁通-磁場調制永磁電機，該永磁 電機包括依次在軸向方式上交錯設置的若干定子和若干轉子.其中永 磁電機的兩端為兩個表貼式永磁轉子，其余轉子為內嵌式永磁轉子； 若干定子結構尺寸相同，雙邊開槽并采用環形繞組，沿圓周方向上相 對于其上一個定子依次偏移半個槽距機械角度。按照本發明實現的多 氣隙軸向磁通-磁場調制永磁電機，能夠在保留了磁場調制電機的優良 性能的基礎上，綜合性地解決了磁場調制電機轉矩密度受限和功率因 數較低的固有問題。
華中科技大學
2021-04-14
一種永磁軸向磁通的半空心脈沖發電機
本發明屬于脈沖發電機領域，并公開了一種永磁軸向磁通的半 空心脈沖發電機。該半空心脈沖發電機包括轉子、定子、轉軸，機殼 和端蓋，轉子包含內、外磁極、永磁體和補償盤，永磁體設置在轉子的內外磁極之間，內外磁極與永磁體配合將徑向磁通轉化為軸向磁通， 補償盤覆蓋在內外磁極的頂端，轉子隨轉軸一同轉動，定子是在繞組 上澆筑非導磁材料而成，且固定在機殼上，轉子采用的導磁材料與定 子的非導磁材料構成半空心結構。通過本發明，使得電機勵磁系統得 以簡化，減小勵磁損耗，提高電機效率，同時無刷結構增大了電機的 可靠性。&nb
華中科技大學
2021-04-14
電掃描雙通光孔徑焦點可擺動液晶微透鏡及其制備方法
本發明公開了一種電掃描雙通光孔徑焦點可擺動液晶微透鏡，·806·包括上玻璃襯底、PI 定向層、上玻璃襯底 ITO 透明上電極、上玻璃襯底 ITO 透明下電極、液晶層、多個玻璃間隔子、下玻璃襯底以及下玻璃襯底 ITO 透明上電極，上玻璃襯底的正反兩面分別鍍有 ITO 透明電極，下玻璃襯底的一面鍍有 ITO 透明電極，上玻璃襯底正反兩面的 ITO透明電極分別都為具有四個呈十字形對稱排列的子電極，上玻璃襯底正
華中科技大學
2021-04-14
開關變換器雙緣恒定導通時間調制電壓型控制方法
本新技術成果來自國家科技計劃項目，現已結題，并獲得國家發明專利授權（ZL201310005129.7），知識產權屬于西南交通大學。該成果公開了一種開關變換器雙緣恒定導通時間調制電壓型控制方法及其裝置，根據輸出電壓與電壓基準值的關系，采用恒定導通、關斷、恒定導通組成的控制時序，或關斷、恒定導通、關斷組成的控制時序，控制開關變換器開關管的導通與關斷。該成果可用于控制Buck變換器、Buck2變換器、Cuk變換器、Zeta變換器等多種拓撲結構的開關變換器，其優點是：無需補償網絡，控制簡單，瞬態響應速度快，穩壓精度高。
西南交通大學
2016-06-27
混合導通機制鰭型柵場效應晶體管器件
本發明提供了一種混合導通機制鰭型柵場效應晶體管器件，包括鰭型柵場效應晶體管、第二源區與第二漏區；鰭型柵場效應晶體管包括襯底、鰭型溝道區、第一源區及第一漏區；第二源區的高度不低于第一源區與第一漏區之間的襯底的高度；第一源區與第一漏區中摻雜有第一離子；第二源區形成于襯底與第一源區之間，第二漏區形成于襯底與第一漏區之間，第二漏區與第二源區中分別摻雜有第一離子與第二離子。該方案解決了鰭型柵場效應晶體管的底部電流泄漏的問題，且通過增設第二源區和第二漏區，相當于在鰭型柵場效應晶體管的底部并聯隧穿場效應晶體管器件結構，可以實現鰭型溝道擴散漂移電流和底部溝道帶帶隧穿電流混合導通，從而獲得更優的超陡開關特性。
復旦大學
2021-01-12
網盒視通原裝正品1分16路VGA分配放大器
產品詳細介紹
深圳市網盒視通技術有限公司
2021-08-23