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本成果功能全面，一機(jī)在手可實(shí)現(xiàn)電路板上常見的各類貼插焊點(diǎn)及QFP、BGA等芯片焊點(diǎn)的質(zhì)量檢測(cè)，確保出廠焊點(diǎn)完美無缺。QFP及貼插焊點(diǎn)可編程掃描檢測(cè)；BGA芯片焊點(diǎn)可實(shí)現(xiàn)紅外成像檢測(cè)，智能篩選，無需逐個(gè)焊點(diǎn)比對(duì)（一塊BGA芯片焊點(diǎn)通常在幾十至幾千個(gè)）。 一、項(xiàng)目分類 顯著效益成果轉(zhuǎn)化 二、成果簡(jiǎn)介 成果依據(jù)熱傳導(dǎo)學(xué)原理，開創(chuàng)性地將紅外無損檢測(cè)技術(shù)應(yīng)用于電路板焊點(diǎn)虛焊檢測(cè)領(lǐng)域，基于先進(jìn)的檢測(cè)原理和方法，本產(chǎn)品可準(zhǔn)確檢測(cè)出以往無論是AOI還是最高端的5aDAXI皆無法判明的焊點(diǎn)內(nèi)部缺陷，且可定性定量。 歷經(jīng)十余年潛心研究，本成果不僅可對(duì)電路板上“可視“（看得見）類焊點(diǎn)（常規(guī)貼插焊點(diǎn)、DIP、QFP芯片等）進(jìn)行檢測(cè)，更一舉突破了非可視（焊點(diǎn)在芯片下面）類BGA芯片焊點(diǎn)的質(zhì)量檢測(cè)難題。 BGA類芯片由于不可替代的先進(jìn)性，正在得到廣泛應(yīng)用，但由于其焊點(diǎn)隱藏于芯片與電路板之間，焊點(diǎn)質(zhì)量檢測(cè)問題也同時(shí)成為電子行業(yè)的痛點(diǎn)。廠家即使擁有價(jià)值幾百萬的3D-5DAXI也只能用來數(shù)焊點(diǎn)里的氣孔，無法確定是否有虛焊（X光適用于檢測(cè)氣孔等體積類缺陷，對(duì)裂紋、虛焊無效）。 本成果功能全面，一機(jī)在手可實(shí)現(xiàn)電路板上常見的各類貼插焊點(diǎn)及QFP、BGA等芯片焊點(diǎn)的質(zhì)量檢測(cè)，確保出廠焊點(diǎn)完美無缺。QFP及貼插焊點(diǎn)可編程掃描檢測(cè)；BGA芯片焊點(diǎn)可實(shí)現(xiàn)紅外成像檢測(cè)，智能篩選，無需逐個(gè)焊點(diǎn)比對(duì)（一塊BGA芯片焊點(diǎn)通常在幾十至幾千個(gè)）。 本成果還有操作簡(jiǎn)單，無需操作者專業(yè)背景，檢測(cè)過程快速安全無輻射，實(shí)現(xiàn)對(duì)產(chǎn)品原位無損檢測(cè)等優(yōu)點(diǎn)。 毫無疑問，本成果可填補(bǔ)市場(chǎng)空白，技術(shù)水平處于國(guó)際領(lǐng)先地位。

本發(fā)明公開了一種基于電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的紅外波束控制芯片。其包括電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列；電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列包括液晶材料層，依次設(shè)置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向?qū)印⒌谝浑姼綦x層、圖形化電極層、第一基片和第一紅外增透膜，以及依次設(shè)置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向?qū)印⒌诙姼綦x層、公共電極層、第二基片和第二紅外增透膜；公共電極層由一層勻質(zhì)導(dǎo)電膜構(gòu)成；圖形化電極層由其上布有 m×n

研究團(tuán)隊(duì)通過設(shè)計(jì)金屬—分布式布拉格反射器優(yōu)化單光子探測(cè)器芯片的光學(xué)性能，完成低本征暗計(jì)數(shù)的單光子探測(cè)器芯片的全自主化設(shè)計(jì)與制備，實(shí)現(xiàn)了單光子探測(cè)器芯片的全國(guó)產(chǎn)化，為解決國(guó)家亟需的前沿科技問題邁進(jìn)了重要一步。

利用等離子體炬高溫、高能量密度、低氧化氣氛等優(yōu)勢(shì)，可在氣 化爐內(nèi)高溫場(chǎng)，將廢棄物中的有機(jī)物質(zhì)完全裂解氣化為可燃合成氣， 無機(jī)物質(zhì)（含重金屬）高溫熔融為玻璃態(tài)物質(zhì)，包封于Si02網(wǎng)狀結(jié)構(gòu) 內(nèi)，冷卻固化后形成耐久低瀝濾的熔巖，達(dá)到減容和無害化效果。等 離子體無害化處理裝備及相關(guān)技術(shù)已被納入《國(guó)家鼓勵(lì)發(fā)展的重大環(huán) 保技術(shù)裝備目錄》。但當(dāng)前對(duì)廢棄物等離子體氣化技術(shù)的研究和應(yīng)用深 度仍有待提升。本課題組基于平衡態(tài)理論，吉布斯

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產(chǎn)品詳細(xì)介紹

針對(duì)國(guó)內(nèi)外低 C/N 城市污水處理中氮磷難以達(dá)標(biāo)及能耗高的技術(shù)難題，本成果經(jīng)過 10 余年的潛心研究與工程實(shí)踐，提出了 1 個(gè)原創(chuàng)理論與方法，突破了 3 項(xiàng)新技術(shù)應(yīng)用的瓶頸，開發(fā)并集成了 4 個(gè)低 C/N 比城市污水脫氮除磷改良工藝及過程控制技術(shù)，共獲得 28 項(xiàng)授權(quán)的發(fā)明專利，發(fā)表論文 100 余篇 (SCI50 余篇 )，出版 2 本專著，獲 2 次全國(guó)優(yōu)秀博士學(xué)位論文提名獎(jiǎng)，2 項(xiàng)國(guó)家級(jí)火炬計(jì)劃項(xiàng)目。本成果為低 C/N 比城市污水連續(xù)流脫氮除磷提供了多角度、全方位的綜合性解決方案，填補(bǔ)了我國(guó)在此項(xiàng)技術(shù)研究領(lǐng)域的空白，形成了具有我國(guó)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的污水脫氮除磷技術(shù)。

簡(jiǎn)介：本發(fā)明提供一種超晶格結(jié)構(gòu)的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調(diào)制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:Cr2N層與WC層交替分布實(shí)現(xiàn)了Cr-N基膜成分多元化和結(jié)構(gòu)多層化,解決了抗氧化性較強(qiáng)的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時(shí)非晶WC層進(jìn)一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的

課題組依據(jù)共價(jià)鍵、靜電吸引力、范德華力三種不同作用力類型，構(gòu)筑了三類TiO 2