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準備了高效紅、綠、藍量子點和納米材料，無機量子點材料在發光、顯示、太陽能 電池、生物醫學領域都有廣泛的應用前景。如下圖為藍光量子點材料的圖譜。 利用制備的 ZnO 納米陣列首次得到了色純度較高的有機復合/無機紫外 LED，實現了室溫下 ZnO 納米棒在 380nm 附近的電致發光。并利用所制備的 ZnO、TiO 量子點和納米材料，實現在太陽能電池領域的應用，提高了有機太陽能電池的效率。

采用可聚合的甲基丙烯酸月桂酯為溶劑，以熱注射法制備鈣鈦礦量子點，直接與低聚物和引發劑混合，通過紫外光聚合原位制備高質量的量子點-高分子復合薄膜。與經典的十八烯體系純化后制備的量子點-高分子復合薄膜相比，甲基丙烯酸月桂酯體系制備的薄膜具有更優異的光學性能，絕對熒光量子產率超過90%，超過了傳統鎘基量子點薄膜。該課題組采用高絕對熒光量子產率的綠光發射的復合薄膜和紅色發射熒光粉（KSF）作為液晶背光中藍光發光二極管（LED）的下轉換熒光材料所制備的原型顯示器件，在國際照明委員會（CIE）1931顏色空間中的色域覆蓋率為115%，超過傳統的鎘基量子點顯示器件10%以上，同時還具有優異的低藍光健康護眼的特性。此外，該顯示器件具有很好的耐高溫高濕和耐強光老化性能。這些為發光量子點材料在新一代廣色域顯示器件中的應用奠定了基礎。

實現了基于線性光學系統的量子有限狀態自動機的研究。該量子自動機使用3個空間狀態，即可解決判定輸入整數是否為某一質數P的整數倍的問題，而使用經典的自動機解決同樣問題至少需要P個空間狀態。該工作首次在實驗上實現了量子自動機的運行并驗證了其相比于經典自動機的空間資源高效性，在該領域具有開創性的作用。

準備了高效紅、綠、藍量子點和納米材料，無機量子點材料在發光、顯示、太陽能電池、生物醫學領域都有廣泛的應用前景。如下圖為藍光量子點材料的圖譜。  納米材料的透射電子顯微鏡圖譜，其中右下角的插圖分別為各自在紫外燈照射下的數碼照片 利用制備的ZnO納米陣列首次得到了色純度較高的有機復合/無機紫外LED，實現了室溫下ZnO納米棒在380nm附近的電致發光。并利用所制備的ZnO、TiO量子點和納米材料，實現在太陽能電池領域的應用，提高了有機太陽能電池的效率。

提出一種基于超構表面透鏡雙焦點輻射的量子點單光子源結構，該結構對位于雙焦點上的量子點和其鏡像的輻射光子能實現方向可控的準直出射，并能同時實現左右旋偏振態的按需調控。為提高光子的收集效率，在結構背部設置有一面反射鏡，反射光子可以等效為量子點鏡像發射的光子。實驗制備該量子光源的最大挑戰在于如何精確地把量子點和其鏡像集成在超構表面透鏡的雙焦點上。王雪華教授團隊通過發展超構表面制備技術和前期研究“三高”量子糾纏光子源【Nature Nanotechnology 14，586（2019）】所發展的定位精度達10納米的熒光成像精確定位技術，實現了量子點和其鏡像與超構表面透鏡雙焦點的精確重合，演示了到目前為此所報道的最小發散角（3.17度）的準直出射，并實現了左、右旋偏振態分離可調且偏振度達88%的按需調控單光子源。該研究工作提供了基于超構表面調控量子光源的新方案，為推進量子光源性能的按需調控和實用化向前邁出了非常重要的一步。

1. 痛點問題 激光雷達技術存在固有缺陷，造成安全隱患與高昂成本。激光雷達技術主要有以下三個缺點： 1）遠距離探測會漏視目標，點云圖觀看舒適度極低。激光雷達使用點掃描方式探測距離，探測距離越遠像點間隔越大，像點之間有漏視問題。激光雷達采用點掃描方式形成點云圖，對人眼而言無法直接辨識目標； 2）激光信號易受干擾，造成嚴重安全隱患；不同激光雷達之間會產生干擾，因為光譜資源有限，這是無法克服的問題； 3）結構復雜、成本高，工業生產難度大。激光雷達使用多線激光提高掃描速度，對生產工藝要求極高。機械轉動產生的磨損會直接影響激光雷達的壽命及電機控制的精度，需要定期調校和維護。 2. 解決方案 清華大學物理系的科研團隊，經過八年的研究，業內首次實現了芯片級的量子關聯成像系統，相關算法和硬件系統獲得了國家發明專利。 量子關聯成像技術能為智能設備安裝“眼睛”，實現成像與3D測繪功能，核心專利是量子物理算法，以低成本實現高精度測繪與成像，有效彌補了激光雷達技術的重大應用缺陷，為獲取高空間分辨率的3D測繪提供了全新的技術手段。 尋求有開發ASIC芯片、硅光芯片和電子器件產品經驗的企業開展業務合作。

產品規格：高度≥1.2m，寬度可根據需要任意選擇（1.2m~4m），整板無拼接。 產品優點： 1.擁有獨家開模大尺寸，可直接替代投影幕布（獨家無邊投影板是投影機最佳拍檔）。投影成像色彩柔和，無光斑，一體化設計，可在投影區域直接手寫或筆寫。 2. 保護學生視力，緩解視覺疲勞，環保書寫最佳方案。采用特殊米黃板面材料，色譜波長在500~700納米之間，科學證明該波段為人眼視網膜最能接受色譜段。 3. 無粉塵性，環保教學，實現100%無塵教學。從而徹底杜絕電子設備因粉塵而導致的使用故障，延長配套電子設備使用壽命。 4. 更適于水墨書寫濕擦教學。板面經過5層靜電噴涂而成，解決了普通黑板親水性，吸附性，摩擦力等問題。 5.板面書寫流暢，耐磨，不打滑。 產品特性：  高質量版面材質，硬度≥9H，光澤度≤16GH，背板采用厚度為0.4mm鍍鋅鋼板。  

光收發芯片是光收發模塊中的集成電路，并不包括激光芯片，是指光纖寬帶網絡物理層的主要基礎芯片，包括跨阻放大器、限幅放大器、激光驅動器三種。它們被用于光纖傳輸的前端，來實現高速傳輸信號的光電、電光轉換，這些功能被集成在光纖收發模塊中。

圍繞自主通用處理器，研發操作系統及其之上的核心 API 軟件，支撐國家信息化建設，并致力于構建區別于 Wintel 和 AA 之外的世界第三套信息化生態體系 。

產品詳細介紹 　　概述： 　　1.0625Gbps至4.25Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅動器高速光收發芯片(EP110) 　　EP110為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅動器，設計用于數據傳輸速率高達8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統以及10.3125Gbps數據傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅動器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環路(APC)控制，該控制環路通過連接至VCSEL驅動器的3線數字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設計提供最佳的背板短接。EP110集成一個微處理器，可以實現SFF8472協議的數字監控接口要求，可通過固件實現高級Rx設置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性)和Tx設置(調制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點調制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP110采用無鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至10.32Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅動器高速光收發芯片(EP112) 　　EP112為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅動器，設計用于數據傳輸速率高達8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統以及10.3125Gbps數據傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅動器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環路(APC)控制，該控制環路通過連接至VCSEL驅動器的3線數字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設計提供最佳的背板短接。EP112集成一個微處理器，可以實現SFF8472協議的數字監控接口要求，可通過固件實現高級Rx設置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性)和Tx設置(調制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點調制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP112采用無鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至14Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅動器高速光收發芯片(EP116) 　　EP116是一款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅動器和微控制器三合一的16G SFP+高集成高速光收發芯片,工作在高達14Gbps的數據速率、非常適合以太網和光纖通道應用。在EP116的發射和接收路徑上集成了CDR功能，解決了大多數高速系統存在的信號失真問題。平均光功率由平均功率控制環路(APC)控制，該控制環路通過連接至VCSEL驅動器的3線數字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設計提供最佳的背板短接。EP116集成一個微處理器，可以實現SFF8472協議的數字監控接口要求，可通過固件實現高級Rx設置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性、去加重)和Tx設置(調制電流、偏置電流、極性、可編程去加重、眼圖交叉點調制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP116采用無鉛、6mm*6mm、48引腳QFN封裝。 　　特點： 　　3.3供電時，功耗僅為500mW 　　工作速率高達10.32Gbps 　　10.32Gbps下，具有5mVp-p接收靈敏度 　　Rx和Tx極性選擇 　　可調節觸發LOS報警電平 　　LOS極性選擇 　　能夠向100歐姆差分負載提供高達12mA的調制電流 　　偏置電流高達19mA 　　Rx輸出可選擇去加重 　　支持SPI EEPROM和IIC EEPROM 　　可調節調制輸出的眼圖交叉點 　　工作溫度: -40度 到 90度