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基于電控液晶紅外發散平面微透鏡的紅外波束控制芯片
本發明公開了一種基于電控液晶紅外發散平面微透鏡的紅外波束控制芯片。其包括電控液晶紅外發散平面微透鏡陣列；電控液晶紅外發散平面微透鏡陣列包括液晶材料層，依次設置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向層、第一電隔離層、圖形化電極層、第一基片和第一紅外增透膜，以及依次設置在液晶材料層下表面的第二液晶初·750·始取向層、第二電隔離層、公共電極層、第二基片和第二紅外增透膜；公共電極層由一層勻質導電膜構成；圖形化電
華中科技大學
2021-04-14
一種用于高密度芯片的倒裝鍵合平臺
本發明公開了一種用于高密度芯片的倒裝鍵合平臺，包括基座、芯片剝離和翻轉單元、XY 向運動單元、多自由度鍵合頭和貼裝臺單元，其中芯片剝離和翻轉單元用于將晶圓盤上的芯片分別執行剝離和翻轉，并將其送至待拾取位置；多自由度鍵合頭以懸臂形式安裝在 XY 向運動單元的支撐導軌上，并具有主動調平和對準功能；貼裝臺單元用于吸附基板并與鍵合頭相配合，由此實現芯片與基板之間的相互定位。此外，為了保證各單元高精度的運動或配合，該倒裝鍵合平臺中還配置有多套視覺定位系統。通過本發明，能夠達到微米級的對準精度，平行調整精度優于
華中科技大學
2021-04-14
一種可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片
本發明公開了一種可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片。包括面陣電控液晶成像微透鏡和面陣光敏探測器，其中，單元電控液晶成像微透鏡用于對目標通過物鏡形成的壓縮光場執行進一步的匯聚式壓縮，通過調變加載在所述面陣電控液晶成像微透鏡上的信號電壓的均方幅值，調變所述單元電控液晶成像微透鏡的光匯聚能力，進而調變由物鏡和所述單元電控液晶成像微透鏡共同確定的目標對焦平面，從而在深度方向上改變能清晰成像的目標圖層，執行成像視場在深度
華中科技大學
2021-04-14
一種倒裝 LED 芯片在線檢測收光測試方法
本發明公開了一種倒裝 LED 芯片在線檢測的收光方法，該收光 測試方法包括如下步驟：待測試芯片被移動至積分球收光口的上方； 設置于積分球下方的積分球升降裝置向上運動，使所積分球的收光口 對準所述待測試的倒裝 LED 芯片的發光側，并且使設置于積分球收光 口處的板片貼緊裝載待測試倒裝 LED 芯片的盤片。按照本發明設計的 收光測試組件，能夠成功地解決倒裝 LED 芯片電機和發光面不同側的 問題，具有高的收光精度，尤其與倒裝 LED 芯片在線檢測裝置配合使 用，能夠顯著提高性能，實現倒裝 LED 芯片的
華中科技大學
2021-04-14
一種雙模復合紅外電控液晶微透鏡陣列芯片
本發明公開了一種雙模復合紅外電控液晶微透鏡陣列芯片，包括：芯片殼體、電控散光液晶微透鏡陣列、以及電控聚光液晶微透鏡陣列，電控散光液晶微透鏡陣列與電控聚光液晶微透鏡陣列級聯耦合構成雙模復合電調架構，電控散光液晶微透鏡陣列與電控聚光液晶微透鏡陣列均設置在芯片殼體內部，二者彼此緊密貼合并與芯片殼體連接，且二者的光軸重合，電控散光液晶微透鏡陣列的光入射面和電控聚光液晶微透鏡陣列的光出射面分別通過芯片殼體頂面和底面的開口
華中科技大學
2021-04-14
關于“外爾半金屬TaAs的不飽和量子磁性”方面的研究成果
這一強磁場下的不飽和磁性與非相對論型的拓撲平庸電子呈現的飽和磁性截然相反，是相對論型的電子所獨具的指針性屬性。 由于各種拓撲電子材料的能帶對于包括自旋軌道耦合以及化學勢在內的各種參數高度敏感，決定電子拓撲性質的能量尺度可能小至毫電子伏特量級，因此通常的譜學測量如角分辨光電子譜等往往無法分辨能帶的細節。而普通的電輸運測量只能表征費米面的貝里曲率，無法區分相對論型的電子能帶是否存在能隙。這項對于拓撲電子材料的磁性研究，結合了理論計算與強磁場下的實驗表征，提出了探測相對論型的電子的一種決定性指針。該工作已在《自然?通訊》上發表 Nature Communications 10, 1028 (2019).Magnetic responses of the non-relativistic and relativistic fermions a, b, c, d: The energy bands of non-relativistic (parabolic-band) fermions; g, i, h, j: The energy bands of -relativistic fermions; e, f: Calculated parallel magnetization (M||) and effective transverse magnetization (MT) of non-relativistic fermions are saturated in strong magnetic field. k, l: Non-saturated M of relativistic fermions.
北京大學
2021-04-11
一種 III-V 族量子點誘導生長鈣鈦礦晶體的方法
本發明公開了一種 III-V 族量子點誘導生長鈣鈦礦晶體的方法， 包括以下步驟：(1)將 III-V 族量子點分散于非極性溶劑中得到量子點溶 液，將無機配體溶解于極性溶劑中得到無機配體分散液，再將量子點 溶液與無機配體分散液混合攪拌，極性溶劑所在層即對應第一前驅體溶液；(2)將 PbX2 與 MAX 均勻分散于極性溶劑中得到第二前驅體溶 液；(3)將第一前驅體溶液與第二前驅體溶液混合后利用反溶劑法生長 晶體，從而在
華中科技大學
2021-04-14
基于 SiCx 織構的硅量子點浮柵非易失性存儲器及其制備方法
本發明公開了一種基于 SiCx 織構的硅量子點浮柵非易失性半導 體存儲器及其制備方法，包括硅襯底，在硅襯底上摻雜形成的源導電 區和漏導電區，以及在源漏之間的載流子溝道上依次生長的隧穿氧化 層、電荷存儲層、控制柵氧化層及金屬柵層；所述電荷存儲層包括 SiCx 織構和橫縱向均勻分布于 SiCx 織構中的硅量子點。本發明有效利用硅 量子點-SiCx 織構間的隧穿勢壘，構成了控制柵氧化層-SiCx 織構-Si 量子點-SiC
華中科技大學
2021-04-14
西湖大學何睿華實驗室發現首個光陰極“量子”材料
近期，西湖大學理學院何睿華課題組連同研究合作者一起，發現了世界首例具有本征相干性的光陰極量子材料，其性能遠超傳統的光陰極材料，且無法為現有理論所解釋，為光陰極研發、應用與基礎理論發展打開了新的天地。
西湖大學
2023-03-10
表征太赫茲量子級聯激光器多模效應的電路建模仿真方法
本發明涉及一種表征太赫茲量子級聯激光器多模效應的電路建模仿真方法，首先建立表征 THzQCL 有源層內部載流子輸運特性的多模速率方程組；接著建立表征ThzQCL內部多模態效應的物理方程模型； 然后通過變量代換和化簡得到相應的等效電路模型；建立表征 THzQCL 輸入端電氣特性的等效電路模型； 建立表征 THzQCL 輸出端光功率特性的等效電路模型；最后建立電路宏模型，包括一個電氣端口和一個 光功率輸出端口，基于電路宏模型進行光電性能仿真和輸出光譜性能測試。本發明可測試溫度對 THzQCL 各種光電性能的影響；可支持實現對 THzQCL 光電性能和輸出多模效應的模擬和仿真。
武漢大學
2021-04-13