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具有超高電子遷移率、合適帶隙、環(huán)境穩(wěn)定和可批量制備特點的全新二維半導體芯片材料（硒氧化鉍，Bi 2 O 2 Se），在場效應晶體管器件、量子輸運和可見光探測方面展現(xiàn)出優(yōu)異性能。由Bi 2 O 2 Se制備成的原型光電探測器件具有很寬的光譜響應(從可見光到1700 nm短波紅外區(qū))，并同時具有很高的靈敏度(在近紅外二區(qū)1200nm處靈敏度高達~65A/W)。 而利用飛秒激光器組建的超快光電流動態(tài)掃描顯示Bi 2 O 2 Se光電探測器具有約1皮秒（10 -12 秒）的本征超快光電流響應時間。化合物由交替堆疊的Bi 2 O 2 和Se層組成，晶體中氧的存在，使其在空氣中具有極佳的穩(wěn)定性，完全可暴露于空氣中存放數(shù)月且保持穩(wěn)定。

超高遷移率層狀Bi2O2Se半導體的電子結構及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高質量的層狀Bi2O2Se半導體單晶塊材，其低溫2 K下霍爾遷移率可高達~2.8*105 cm2/Vs（可與最好的石墨烯和量子阱中二維電子氣遷移率相比），并觀測到顯著的舒布尼科夫-德哈斯量子振蕩。隨后，在超高真空條件下，研究組對所得Bi2O2Se單晶塊材進行原位解理，并利用同步輻射光源角分辨光電子能譜（ARPES）獲得了非電中性層狀Bi2O2Se半導體完整的電子能帶結構信息，測得了電子有效質量（~0.14 m0）、費米速度（~1.69*106 m/s，約光速的1/180）及禁帶寬度（~0.8 eV）等關鍵物理參量。?

木質，共13件，與教材一致。

產(chǎn)品詳細介紹名稱：光纖拉伸-壓電陶瓷環(huán)形壓電陶瓷的特點? 多層共燒一體? 軸向響應頻率大? d31和d33可靠運行? 在力傳感器/發(fā)電機中的廣泛應用? 小的驅動電壓到50 V可以驅動非常高負荷? 溫度范圍：－273°C　～ + 130°C ? 表面絕緣：鍍銀電極，表面無涂層PZT陶瓷材料常數(shù)? d31： -240 picometer(皮米)/Volt(伏)? d33 ：+580 picometer(皮米)/Volt(伏)? 電介質常數(shù)ε：1900? 居里溫度:250°C? 密度: 7.5 g/cm33? 彈性順度s33: 20x10-12 m2/N 單片壓電陶瓷微位移致動器選型表　　　     參　數(shù)型 號 外形尺寸φA×φB×L［mm］  標稱直徑位移Ｌμ［um@300V］ 　無位移推力／最大推力［N@300V］ 剛度［N/um］ 壓電陶瓷     諧振頻率f 0 [kHz] 靜電容量［nF］（±20%）Rps300/20×18/20 φ20×φ18×20 0.5 120 24 44 20Rps300/32×23/25 φ32×φ23×25 0.6 180 30 32.4 7.3Rps300/24×22/26 φ24×φ22×26 0.55 140 30 31.77 26Rps300/20×18/20 φ24xφ22x12.5 0.55 140 30 35 12Rps300/20×18/20 φ21xφ17x20 0.53 120 24 36 9Rps300/20×18/20 φ21.5xφ18x20 0.53 120 24 45 1.4Rps300/20×18/20 φ13xφ11x3 0.34 110 33 45 18Rps300/20×18/20 φ18xφ16x25 0.43 110 25 76 11Rps300/20×18/20 φ18xφ16x7 0.43 110 25 65 10Rps300/20×18/20 φ18xφ15x7 0.43 110 25 66 5.8Rps300/14×12/8 φ14xφ12x8 0.34 80 27 52 16Rps300/20×17/25 φ20xφ17x25 0.52 120 24 54 11Rps300/21×18 /16 φ21xφ18x16 0.54 120 24 66 13Rps300/21.5×18/25 φ21.5xφ18x25 0.54 120 24 64 16Rps300/21.5×18/30 φ21.5xφ18x30 0.54 120 24 12 18Rps300/21.5×18.5/30 φ21.5xφ18.5x30 0.54 120 24 62 16Rps300/21.5×18/30 φ21.5xφ18x30 0.54 120 24 55 15Rps300/26×22/25 φ26xφ22x25 0.58 180 36 33 18Rps300/25×23/5 φ25xφ23x5 0.56 140 28 38 14Rps300/33×29.5/20 φ33xφ29.5x20 0.69 180 30 28 44Rps300/61.5×47/40 φ61.5xφ47x40 0.98 360 36 18 13Rps300/62×48/30 φ62xφ48x30 0.86 370 36 19 9Rps300/82×75/34 φ82xφ75x34 0.98 470 46 11 66Rps300/60×50/40 φ60xφ50x40 0.86 180 17 18 15Rps300/25.5×20/30 φ25.5xφ20x30 0.56 140 81 51 25Rps300/51×41/38 φ51xφ41x38 0.96 290 29 18 15官網(wǎng)：http://rznxkj.com/

鉚接模型：3件/套；有色透明有機玻璃材質；搭鉚、單搭板鉚接、雙搭板鉚接三種類型。焊接模型：3件/套；金屬材質；坡口型式、搭焊、對焊、角焊。粘接模型：3件/套；有色透明有機玻璃材質，搭粘、角粘、單搭板對粘。

本發(fā)明公開了一種基于雙路電壓信號驅控的面陣電控液晶光發(fā)散微柱鏡芯片，包括：液晶散光微柱鏡陣列、第一驅控信號輸入端口、以及第二驅控信號輸入端口，液晶散光微柱鏡陣列為 m×n 元，其中 m、n 均為大于的整數(shù)，液晶散光微柱鏡陣列采用液晶夾層結構，且上下層之間順次設置有第一基片、頂層面電極板、電極間絕緣層、頂層圖案化電極板、第一液晶定向層、液晶層、第二液晶定向層、網(wǎng)孔狀共地電極板、第二基片，頂層面電極板和網(wǎng)孔狀共地電極板分

電力設備輸入電壓不穩(wěn)定，將造成電力設備使用壽命縮短。電力系統(tǒng)電壓 可能偏離額定值，過高的電壓將造成電能損耗加大、效率降低。改變電力變壓 器分接頭的方式進行電壓調(diào)節(jié)是電力部門廣泛采用的調(diào)壓措施。在變壓器有負 荷電流（有載）的條件下，把變壓器某一個電壓的分接頭切換為另一個電壓的 分接頭，且保證切換過程電力用戶不停電，需要使用高技術含量的有載分接開 關來實現(xiàn)。 目前，現(xiàn)有的有載分接開關切換器中的兩個開關都采用先合后開的切換次 序，采用電阻過渡的方式實現(xiàn)兩個開關的無縫切換過程。該方式的缺點是：為 了保證兩個開關先跳后合之間的時間足夠短，以免燒毀電阻，需要復雜的機械 凸輪滑動機構和壓縮儲能機構，操作振動大、噪音大、可靠性差；開關切換過 程有電弧；整體切換時間長（4 秒）；復雜機械機構決定有載分接開關不允許 頻繁切換。