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本發(fā)明提供了虛擬發(fā)電廠分布式無功補(bǔ)償系統(tǒng)及補(bǔ)償方法，當(dāng)虛擬發(fā)電廠所屬區(qū)域電網(wǎng)發(fā)生無功缺額時(shí)，電力調(diào)度中心根據(jù)具體的情況，向虛擬發(fā)電廠傳遞一個無功調(diào)節(jié)量，而分布式無功補(bǔ)償器通過利用分布式的優(yōu)化控制策略，將區(qū)域電網(wǎng)的無功缺額在虛擬發(fā)電廠內(nèi)部的分布式電源之間進(jìn)行協(xié)調(diào)，使得無功功率的總額在虛擬發(fā)電廠內(nèi)部各個分布式電源之間協(xié)調(diào)分配，最終使虛擬發(fā)電廠整體滿足電壓性能指標(biāo)達(dá)到最優(yōu)。本發(fā)明能夠在達(dá)到區(qū)域電網(wǎng)調(diào)度中心無功調(diào)節(jié)要求的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)虛擬發(fā)電廠內(nèi)部的電壓性能達(dá)到最優(yōu)。

成果簡介：通過揭示自然界中魚群、鳥群自主編隊(duì)的機(jī)理，研究了多智能體協(xié)同控制理論，并將其應(yīng)用于多無人平臺的協(xié)同控制中。其典型特點(diǎn)是采用分布式信息，沒有全局指揮中心，作戰(zhàn)單元能夠根據(jù)具體作戰(zhàn)任務(wù)靈活編制， 控制器結(jié)構(gòu)簡單，任務(wù)適用面廣。本研究將多智能體一致性控制，勢能場函 數(shù)，分布式估計(jì)器理論相結(jié)合，突破了多無人平臺協(xié)同編隊(duì)控制，拓?fù)溥B通 性保持條件下的協(xié)同控制，協(xié)同編隊(duì)控制等關(guān)鍵技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)無人平臺位置、 朝向、速度等控制參數(shù)的嚴(yán)格一致。 無人化

XM-411人體淺層淋巴和淺靜脈分布模型 ? XM-411人體淺層淋巴和淺靜脈分布模型可拆分為2部件，顯示人體淺淋巴及淺淋巴管的回流、淺靜脈的分布情況。 ■ 右半側(cè)顯示淺層結(jié)構(gòu)： · 頸外淺靜脈及其屬支、上肢的頭靜脈、頸外靜脈和前臂正中靜脈、下肢的大小隱靜脈及其屬支。 · 頸淺淋巴結(jié)、肘淋巴結(jié)、腹股溝淺淋巴結(jié)的分布位置及它們的收集范圍。 ■ 左半側(cè)顯示下列結(jié)構(gòu)： · 頸深淋巴結(jié)和腋淋巴結(jié)的配布以及它們各收集的范圍。 · 顯示人體左半側(cè)的淺層肌肉的位置形態(tài)。 ■ 尺寸：1/2自然大，35×23×82cm ■ 材質(zhì)：玻璃鋼材料

XM-639腦神經(jīng)在頭頸部分布模型（十二對腦神經(jīng)） ? XM-639腦神經(jīng)在頭頸部分布模型（十二對腦神經(jīng)模型）上帶部分顱底，眶的上壁和外側(cè)壁已剖掉，暴露出眼球、眼球外肌和眶內(nèi)神經(jīng)、下頜支及部分顳骨、頸部淺層肌除去暴露出腦神經(jīng)在頸部的分布；顱底內(nèi)面可見十二對腦神經(jīng)出入顱底孔裂的情況，在正中面上，上鼻甲粘膜內(nèi)可見嗅神經(jīng)絲穿篩孔進(jìn)入嗅球，切開鼻腔外側(cè)壁暴露翼腭神經(jīng)節(jié)及其分支；眶內(nèi)顯示眼球、眼球外肌， 動眼神經(jīng)、滑車神經(jīng)、展神經(jīng)、三叉神經(jīng)眼支和睫狀神經(jīng)節(jié)的位置的分布；下頜支及顳骨一部已切去，顯露三叉神經(jīng)的上頜神經(jīng)，下頜神經(jīng)的走行、分支、分布和下頜下神經(jīng)節(jié)；面神經(jīng)在面神經(jīng)管內(nèi)分出巖大淺神經(jīng)和鼓索的情況，舌咽神經(jīng)、迷走神經(jīng)在頸部走行、分布情況，副神經(jīng)支配胸鎖乳突肌和斜方肌，舌下神經(jīng)進(jìn)入舌內(nèi)等情況。 尺寸：放大2倍，42.5×15×40cm 材質(zhì)：PVC材料

XM-D004頭面部自主神經(jīng)分布電動模型 ? XM-D004頭面部自主神經(jīng)分布電動模型顯示頭面部副交感神經(jīng)的傳導(dǎo)路、腦干中的動眼神經(jīng)副核、上泌涎核和下泌涎核，脊髓斷面上的灰質(zhì)側(cè)角等傳導(dǎo)通路。 ? 一、顯示內(nèi)容： ■ 副交感部低級中樞 ■ 動眼神經(jīng)副核 ■ 上泌涎核 ■ 下泌涎核 ■ 脊髓灰質(zhì)側(cè)角 ? 二、技術(shù)參數(shù)： ■ 尺寸：49×23×65cm ■ 材質(zhì)：PVC材料+木框 ? 三、標(biāo)準(zhǔn)配置： ■ XM-D004頭面部自主神經(jīng)分布電動模型：1臺 ■ 電源線：1根 ■ 說明書：1冊 ■ 保修卡合格證：1張

層間轉(zhuǎn)角在層狀堆垛的二維材料體系中提供了一個全新的自由度來調(diào)控其結(jié)構(gòu)與性質(zhì)。近幾年，相關(guān)方面的研究引起了廣泛的關(guān)注。早在2012年，何林課題組就開始關(guān)注轉(zhuǎn)角對雙層石墨烯結(jié)構(gòu)和電學(xué)性質(zhì)的影響，測量了不同轉(zhuǎn)角雙層石墨烯的兩個范霍夫峰的峰間距能量與轉(zhuǎn)角大小的關(guān)系[1]，并預(yù)言該體系中的準(zhǔn)粒子具有可調(diào)控的手征性[2]，研究了應(yīng)變結(jié)構(gòu)在該體系產(chǎn)生的贗磁場和贗朗道能級[3]。2015年，何林團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)雙層轉(zhuǎn)角石墨烯體系費(fèi)米速度隨角度減小而迅速下降，證明在轉(zhuǎn)角為1.1度(第一魔轉(zhuǎn)角)附近時(shí)費(fèi)米速度降為零[4]，并于2017年，在轉(zhuǎn)角接近魔轉(zhuǎn)角的雙層石墨烯體系觀察到強(qiáng)電子-電子相互作用[5]。2018年初MIT的Pablo課題組在魔角雙層石墨烯觀察到電子-電子相互作用導(dǎo)致的關(guān)聯(lián)絕緣體態(tài)和超導(dǎo)態(tài)，魔角雙層石墨烯物性研究迅速成為過去兩年凝聚態(tài)物理研究的最大熱點(diǎn)。 近期，何林課題組發(fā)展了一套方法，能夠可控地制備利于掃描隧道顯微鏡系統(tǒng)（STM）研究的雙層轉(zhuǎn)角石墨烯，并利用STM研究了小角度雙層石墨烯的性質(zhì)，深入探索該體系由于電子-電子相互作用導(dǎo)致的平帶簡并度解除和新奇強(qiáng)關(guān)聯(lián)量子物態(tài)的關(guān)聯(lián)。例如，何林課題組與合作者發(fā)現(xiàn)當(dāng)小轉(zhuǎn)角體系的平帶被部分填充時(shí)，電子-電子相互作用會解除平帶的谷贗自旋簡并度，在體系中產(chǎn)生很大的軌道磁矩（每個莫爾約10μ_B），由于軌道磁矩和磁場的耦合，谷極化態(tài)的劈裂能量會隨著外加磁場線性增大[6]。同樣的結(jié)果也在應(yīng)變引起的平帶中觀察到了，當(dāng)雙層石墨烯的轉(zhuǎn)角接近魔角時(shí)，體系中微小的應(yīng)變結(jié)構(gòu)可以使兩個范霍夫峰之間出現(xiàn)一個新的零能量平帶（贗朗道能級），何林課題組與合作者發(fā)現(xiàn)電子-電子相互作用會解除贗朗道能級的谷贗自旋簡并度，產(chǎn)生軌道磁性態(tài)[7]。這些結(jié)果表明小轉(zhuǎn)角石墨烯體系是研究二維軌道磁性態(tài)和量子反?；魻栃?yīng)的理想平臺。在角度大于魔角的小轉(zhuǎn)角雙層石墨烯中，何林課題組與合作者證明電子-電子相互作用依然會起重要作用，并有可能產(chǎn)生完全不同于魔角雙層石墨烯的新奇強(qiáng)關(guān)聯(lián)量子物態(tài)。例如在1.49度的樣品中，他們證明電子-電子相互作用解除了體系平帶中的自旋和谷贗自旋的簡并度，產(chǎn)生了一種全新的自旋和谷極化的金屬態(tài)[8]，這一結(jié)果進(jìn)一步拓寬了轉(zhuǎn)角體系新奇強(qiáng)關(guān)聯(lián)量子物態(tài)的研究范圍。 除了電學(xué)性質(zhì)受層間轉(zhuǎn)角的調(diào)制，在雙層轉(zhuǎn)角石墨烯體系，由于層間堆垛能與層內(nèi)晶格畸變引起的應(yīng)變能的競爭，其原子結(jié)構(gòu)也會隨著角度發(fā)生改變。最近，何林課題組系統(tǒng)研究了雙層轉(zhuǎn)角石墨烯結(jié)構(gòu)隨著角度的演化，發(fā)現(xiàn)當(dāng)轉(zhuǎn)角大于魔角時(shí)，體系可以看作兩個獨(dú)立的剛性石墨烯層發(fā)生扭轉(zhuǎn)，層內(nèi)晶格畸變幾乎可以忽略（定義為非重構(gòu)結(jié)構(gòu)）；當(dāng)轉(zhuǎn)角小于魔角時(shí)，由于莫爾條紋周期較大，層間堆垛能占主導(dǎo)，從而引起晶格畸變產(chǎn)生堆垛的疇界（domain wall）網(wǎng)格（定義為重構(gòu)結(jié)構(gòu)）。這種疇界的兩邊都是Bernal堆垛的雙層石墨烯（分別為AB堆垛和BA堆垛），能傳輸谷極化的電流（圖一）。我們利用STM證明非重構(gòu)和重構(gòu)的兩種結(jié)構(gòu)在魔角附近都能穩(wěn)定存在。進(jìn)一步，我們發(fā)現(xiàn)利用STM針尖脈沖可對魔角雙層石墨烯的非重構(gòu)和重構(gòu)結(jié)構(gòu)進(jìn)行切換，從而開關(guān)其二維導(dǎo)電拓?fù)渚W(wǎng)格。同時(shí)，我們發(fā)現(xiàn)在強(qiáng)關(guān)聯(lián)效應(yīng)中起到重要作用的魔角雙層石墨烯平帶的帶寬也能在這一過程中被調(diào)控[9]。相關(guān)成果近日刊發(fā)在物理學(xué)期刊《Physical Review Letters》上。何林教授課題組博士生劉亦文為第一作者，美國洛斯阿拉莫斯國家實(shí)驗(yàn)室的蘇贏博士為文章的共同第一作者，何林教授為通訊作者。

層間轉(zhuǎn)角在層狀堆垛的二維材料體系中提供了一個全新的自由度來調(diào)控其結(jié)構(gòu)與性質(zhì)。近幾年，相關(guān)方面的研究引起了廣泛的關(guān)注。早在2012年，何林課題組就開始關(guān)注轉(zhuǎn)角對雙層石墨烯結(jié)構(gòu)和電學(xué)性質(zhì)的影響，測量了不同轉(zhuǎn)角雙層石墨烯的兩個范霍夫峰的峰間距能量與轉(zhuǎn)角大小的關(guān)系[1]，并預(yù)言該體系中的準(zhǔn)粒子具有可調(diào)控的手征性[2]，研究了應(yīng)變結(jié)構(gòu)在該體系產(chǎn)生的贗磁場和贗朗道能級[3]。2015年，何林團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)雙層轉(zhuǎn)角石墨烯體系費(fèi)米速度隨角度減小而迅速下降，證明在轉(zhuǎn)角為1.1度(第一魔轉(zhuǎn)角)附近時(shí)費(fèi)米速度降為零[4]，并于2017年，在轉(zhuǎn)角接近魔轉(zhuǎn)角的雙層石墨烯體系觀察到強(qiáng)電子-電子相互作用[5]。2018年初MIT的Pablo課題組在魔角雙層石墨烯觀察到電子-電子相互作用導(dǎo)致的關(guān)聯(lián)絕緣體態(tài)和超導(dǎo)態(tài)，魔角雙層石墨烯物性研究迅速成為過去兩年凝聚態(tài)物理研究的最大熱點(diǎn)。 近期，何林課題組發(fā)展了一套方法，能夠可控地制備利于掃描隧道顯微鏡系統(tǒng)（STM）研究的雙層轉(zhuǎn)角石墨烯，并利用STM研究了小角度雙層石墨烯的性質(zhì)，深入探索該體系由于電子-電子相互作用導(dǎo)致的平帶簡并度解除和新奇強(qiáng)關(guān)聯(lián)量子物態(tài)的關(guān)聯(lián)。例如，何林課題組與合作者發(fā)現(xiàn)當(dāng)小轉(zhuǎn)角體系的平帶被部分填充時(shí)，電子-電子相互作用會解除平帶的谷贗自旋簡并度，在體系中產(chǎn)生很大的軌道磁矩（每個莫爾約10μ_B），由于軌道磁矩和磁場的耦合，谷極化態(tài)的劈裂能量會隨著外加磁場線性增大[6]。同樣的結(jié)果也在應(yīng)變引起的平帶中觀察到了，當(dāng)雙層石墨烯的轉(zhuǎn)角接近魔角時(shí)，體系中微小的應(yīng)變結(jié)構(gòu)可以使兩個范霍夫峰之間出現(xiàn)一個新的零能量平帶（贗朗道能級），何林課題組與合作者發(fā)現(xiàn)電子-電子相互作用會解除贗朗道能級的谷贗自旋簡并度，產(chǎn)生軌道磁性態(tài)[7]。這些結(jié)果表明小轉(zhuǎn)角石墨烯體系是研究二維軌道磁性態(tài)和量子反?；魻栃?yīng)的理想平臺。在角度大于魔角的小轉(zhuǎn)角雙層石墨烯中，何林課題組與合作者證明電子-電子相互作用依然會起重要作用，并有可能產(chǎn)生完全不同于魔角雙層石墨烯的新奇強(qiáng)關(guān)聯(lián)量子物態(tài)。例如在1.49度的樣品中，他們證明電子-電子相互作用解除了體系平帶中的自旋和谷贗自旋的簡并度，產(chǎn)生了一種全新的自旋和谷極化的金屬態(tài)[8]，這一結(jié)果進(jìn)一步拓寬了轉(zhuǎn)角體系新奇強(qiáng)關(guān)聯(lián)量子物態(tài)的研究范圍。 除了電學(xué)性質(zhì)受層間轉(zhuǎn)角的調(diào)制，在雙層轉(zhuǎn)角石墨烯體系，由于層間堆垛能與層內(nèi)晶格畸變引起的應(yīng)變能的競爭，其原子結(jié)構(gòu)也會隨著角度發(fā)生改變。最近，何林課題組系統(tǒng)研究了雙層轉(zhuǎn)角石墨烯結(jié)構(gòu)隨著角度的演化，發(fā)現(xiàn)當(dāng)轉(zhuǎn)角大于魔角時(shí)，體系可以看作兩個獨(dú)立的剛性石墨烯層發(fā)生扭轉(zhuǎn)，層內(nèi)晶格畸變幾乎可以忽略（定義為非重構(gòu)結(jié)構(gòu)）；當(dāng)轉(zhuǎn)角小于魔角時(shí)，由于莫爾條紋周期較大，層間堆垛能占主導(dǎo)，從而引起晶格畸變產(chǎn)生堆垛的疇界（domain wall）網(wǎng)格（定義為重構(gòu)結(jié)構(gòu)）。這種疇界的兩邊都是Bernal堆垛的雙層石墨烯（分別為AB堆垛和BA堆垛），能傳輸谷極化的電流（圖一）。我們利用STM證明非重構(gòu)和重構(gòu)的兩種結(jié)構(gòu)在魔角附近都能穩(wěn)定存在。進(jìn)一步，我們發(fā)現(xiàn)利用STM針尖脈沖可對魔角雙層石墨烯的非重構(gòu)和重構(gòu)結(jié)構(gòu)進(jìn)行切換，從而開關(guān)其二維導(dǎo)電拓?fù)渚W(wǎng)格。同時(shí)，我們發(fā)現(xiàn)在強(qiáng)關(guān)聯(lián)效應(yīng)中起到重要作用的魔角雙層石墨烯平帶的帶寬也能在這一過程中被調(diào)控[9]。相關(guān)成果近日刊發(fā)在物理學(xué)期刊《Physical Review Letters》上。何林教授課題組博士生劉亦文為第一作者，美國洛斯阿拉莫斯國家實(shí)驗(yàn)室的蘇贏博士為文章的共同第一作者，何林教授為通訊作者。

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)李曉光團(tuán)隊(duì)在前期研究基礎(chǔ)上，基于鐵電隧道結(jié)量子隧穿效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了具有亞納秒信息寫入速度的超快原型存儲器，并可用于構(gòu)建存算一體人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，該成果在線發(fā)表《自然通訊》雜志上。研究人員制備了高質(zhì)量Ag/BaTiO3/Nb:SrTiO3鐵電隧道結(jié)，其中鐵電勢壘層厚為6個單胞（約2.4nm）?；谒淼澜Y(jié)能帶的設(shè)計(jì)，以及其對阻變速度、開關(guān)比、操作電壓的調(diào)控，該原型存儲器信息寫入速度快至600ps（注：機(jī)械硬盤的速度約為1ms, 固態(tài)硬盤的約為1-10ms）、開關(guān)比達(dá)2個數(shù)量級，且其600ps的阻變速度在85℃時(shí)依然穩(wěn)定（工業(yè)測試標(biāo)準(zhǔn)）；寫入電流密度4×103A/cm2，比目前其他新型存儲器低約3個量級；一個存儲單元具有32個非易失阻態(tài)；寫入的信息預(yù)計(jì)可在室溫穩(wěn)定保持約100年；可重復(fù)擦寫次數(shù)達(dá)108-109次，遠(yuǎn)超商用閃存壽命（約105次）。即使在極端高溫（225℃）環(huán)境下仍能進(jìn)行信息的寫入，可實(shí)現(xiàn)高溫緊急情況備用。

在應(yīng)變的InAs/GaInSb量子阱中，量子阱中的應(yīng)力使其能帶發(fā)生改變，從而使得體態(tài)雜化能隙得以增大，這直接導(dǎo)致了邊緣態(tài)電子費(fèi)米速度的增加，因而螺旋邊緣態(tài)中的相互作用效應(yīng)變?nèi)酢?shí)驗(yàn)上測量得到的邊緣態(tài)電導(dǎo)以及其對外加磁場的響應(yīng)清楚地表明該系統(tǒng)中的量子自旋霍爾態(tài)是一種Z2拓?fù)浣^緣體，其性質(zhì)受到時(shí)間反演對稱性的保護(hù)。而且，InAs/GaInSb量子阱中螺旋邊緣態(tài)的相干長度最長可達(dá)10微米以上，遠(yuǎn)大于之前所有有關(guān)量子自旋霍爾態(tài)研究工作中報(bào)道的數(shù)值。另外，螺旋邊緣態(tài)的相干長度還可以被柵極調(diào)節(jié)，這顯示了邊緣態(tài)電導(dǎo)與邊緣態(tài)電子費(fèi)米速度，也即邊緣態(tài)相互作用強(qiáng)度密切相關(guān)。

作為新型的半導(dǎo)體材料，金屬鹵化物鈣鈦礦因其優(yōu)異的光電特性得到了廣泛的關(guān)注，并在太陽能電池、發(fā)光二極管、激光器、光催化、記憶存儲、晶體管等方面得到應(yīng)用。短短四年內(nèi)，鈣鈦礦太陽能電池的轉(zhuǎn)化效率從最初的3.8%提高到22.1%，超越了傳統(tǒng)的非晶硅、染料敏化、有機(jī)太陽能等薄膜電池十年的研究成果，在2013 年鈣鈦礦太陽能電池被Science評為十大科學(xué)進(jìn)展之一。 與鈣鈦礦太陽能電池相比較，發(fā)光二極管的研究進(jìn)展較緩慢。對于鈣鈦礦發(fā)光二極管，目前以薄膜（thin film）報(bào)道為主，對于鈣鈦礦量子點(diǎn)，尤其是有機(jī)陽離子（CH3NH3 （MA）, CH(NH2)2 (FA)）鈣鈦礦，相關(guān)報(bào)道較少。 該團(tuán)隊(duì)通過溶液合成的方法在室溫下得到了有機(jī)-無機(jī)陽離子鈣鈦礦量子點(diǎn)材料FA(1?x)CsxPbBr3，通過優(yōu)化無機(jī)陽離子Cs摻雜濃度，得到了性能優(yōu)異的鈣鈦礦量子點(diǎn)發(fā)光二極管，發(fā)光亮度高達(dá)55005 cd m?2 ，電流效率10.09 cd A?1。