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南京桑力電子設備廠始建于一九九四年。多年來企業形成了一定的規模和實力，是ISO9001:2000質量管理體系認證單位，具有計量器具許可證，是物理化學實驗儀器的專業生產廠家。曾為數百所高校和科研單位提供精良的現代實驗儀器設備。在高校物理化學實驗領域具有一定的知名度和良好的信譽，我廠儀器已成為高校物理化學實驗儀器的首選。 經統計，我廠已與全國三百多所高校物理化學實驗室建立了良好的業務關系。企業始終遵循以質量取勝，以信譽為本，不斷開發新產品，以滿足高校物化實驗的需求。為創建無毒實驗室，改革實驗室環境，提高實驗教學質量，做出了一定的貢獻。本廠愿一如既往地和各大專院校精誠合作，共同開創滿足新世紀需要之高新技術產品。 南京桑力電子設備廠下設物理化學、物理光學和精細化工三個分廠，專業從事計量儀器、物理、化學、光學實驗儀器及成套實驗裝置和精細化工產品的研制、開發和生產。產品暢銷全國各地并出口到日本等國，曾為近千個大專院校、科研檢測機構和企業提供技術精良的電子和化工產品，其主導產品（如：物理化學實驗儀器系列、四氯苯醌中間體等）均在國內同行中占主導地位。 企業具有《制造計量器具許可證》，并在國內同行中率先通過了ISO9001：2000質量管理體系認證。 本企業奉行質量第一、客戶第一、服務第一的經營理念，最大限度地滿足用戶是桑力人永恒不變的主題！！！

創立于2011年，是一家專業的物聯網（IoT）設備和解決方案提供商，主要面向智慧校園、智慧辦公、智慧教室、 智能照明等提供全方面的IoT產品及解決方案。公司通過了ISO9001質量體系認證和ISO14001環境管理體系認證，是集研發、生產及銷售為一 體的高新技術企業。我們基于用戶需求持續創新，在物聯網傳感器、控制器、低功耗物聯模塊、大數據和云計算等幾大領域都進行了長期探 索和不懈積累。憑借在物聯感知、學習、控制等領域的綜合優勢，公司已成為物聯網智能應用產業的主要推動者之一。

山東久力工貿集團有限公司的前身是五蓮縣永久蓄電池廠，始建于2001年，位于五蓮縣于里工業加工集中區，至今已有16年的歷史。2013年，我公司淘汰落后產能，投資15000萬元，建設完成符合國家產業政策的新廠區，新廠區占地72畝，總建筑面積55000平方米，注冊資金10000萬元人民幣，法人韋學忠。集團公司下設三個子公司：日照市金磚磚業有限公司、日照市金力新型墻材有限公司、山東久力工貿集團有限公司，主要產品有燒結頁巖磚、燒結頁巖多孔磚、復合自保溫砌塊等新型建筑材料，以及拉網式起動用鉛酸蓄電池全系列產品      公司經過不斷的資源整合和技術創新、設備改造、與名校合資合作等方式，逐漸發展壯大為一家集研發、生產和銷售為一體的高新技術集團企業。目前公司資產達到了1.8億元，產品實現年產值3億余元，銷售額2.3億元，產銷及市場占有率均名列山東省前茅。       2013年引進意大利的蓄電池沖擴成形、連鑄連軋生產線及世界領先的裝配焊接等生產線，聘請國家蓄電池研究所專家到我集團指導。       2014年企業技術中心被評為省級企業技術中心和省級青年文明號企業。       2015年公司又通過了《鉛酸蓄電池行業規范條件》，成為山東省內兩家啟動蓄電池生產企業之一。       2016年公司又組建了企業動力電池工程研究中心及山東清潔電池工程技術設計中心，以及與山東理工大學合作成立了久力新型電池聯合研發中心。       2017年與錢逸泰院士合作成立院士工作站。       公司的科學發展得到社會各界的認可和贊譽。起動用蓄電池獲“山東名牌產品”榮譽、“慶升”商標獲山東省工商總局認定的“山東省著名商標”。      

江西震力企業服務有限公司成立于2015-09-25，法定代表人為蔣蓉，注冊資本為200萬元人民幣，統一社會信用代碼為91360111MA35FEK550，企業地址位于南昌市北京東路59號南昌工程學院大學科技園A座北304室，所屬行業為科技推廣和應用服務業，經營范圍包含：軟件研發、銷售、技術服務、技術咨詢；計算機系統集成；網絡工程；網頁設計；通信系統開發；自動化工程；企業信息咨詢。

山東力博銳金屬有限公司，成立于2017-10-12，注冊資本為2000萬，法定代表人為蘇杭，經營狀態為開業，工商注冊號為370882200050533，注冊地址為山東省濟寧市兗州區龍橋街道永華新百匯A座11樓1113室，經營范圍包括鍛材、鍛件、圓鋼、軋輥、鋼管、合金鋼、鋼錠、鑄鐵、鐵礦石、鋼坯、不銹鋼、鋼板、鋼材、輸送帶及膠管、工礦設備及配件、建材（不含木材）、化工產品（不含危險化學品）的批發與零售；貨物及技術進出口服務（國家法律法規規定應經審批方可經營或禁止的進出口貨物除外）。

量子隱形傳態是建立遠距離量子網絡的關鍵技術之一。相比二維系統，高維量子網絡具有更高的信道容量、更高的安全性等優點，受到人們的廣泛關注。如何實現高效的高維量子隱形傳態，從而實現高效的高維量子網絡是當前量子信息領域的研究熱點之一。 為了實現高維量子通信，李傳鋒、柳必恒等人從2016年開始采用光子的路徑自由度編碼，解決了路徑比特的相干性問題[PRL 117, 220402 (2016)]，制備出了高保真度的三維糾纏態[PRL 117, 170403(2016)]；解決路徑維度擴展問題，實現了32維量子糾纏態[PRL 125, 080503 (2020)]；解決路徑自由度的傳輸問題，實現了高維量子糾纏態在11公里光纖中的有效傳輸[Optica 7, 738 (2020)]等。研究組從2017年起開始了高維量子隱形傳態的實驗研究。然而理論研究表明，在線性光學體系中，必須采用輔助粒子才能實現高維量子隱形傳態。 為了實現高維量子隱形傳態，研究組首先巧妙的提出了糾纏輔助的方式，利用log2d-1個輔助糾纏光子對就可以高效的實現d維的量子隱形傳態，從而解決了資源消耗問題。然后實驗上利用主動反饋技術實現路徑間的相位鎖定，干涉可見度在45小時內保持在0.98的水平，從而利用六光子系統實現了三維的量子隱形傳態。研究組對三維量子隱形傳態過程做了過程層析，保真度達到0.596，以7個標準差超過了經典極限值1/3，證實了三維量子隱形傳態過程的量子特性。高效的高維量子隱形傳態的實現為構建高效的高維量子網絡打下堅實的基礎。

項目成果/簡介:量子隱形傳態是建立遠距離量子網絡的關鍵技術之一。相比二維系統，高維量子網絡具有更高的信道容量、更高的安全性等優點，受到人們的廣泛關注。如何實現高效的高維量子隱形傳態，從而實現高效的高維量子網絡是當前量子信息領域的研究熱點之一。 為了實現高維量子通信，李傳鋒、柳必恒等人從2016年開始采用光子的路徑自由度編碼，解決了路徑比特的相干性問題[PRL 117, 220402 (2016)]，制備出了高保真度的三維糾纏態[PRL 117, 170403(2016)]；解決路徑維度擴展問題，實現了32維量子糾纏態[PRL 125, 080503 (2020)]；解決路徑自由度的傳輸問題，實現了高維量子糾纏態在11公里光纖中的有效傳輸[Optica 7, 738 (2020)]等。研究組從2017年起開始了高維量子隱形傳態的實驗研究。然而理論研究表明，在線性光學體系中，必須采用輔助粒子才能實現高維量子隱形傳態。 為了實現高維量子隱形傳態，研究組首先巧妙的提出了糾纏輔助的方式，利用log2d-1個輔助糾纏光子對就可以高效的實現d維的量子隱形傳態，從而解決了資源消耗問題。然后實驗上利用主動反饋技術實現路徑間的相位鎖定，干涉可見度在45小時內保持在0.98的水平，從而利用六光子系統實現了三維的量子隱形傳態。研究組對三維量子隱形傳態過程做了過程層析，保真度達到0.596，以7個標準差超過了經典極限值1/3，證實了三維量子隱形傳態過程的量子特性。高效的高維量子隱形傳態的實現為構建高效的高維量子網絡打下堅實的基礎。

項目成果/簡介:福州大學至誠學院孫磊教授為第一作者、物信學院陳恩果副教授為通訊作者、郭太良研究員為第三作者，在材料工程領域國際權威期刊《陶瓷國際》（英文刊名：《Ceramics International》）上發表的題為“Al2O3過渡層優化對ZnO量子點與CuO納米線復合結構的場發射增強作用”（英文題為“Field emission enhancement of composite structure of ZnO quantum dots and CuO nanowires by Al2O3 transition layer optimization”）的論文。 本論文研究ZnO QDs 與傳統一維氧化物CuO納米線（CuO NWs）異質結構，以一維氧化物納米棒為基體為 ZnO QDs 提供良好的定向電荷傳輸，同時 ZnO QDs 的表面改性又能改善基體的場發射性能，提出了詳細的電勢疊加效應和形成機制。鑒于 ZnO QDs 在 CuO NWs 表面呈現孤島狀分布且生長密度低，通過表面改性工程利用原子層沉積(ALD)工藝先在 CuO NWs 基體上沉積 Al2O3 薄膜，均勻的 Al2O3 薄膜為 ZnO QDs 的生長提供了良好的成核表面，同時可以降低基體表面的電子勢壘高度。這種金屬氧化物異質結構在很多應用中都具有重要的意義，特別是由于表面積大大增加，異質結密度提高，具有固有光捕獲效應等優點。研究成果為改善單一納米材料器件的場發射性能提供了有效途徑，也為制備新型結構的場發射器件奠定理論基礎。

北京大學量子材料中心王健研究組在硅襯底上外延生長了高質量超薄晶態鉛膜，與北京大學謝心澄院士、林熙研究員和北京師范大學劉海文研究員合作在極低溫下觀測到反常量子格里菲斯奇異性，并給出理論解釋。這一發現揭示了超導漲落與自旋軌道耦合效應對于量子相變的重要影響，揭示出量子格里菲斯奇異性在二維超導金屬相變中的普適性。 超導-絕緣體與超導-金屬相變是量子相變的經典范例，已有三十余年的研究歷史。所謂量子相變，是指在絕對零度下系統處于量子基態時隨著參數變化而發生的相變。近年來，隨著薄膜和器件制備工藝的提高，二維晶態超導體系逐漸成為了研究量子相變的理想平臺，得到了國際學術界的廣泛關注。王健研究組與謝心澄院士、馬旭村研究員、林熙研究員、薛其坤院士等合作者在前期二維超導的相關研究中發現了超導-金屬相變中的量子格里菲斯奇異性 (Science 350, 542 (2015)), 并被同期perspective評論文章Science 350, 509 (2015)專題報道。隨后被液態柵極技術發明人東京大學Iwasa教授的綜述文章Nature Reviews Materials 2, 16094 (2016)譽為二維晶態超導中三個最重要的主題之一。量子格里菲斯奇異性的研究表明，無序可以定性地改變量子相變的臨界行為，其主要特征是趨于量子臨界點時，二維超導體系的動力學臨界指數發散。 最近，王健研究組通過超高真空分子束外延生長技術在硅襯底上制備出宏觀尺度高質量晶態薄膜，并實現了厚度為亞納米尺度的原子層級可控生長。在此基礎上，王健教授與謝心澄院士、林熙研究員、劉海文研究員等人合作，在4個原子層厚（約1納米）的晶態鉛膜中發現了一種具有反常相邊界的超導-金屬相變，并揭示了其中的反常量子格里菲斯奇異性。根據平均場理論，超導體的上臨界場會隨著溫度降低而逐漸增加。然而，系統的極低溫實驗表明，4個原子層厚的鉛膜的相邊界在低溫下具有非常新奇的反常特性：隨著溫度降低，鉛膜的上臨界場（onset Bc2）在低溫下也逐漸降低。沿著反常相邊界對鉛膜的磁阻曲線進行標度理論分析發現，在趨近于量子臨界點附近臨界指數隨著磁場減小而迅速增大直至發散，該現象與前期實驗中發現的臨界指數隨著磁場增大而發散的行為不同，故稱為反常量子格里菲斯奇異性。考慮到這類二維超導體系具有很強的自旋軌道耦合，研究團隊基于超導漲落理論發展了一套新的唯象理論模型，定量地解釋了這一反常相邊界。在自旋軌道耦合與超導漲落效應的共同作用下，超導-金屬相邊界偏離平均場理論而向外突出，并在反常相邊界處呈現出量子格里菲斯奇異性。這一新奇量子相變的發現，證實了量子格里菲斯奇異性在不同相邊界的超導-金屬相變中具有普適性，并進一步揭示出自旋軌道耦合與超導漲落效應對于超導-金屬相變的影響，為深入理解二維晶態超導體中的量子相變現象提供了一個新的視角。圖1 四個原子層厚晶態鉛膜中的反常量子格里菲斯奇異性。(a) 鉛膜在零磁場下的超導轉變曲線。插圖是輸運測量結構示意圖。(b) 在0到5特斯拉不同外加磁場下鉛膜電阻隨溫度的變化曲線。 (c) 鉛膜在低溫下表現出反常相邊界，與超導漲落唯象理論模型一致。 (d) 臨界指數隨著磁場減小而迅速增大，直至發散，是反常量子格里菲斯奇異性的特征。圖2 反常量子格里菲斯奇異性相圖示意圖。在自旋軌道耦合和超導漲落的作用下，平均場理論的相邊界（藍色虛線）向外突出形成新的相邊界（紅色實線）。當溫度低于T^'時，紅色實線代表反常相邊界。沿著反常相邊界趨于無限隨機量子臨界點B_c^*可以觀測到反常量子格里菲斯奇異性。 該工作于2019年8月12日發表于著名學術期刊《自然?通訊》。(Nature Communications 10, 3633 (2019) DOI: 10.1038/s41467-019-11607-w): https://www.nature.com/articles/s41467-019-11607-w 北京大學王健研究組博雅博士后劉易和研究生王子喬為文章共同第一作者，北京大學王健教授和北京師范大學劉海文研究員是本文的共同通訊作者。其余作者包括謝心澄院士，林熙研究員，以及王健研究組本科生唐鉞、博士生劉超飛、陳澄、邢穎（已畢業）、博士后王慶艷（已出站），和林熙組博士生閃普甲。 該工作得到了國家重點研發計劃、國家自然科學基金、量子物質科學協同創新中心、中科院卓越創新中心、北京市自然科學基金、博士后科學基金、中央高校基本科研基金的支持。

福州大學至誠學院孫磊教授為第一作者、物信學院陳恩果副教授為通訊作者、郭太良研究員為第三作者，在材料工程領域國際權威期刊《陶瓷國際》（英文刊名：《Ceramics International》）上發表的題為“Al2O3過渡層優化對ZnO量子點與CuO納米線復合結構的場發射增強作用”（英文題為“Field emission enhancement of composite structure of ZnO quantum dots and CuO nanowires by Al2O3 transition layer optimization”）的論文。 本論文研究ZnO QDs 與傳統一維氧化物CuO納米線（CuO NWs）異質結構，以一維氧化物納米棒為基體為 ZnO QDs 提供良好的定向電荷傳輸，同時 ZnO QDs 的表面改性又能改善基體的場發射性能，提出了詳細的電勢疊加效應和形成機制。鑒于 ZnO QDs 在 CuO NWs 表面呈現孤島狀分布且生長密度低，通過表面改性工程利用原子層沉積(ALD)工藝先在 CuO NWs 基體上沉積 Al2O3 薄膜，均勻的 Al2O3 薄膜為 ZnO QDs 的生長提供了良好的成核表面，同時可以降低基體表面的電子勢壘高度。這種金屬氧化物異質結構在很多應用中都具有重要的意義，特別是由于表面積大大增加，異質結密度提高，具有固有光捕獲效應等優點。研究成果為改善單一納米材料器件的場發射性能提供了有效途徑，也為制備新型結構的場發射器件奠定理論基礎。