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一種Mg2Ni0.9Co0.1H4基儲氫材料的制備方法
（專利號：ZL 201510578254.6） 簡介：本發(fā)明公開了一種Mg2Ni0.9Co0.1H4基儲氫材料的制備方法，屬于儲氫材料技術(shù)領(lǐng)域。該方法通過濕法球磨得到Ni(Co)固溶體粉末；按母合金Mg2Ni1?xCox(x＝0.1～0.2)的成分，將一定量的固溶體和Mg粉真空燒結(jié)得到母合金，母合金的化學(xué)成分范圍為：Mg的原子百分?jǐn)?shù)為65～70％，Ni+Co占合金剩余百分比，Co在Ni+Co中的原子百分?jǐn)?shù)為10～20％；然后將燒結(jié)合金置于氫化爐中氫化獲得目標(biāo)儲氫材料，其由85～90wt％的Mg2Ni0.9Co0.1H4基體相、6～7wt％的MgH2和4～8wt％的MgNi3Co相組成。該儲氫材料具有高的儲氫容量(大于3.5wt％)、低的起始放氫溫度(220℃)和優(yōu)良的放氫動力學(xué)性能。本發(fā)明制備方法具有工藝簡單、高效、產(chǎn)率高、無污染的顯著特點。
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-04-11
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一種聚 3-己基噻吩/碳納米管復(fù)合材料及制備方法
本發(fā)明公開了一種聚3-己基噻吩/碳納米管復(fù)合材料及制備方法。 所述復(fù)合材料中含有聚3-己基噻吩30wt％至80wt％以及均勻分散的碳 納米管 1wt％至 15wt％，所述碳納米管形貌完整，其直徑在 40nm 至 60nm 之間，其長度在 5μm 至 15μm 之間，所述碳納米管表面包覆有 厚度在 3nm 至 10nm 之間的聚 3-己基噻吩。其制備方法包括以下步驟： (1)將聚 3-己基噻吩和高分子量聚合物均勻分散于有機(jī)溶劑中；(
華中科技大學(xué)
2021-01-12
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生物基葉面肥
成果簡介： 核苷酸是構(gòu)成生物體核酸的成份，除了含有其它葉面肥所有的基本N，P元素外，它還含有一個高能磷酸鍵，可為植物的光合作用提供必須的能量，從而使植物更好地生長。與氨基酸類葉面肥相比較，核苷酸葉面肥使用量每畝僅為50g左右，為氨基酸葉面肥的1/20，而且核苷酸葉面肥具有廣譜性，可廣泛用于水稻、果樹、蔬菜、中草藥、花卉、食用菌以及多種經(jīng)濟(jì)作物的葉面、枝干
南京工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
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硅基拓?fù)涔庾訉W(xué)
研究團(tuán)隊利用能谷-贗自旋耦合原理，在絕緣層硅（SOI，silicon-on-insulator）上制備出能谷光子晶體平板。該拓?fù)涔鈱W(xué)結(jié)構(gòu)具有~40nm的特征尺寸，其光子模式（因工作于光錐以下）能夠較好地局域在平板內(nèi)，抑制了平板外損耗。他們制備了直線形、Z形和Ω形等三種拓?fù)涔鈱W(xué)通道，測量出高透平頂透射光譜帶，證實了近紅外波段下拓?fù)浔Ｗo(hù)的寬帶抗散射傳輸。采用硅微盤技術(shù)產(chǎn)生相位渦旋源，無需低溫和強(qiáng)磁等極端環(huán)境，實現(xiàn)了拓?fù)浣缑鎽B(tài)的選擇性激發(fā)，實現(xiàn)了亞微米量級耦合長度的寬帶光子路由行為，驗證了能谷-贗自旋耦合等拓?fù)涔鈱W(xué)原理。?在硅基平臺上證實拓?fù)涔庾訉W(xué)原理，是目前國際學(xué)術(shù)前沿的聚焦度較高的領(lǐng)域之一。研究團(tuán)隊過去在拓?fù)涔庾訉W(xué)原理方面的工作，多次引起國際同行關(guān)注，論文入選ESI高被引。該工作中，他們深入系統(tǒng)地發(fā)展出硅基拓?fù)涔鈱W(xué)等關(guān)鍵理論，攻克了數(shù)十納米加工工藝等關(guān)鍵技術(shù)，率先在硅基光子平臺與拓?fù)涔庾訉W(xué)之間建立了聯(lián)系，突破了單一自由度調(diào)控的傳統(tǒng)框架，提出了硅基中多自由度耦合的多維調(diào)控新機(jī)制，為微納光學(xué)與光子學(xué)、光二極管等關(guān)鍵光子芯片器件、混合集成光子學(xué)、高保真光量子信息光學(xué)、非線性光學(xué)等領(lǐng)域，提供了新方法和新思路。
中山大學(xué)
2021-04-13
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鐵基形狀記憶合金
鐵基形狀記憶合金是一種新型結(jié)構(gòu)功能材料。自90年代，我校已研究成功幾種Fe-Mn-Si-Cr-Ni系形狀記憶合金，這些合金的屈服強(qiáng)度可達(dá)300～450MPa，完全回復(fù)的形狀記憶應(yīng)變已達(dá)3%，予應(yīng)變?yōu)?%時凈回復(fù)應(yīng)變可達(dá)5%，具有良好的單程形狀記憶效應(yīng)和形狀記憶完全性，合金中Cr、Ni元素的加入兼具有良好的耐腐蝕性。鐵基形狀記憶合金的應(yīng)用如下： 1
西安交通大學(xué)
2021-01-12
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垂直結(jié)構(gòu)?GaN?基?LED
可以量產(chǎn)/n在垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的工藝流程中，其剝離下來的藍(lán)寶石襯底可以回收后重復(fù)利用多次，藍(lán)寶石襯底單芯片和2英寸整片剝離成品率大于95%。目前，垂直結(jié)構(gòu)LED發(fā)光效率可以達(dá)到121.57m/W@350mA隨著技術(shù)的不段進(jìn)步，近幾年最受人們關(guān)注的是固態(tài)通用照明領(lǐng)域的高亮度大功率LED應(yīng)用，然而這種應(yīng)用卻受到藍(lán)寶石異質(zhì)襯底所帶來的一系列技術(shù)問題的限制。除去了藍(lán)寶石襯底的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片具有優(yōu)良的光電熱方面的性能，能滿足固態(tài)通用照明對其性能的要求，采用垂直結(jié)構(gòu)LED方案是固態(tài)通用照明技術(shù)發(fā)展的 必然
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
布基白塑幕
產(chǎn)品詳細(xì)介紹 采用高反射系數(shù)的塑料制成，屬線反射銀幕，幕面潔白均勻，光線反射柔和，視覺不易疲勞，價格低廉，適用于普通電化教學(xué)、電影放映等
江蘇省通州市長江銀幕廠
2021-08-23
奧華液基薄層細(xì)胞制片機(jī)染色機(jī)64通道
主要特點1、微電腦自動控制，中文界面，液晶顯示，觸摸屏操作，簡捷、直觀、方便。全程電腦自動控制，無需人工干預(yù)。2、每張標(biāo)本獨立沉降制片、獨立固定、獨立染色。獨立分化、獨立返藍(lán)、獨立傾倒廢液,標(biāo)本與耗材(一次性移液針筒、沉降倉等)一一對應(yīng)，不交叉使用，不反復(fù)使用，保證單獨制片染色，無標(biāo)本間交叉污染。3、一次性移液針筒抽取染色液、鹽酸酒精，無堵塞管道、腐蝕管道風(fēng)險，染色液無浪費。4、隨著季節(jié)溫度變化，儀器自動檢測溫度并自動調(diào)整染色時間，保證最佳染色效果。(此功能可選擇)5、有效細(xì)胞單層、均勻地平鋪到載玻片圓形區(qū)域上，制成細(xì)胞成分豐富、背景清晰、顏色鮮艷、形態(tài)完整、分布均勻的細(xì)胞涂片。6、上皮細(xì)胞、化生細(xì)胞、頸管細(xì)胞及微生物等清晰，既可直接查癌及癌前病變，也可查炎癥，HPV感染、滴蟲、霉菌等微生物。7、配有凈化排氣裝置，環(huán)保密封罩活性炭過濾，吸附有害氣體，保證儀器內(nèi)外空氣潔凈，保護(hù)操作者健康。8、單次制片染色1-64任意數(shù)值只標(biāo)本；9、巴氏、HE兩種染色方式，一鍵切換。10、婦科、非婦科1、非婦科2三種工作模式，一鍵切換。
孝感奧華醫(yī)療科技有限公司
2025-01-20
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甘氨酸螯合鐵的制備關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)品開發(fā)
成果描述：甘氨酸螯合鐵是一種新型的鐵強(qiáng)化劑，具有穩(wěn)定性適中，吸收率高，生物效價高，雙重營養(yǎng)，安全性高等特點。但是目前我國對氨基酸螯合鐵的研究不深入，合成、檢測技術(shù)不成熟。國內(nèi)用于營養(yǎng)素補(bǔ)充劑的螯合鐵一般是從國外進(jìn)口，成本高，并且無法獲得國外生產(chǎn)廠家的合成及檢測技術(shù)，給生產(chǎn)、加工、貯藏過程中產(chǎn)品的質(zhì)量控制帶來了許多困難。我們研究了甘氨酸螯合鐵的合成工藝。通過單因素和正交實驗，以產(chǎn)物的重量，產(chǎn)物中鐵和亞鐵含量，鐵和亞鐵的得率為指標(biāo)，確定了下面合成條件適宜值：配位比（甘氨酸:：鐵），反應(yīng)物濃度、反應(yīng)溶液，pH值，反應(yīng)溫度，反應(yīng)時間，乙醇用量倍，抗氧化劑（鐵粉）用量。我們對用最優(yōu)工藝制備出的產(chǎn)物進(jìn)行了分析，并與SKP, CMC, Albion, 地奧四家公司的甘氨酸螯合鐵商品進(jìn)行了對比，結(jié)果顯示，自制的甘氨酸螯合鐵的總鐵含量和亞鐵含量基本達(dá)到商品氨基酸螯合鐵的水平，達(dá)到了功能性食品添加劑原料的標(biāo)準(zhǔn)。市場前景分析：保健食品市場。與同類成果相比的優(yōu)勢分析：符合中國衛(wèi)生部關(guān)于保健食品的原料要求，產(chǎn)品的衛(wèi)生指標(biāo)、理化指標(biāo)、功效成分指標(biāo)和安全性指標(biāo)等均符合衛(wèi)生部關(guān)于保健食品的相關(guān)要求。
四川大學(xué)
2021-04-10
一種 MEMS 陀螺儀芯片雙面陽極鍵合工藝
本發(fā)明提出這樣一種陽極鍵合工藝方法：將 MEMS 陀螺儀器件層沉積到臨時高分子襯底上，完成金屬電極沉積和 MEMS 結(jié)構(gòu)刻蝕之后，將臨時高分子襯底用化學(xué)機(jī)械拋光的方法去除。去除之后，將玻璃基體和玻璃蓋帽分別緊貼 MEMS 結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，加電加熱后一次完成雙面陽極鍵合。這種工藝方法與傳統(tǒng)的兩次陽極鍵合分兩步進(jìn)行相比，更加節(jié)省成本，而且避免了第二次陽極鍵合對第一次陽極鍵合強(qiáng)度削弱這個固有缺點，使得產(chǎn)品可靠性提高。
華中科技大學(xué)
2021-04-14