超大功率硅基射頻LDMOS晶體管設計技術
大功率射頻LDMOS器件以其線性度好、增益高、輸出功率大、熱穩(wěn)定性好、效率高、寬帶匹配性能好、價格低廉等方面的優(yōu)勢已經(jīng)成為基站、廣播電視發(fā)射機、航空電子、雷達等領域等應用最廣泛的射頻功率器件。 本團隊利用優(yōu)化的法拉第屏蔽罩結(jié)構(gòu)和版圖布局技術,基于國內(nèi)8英吋工藝技術平臺,研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件(圖1),能夠提供完整的RF LDMOS器件的設計與研制方案。目前已制作出頻率0.5GHz,輸出功率>500W,功率增益>18dB、漏極效率>50%的單芯片RF LDMOS 器件;頻率1.2GHz,輸出功率>600W,功率增益>20dB、漏極效率>40%的L波段RF LDMOS 器件;頻率3.1GHz,輸出功率>80W,功率增益>10dB、漏極效率>35%的單芯片S波段RF LDMOS 器件(圖2)。 (a) (b) 圖1 RF LDMOS器件:(a)晶圓顯微照片 (b)封裝器件 a b c 圖2 RF LDMOS器件功率測試曲線:(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
電子科技大學
2021-04-10