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本發明公開了一種高精度高電源抑制比的帶隙基準源，包括啟 動電路和基準電壓產生模塊；基準電壓產生模塊包括電源抑制比增強 電路、基準電壓產生電路和溫度補償電路；電源抑制比增強電路的第 一輸入端連接至啟動電路的第一輸出端，基準電壓產生電路的第一輸 入端連接至啟動電路的第二輸出端，基準電壓產生電路的第二輸入端 連接至電源抑制比增強電路的第一輸出端；溫度補償電路的第一輸入 端連接至啟動電路的第二輸出端，溫度補償電路的第二輸入端

包括以下步驟：（1）加熱改性瀝青使之軟化融熔，加熱溫度為 100～130℃；（2）將融熔的改性瀝青在室溫中自然稍冷卻 5～10min；（3）將稍冷卻后的改性瀝青攪拌均勻并倒于圓柱形器皿中，瀝青高于器皿口邊緣處；（4）將裝有瀝青試樣的圓柱形器皿水平放置于-25--30℃的環境中，放置時間 3-5h；（5）取出試樣，觀測試樣表面是否平整；（6）將表面平整的試樣器皿在室溫中水平放置 2h，自然脫水后進行圖片拍攝；將表面不平整的試樣器皿用小刀將表面刮平，使之具有良好的平整度，放回-25--30℃的環境中繼續

本發明公開了一種用于無源超高頻 RFID 標簽芯片解調電路， 包括整流電路、取包絡電路、低通濾波電路、均值產生電路、比較器、 整形電路、使能控制電路、偏置電路。整流電路由主級和輔助級構成， 采用閾值補償實現，取包絡電路在使能控制電路控制下提取包絡，低 通濾波電路直接采用 RC 結構，均值產生電路由運算放大器、二極管 和電容構成，利用峰值檢測的原理實現，比較器采用開環的運算放大 器實現，整形電路由兩個級聯的反相器構成，

本實用新型提供了一種地源熱地埋管的防護固定裝置，屬于地源熱地埋管領域，包括U形彎管和推桿；所述U形彎管下側橫管中間位置套有套管，套管對U形彎管起到防護作用；所述套管上側壁左右兩側豎直固接有伸縮棒；所述左側伸縮棒上端固接有套環，左右穿透；所述左側套環橫穿有Y形固定錐桿且Y形固定錐桿的開口向左，正對著U形彎管的豎直管；本實用新型的套管對U形彎管起到防護作用；伸縮棒根據U形彎管所在深井的深度上下收縮調節長度；當左側的Y形固定錐桿滑至最左端時，下滑螺紋長桿，轉入連接塊上的螺紋孔內，固定住伸縮棒的長度，從而通

成果簡介：    將農田排水溝渠進行生態改造后的生態淺溝，是農村空間紋理和環境生態系統中的重要元素，除了擔負農田灌排水任務外，還利用內部土壤、微生物、動植物等形成的生態系統，達到削減農田排水和降雨形成的面源污染的目的。然而，在冬季低溫下由于動植物休眠，微生物數量銳減、活性降低等原因，生態淺溝削減面源污染效果明顯降低，

基于物聯網、大數據、云平臺的社區風險源的評估，日常監控和處置，采用物聯網+運行服務的商業模式。需要相關大數據計算和云平臺技術研究及支撐。

研究太赫茲寬帶無線通信系統中基于小波包變換的正交多載波 調制、峰均比抑制、信道編碼以及利用壓縮感知和凸優化的新型信道 估計等關鍵技術。構建太赫茲寬帶無線通信系統基帶處理實驗平臺， 用 FPGA 硬件驗證具有上述關鍵技術的基帶系統，并對其性能做出評 估。探索出一種更加適合于太赫茲通信系統的新理論和新方法，不僅 為具有全新通信方式和頻譜管理模式的太赫茲無線通信技術提供新 的解決方案，也能為其它寬帶高速無線通信技術提供有效的方法。

本發明提供一種電話通信網絡中節點敏感性排序的方法

研究背景 芯片是人類最偉大的發明之一，也是現代電子信息產業的基礎和核心。小到手機、電腦、數碼相機，大到6G、物聯網、云計算均基于芯片技術的不斷突破。半導體光刻工藝水平的發展是以芯片為核心的電子信息產業的基石，目前半導體光刻的制造工藝幾乎是摩爾定律的物理極限。隨著制造工藝的越來越小，芯片內晶體管單元已經接近分子尺度，半導體制作工藝的“瓶頸效應”越來越明顯。隨著全球化以及科技的高速發展，急劇增長的龐大數據量要求數據處理模型和算法結構不斷優化升級，帶來的結果就是對計算能力和系統功耗的要求不斷提高。而目前智能電子設備大多存在傳輸瓶頸、功耗增加以及計算力瓶頸等現象，已越來越難以滿足大數據時代對計算力與功耗的需求，因此提高運算速度同時降低運算功耗是目前信息工業界面臨的緊要問題。 如當年集成電路開創信息時代一樣，當下已經普及的光通信正在成為新革命力量的開路先鋒。與此同時，光子芯片正在從分立式器件向集成光路演進，光子芯片向小型化、集成化的發展趨勢已是必然。相對于電子驅動的集成電路，光子芯片有超高速率，超低功耗等特點，利用光信號進行數據獲取、傳輸、計算、存儲和顯示的光子芯片，具有非常廣闊的發展空間和巨大的潛能。 項目功能 本項目瞄準光通信關鍵技術及核心芯片，基于量子阱二極管發光探測共存現象，探索關鍵微納制造技術，研制出可以同時實現通信、感知功能的一體化光電子芯片。 技術路線 一、技術原理及可行性 本項目主要負責人王永進教授發現如圖1所示的量子阱二極管發光探測共存現象，首次研制出同質集成發射、傳輸、調制和接收器件的光電子芯片，這些原創工作引起了業界相關科研小組地廣泛關注，化合物半導體同質集成光電子芯片成為研究熱點。香港大學的蔡凱威小組和申請人合作提出濕法刻蝕和激光選擇性剝離技術，在藍寶石氮化物晶圓上實現LED基同質集成光電子芯片(Optica 5, 564-569 (2018))。沙特阿卜杜拉國王科技大學Ooi教授和美國加州大學圣巴巴拉分校Nakamura教授小組在藍寶石氮化物晶圓上，研制出基于氮化物激光器的同質集成光電子芯片(Opt. Express 26, A219(2018))。中科院蘇州納米所孫錢小組在硅襯底氮化物晶圓上，研制出基于氮化物激光器的同質集成光電子芯片(IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 24, 8200305 (2018))。在NRZ-OOK調制方式下，InGaN/GaN量子阱二極管可實現Gbps的光發射、調制和探測速率(Appl. Phys. Express 13, 014001 (2020))。這些工作表明研發基于光子傳輸的化合物半導體同質集成光電子芯片以實現片上光子通信是可行的。   二、總體結構設計及工藝流程 本項目提出的同時通信/感知一體化光電子芯片基于常規的藍寶石襯底氮化鎵基多量子阱LED外延片進行設計，無需特殊定制的外延結構。以典型的2寸氮化鎵基藍光LED外延片為例，其外延片結構如圖2所示，從下至上依次為藍寶石襯底、AlGaN緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、InGaN/GaN多量子阱層和P型GaN層，通過調節InGaN/GaN多量子阱層的參數（層厚度與In的比例等等）可制備具有不同中心波長的光源器件。   圖3為本項目所提出的同時通信/感知一體化光電子芯片結構。在藍寶石襯底的氮化物晶圓上通過刻蝕和沉積等一系列晶圓級微納加工技術，制備出單片集成的InGaN/GaN多量子阱LED和PD。光子芯片的P、N電極可以采用倒裝技術直接與基板相連，光線從透明的藍寶石襯底發出，這樣不僅使得器件具有優良的電性能和熱特性而且簡化了其后期的封裝工藝。 三、技術創新優勢 1、同一塊晶圓上集成LED和PD使得兩者間距離大大縮短，不僅有助于增強PD對藍寶石表面反射光線的耦合，提升感知系統性能，而且縮小了器件整體外形，符合集成電子器件小型化、便攜化的發展趨勢； 2、單片集成的LED和PD器件相比于傳統異質的、分立的LED和PD簡化了封裝形式和工藝，不再需要對LED和PD進行單獨的封裝，而且同質集成器件的基板也較異質結構的簡單統一，極大地縮短了集成系統的制作周期； 3、同時通信/感知一體化光電子芯片采用相同的工藝就可以制作出LED和PD，簡化了生長異質材料的復雜性，縮短了器件流片的周期，使用同一工藝就可將LED和PD進行批量生產，有效地降低了生產成本。 四、實驗驗證 本項目團隊所在的Peter Grünberg研究中心擁有完整的LED器件制備、光電性能測試與電學性能測試平臺，并且項目成員積累了豐富的測試技術與經驗，能夠滿足本項目的同時通信/感知一體化光電子芯片測試同時表征光電參數與電學參數的需求。下圖4所示為器件形貌表征圖，從左邊依次是掃描電鏡圖、光鏡圖、原子力顯微鏡圖。   基于通信感知一體化芯片，本項目利用單個多功能集成器件成功實現了對人體脈搏的監測功能，如圖5所示。   另外基于通信感知一體化氮化鎵光電子芯片，我們還實現了照明、成像和探測功能為一體的LED陣列系統，如圖6所示。該系統可以在點亮照明的同時，實現對外界光信號的探測與感知，通過后端系統處理后，再將信息通過陣列顯示出來，實現多種功能的集成。 項目負責人王永進教授是國家自然基金委優秀青年項目、國家973項目獲得者，他以第一或通訊作者身份在Light-Sci Appl.等主流學術期刊發表一系列高質量研究論文，獲授權中國發明專利23項，美國發明專利2項，被National Science Review、Semiconductor Today等做9次專題報道，榮獲2019年中國電子學會科學技術獎（自然科學）、2019年南京市十大重大原創成果獎等。