一種具有存儲功能的晶體管器件的應(yīng)用
本發(fā)明涉及一種具有存儲功能的晶體管器件的應(yīng)用,屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。針對現(xiàn)有二維電荷陷阱存儲器中因缺乏合適電荷陷阱介質(zhì)導(dǎo)致的可靠性差及集成度低等問題,本發(fā)明提出采用二維碘化鉛(PbI<subgt;2</subgt;)作為電荷陷阱層,利用其天然存在的碘空位缺陷實(shí)現(xiàn)高效電荷捕獲。所述器件由二維半導(dǎo)體材料(如WSe<subgt;2</subgt;)與PbI<subgt;2</subgt;通過范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)集成,形成柵控存儲單元。該器件具有大存儲窗口、高開關(guān)比、快速寫入速度、多級存儲能力、高久性及長數(shù)據(jù)保持時(shí)間。本發(fā)明為高集成度、低功耗非易失性存儲器提供了創(chuàng)新解決方案。
南京工業(yè)大學(xué)
2021-01-12