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梯狀有機半導體是一類非常重要的半導體材料， 這類半導體具有剛性結構、高共面性及載流子高度離域等特性，從而有利于實現(xiàn)高遷移率的晶體管器件，　因此梯狀有機半導體對材料的基本物理化學性質研究和高性能有機半導體的開發(fā)都具有重要意義。梯狀有機半導體材料通常富有電子，在電子器件中作為p-型半導體使用。由于合成挑戰(zhàn)和同時拉電子基團帶來的空間位阻，缺電子的梯狀n－型有機半導體材料非常稀缺，難以合成，相對于p-型半導體載流子遷移率要低、器件穩(wěn)定性要差。酰亞胺高分子半導體是有機電子領域最為重要的半導體材料之一，由于酰亞胺的強拉電子效應，迄今為止高性能的n-型有機半導體材料通常都帶有酰亞胺或酰胺基團。郭旭崗從博士期間在國際上率先并系統(tǒng)性地研究了各類酰亞胺高分子半導體材料及其在有機場效應晶體管和有機太陽能電池中的應用，并實現(xiàn)了突出的器件性能（Chem. Rev. 2014, 114, 8943-9021）。 雙噻吩酰亞胺是一個重要的梯狀有機半導體構建單體， 前期工作中郭旭崗以雙噻吩酰亞胺為單體成功構建一系列高性能有機半導體材料（Nature Photonics, 2013, 7, 825-833; J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 1405-1418; J. Am. Chem. Soc. 2012, 134, 18427-18439; J. Am. Chem. Soc. 2015, 137, 12565-12579; Adv. Mater. 2012, 24, 2242-2248）。 郭旭崗課題組結合梯狀有機半導體的優(yōu)勢，對雙噻吩酰亞胺進行了拓展，合成了一系列具有可調控共軛長度的梯狀n-型有機半導體材料。這一系列材料具有精確的化學結構、易溶液加工、高共面性、良好的結晶度、可調控的光電性質及半導體能級結構。當用于有機場效應晶體管中實現(xiàn)優(yōu)異的n-型半導體器件性能， 電子遷移率達到0.05 cm2 V-1 s-1。這一系列材料為基礎的物理化學性質研究和高性能的有機半導體開發(fā)提供了良好的平臺。

產(chǎn)品詳細介紹  儀器特點 1、國內體積最小的、容機電及氣氛控制為一體的整體化儀器，減少信號損失，減少干擾。 2、樣品在儀器上方，操作方便。 3、采用熱惰性的小型化加熱爐，從室溫開始就能保證對樣品進行線性升溫，升溫控制采用微機軟件PID算法，比硬件PID控制系統(tǒng)更準確。 4、完善的兩路穩(wěn)壓、穩(wěn)流氣氛制系統(tǒng)，可以在實驗過程中變換氣體種類。 5、智能化軟硬件設計，使測量過程自動完成，并自動繪圖，利用軟件功能可完成DTA常規(guī)數(shù)據(jù)相互里；特殊數(shù)據(jù)處理（DTA 面積及熱焓計算；動力學參數(shù)計算；數(shù)據(jù)比較）。 6、智能化系統(tǒng)采集試樣過程中，根據(jù)輸出信號大小可變換量程。 7、國內唯一可由用戶利用標準試樣進行溫度、差熱各項校正的儀器，減少儀器誤差。 8、USB或串行通訊接口，方便與筆記本電腦連接。 9、自動化控溫軟件功能強大而靈活，用戶界面友好，具有豐富的數(shù)據(jù)分析并能可靈活的進行溫度程序設定。 主要特征 1、數(shù)據(jù)采集過程中差熱基線可利用軟件自動調節(jié)，使視圖效果、分析效果更好。 2、具有差熱基線校正功能。 3、軟件可對溫度分段校正，清除熱電偶誤差。 4、多種算法計算活化能、動力參數(shù)、反應峰面等。 儀器指標 溫度范圍：HCR—1為室溫-—1150℃、HCR—2為室溫—1450℃ 溫度準確度：±0.3℃ 升溫速率：0.1℃/min—80℃/min     之間可任意設定 測量范圍：±10UV—1000uv DTA解析讀：0.005℃ DSC方式數(shù)據(jù)采集分析 DSC測量范圍：1mw—±100Mw DSC解析度：10Uw 真空度（儀器本身有真空密封措施）選配真空機組后可達2.66-2Pa 兩路穩(wěn)壓、穩(wěn)流氣氛控制系統(tǒng)，可以在實驗過程中變換氣體種類 具備差熱基線校正功能 坩堝容積：約為0.06ml

產(chǎn)品詳細介紹  儀器特點 1、國內體積最小的、容機電及氣氛控制為一體的整體化儀器，減少信號損失，減少干擾。 2、樣品在儀器上方，操作方便。 3、采用熱惰性的小型化加熱爐，從室溫開始就能保證對樣品進行線性升溫，升溫控制采用微機軟件PID算法，比硬件PID控制系統(tǒng)更準確。 4、完善的三路穩(wěn)壓、穩(wěn)流氣氛控制系統(tǒng)，可以在實驗過程中變換氣體種類。 5、從微量樣品到大型樣品均可滿足，差動型TG—DTA最大樣品可達200㎎（更換大熱電偶，最大樣品可達5g）），可滿足各種樣品在不同條件下的測試要求。 6、增加氣流調節(jié)裝置，在升溫過程中可使熱浮力引起的表面增重減到最小。 7、智能化軟硬件設計，使測量過程自動完成，并自動繪圖，利用軟件功能可完成DTA常規(guī)數(shù)據(jù)相互里；特殊數(shù)據(jù)處理（DTA 面積及熱焓計算；動力學參數(shù)計算；數(shù)據(jù)比較）。 8、智能化系統(tǒng)采集試樣過程中，根據(jù)輸出信號大小可變換量程。 9、國內唯一可由用戶利用標準試樣進行溫度、差熱各項校正的儀器，減少儀器誤差。 10、USB或串行通訊接口，方便與筆記本電腦連接。 11、自動化控溫軟件功能強大而靈活，用戶界面友好，具有豐富的數(shù)據(jù)分析并能可靈活的進行溫度程序設定。 主要特征 1、在數(shù)據(jù)采集過程中差熱基線可利用軟件自動調節(jié)，使視圖效果、分析效果更好。 2、熱重基線初始位置可以設置調節(jié)。 3、具有差熱、熱重基線校正功能。 4、軟件可對溫度分段校正，清除熱電偶誤差。 5、對于加熱過程中，由于空氣密度變化產(chǎn)生的表現(xiàn)增重可以自動扣除。 6、多種算法計算活化能、動力參數(shù)、反應峰面等。 儀器指標 溫度范圍：HCT—1為室溫-—1150℃、HCT—2為室溫—1450℃ 溫度準確度：±0.1℃ 升溫速率：0.1℃/min—80℃/min     之間可任意設定 天平測量范圍：1㎎—200㎎ 天平靈敏度：0.1ug 測量范圍：±10UV—±1000uv DTA解析讀：0.005℃ DSC方式數(shù)據(jù)采集分析 DSC測量范圍：1mw—±100uw DSC解析度：10Uw 真空度（儀器本身有真空密封措施）選配真空機組后可達2.66-2Pa 兩路穩(wěn)壓、穩(wěn)流氣氛控制系統(tǒng)，可以在實驗過程中變換氣體種類 具備溫度、差熱基線校正功能 坩堝容積：約為0.06ml

產(chǎn)品詳細介紹儀器特點1、結構精巧，簡潔，價格低廉，保留原有差熱儀的測試精度。2、樣品在儀器上方，操作方便。3、采用熱惰性的小型化加熱爐，從室溫開始就能保證對樣品進行線性升溫，升溫控制采用微機軟件PID算法，比硬件PID控制系統(tǒng)更準確。4、智能化軟硬件設計，使測量過程自動完成，并自動繪圖，利用軟件功能可完成DTA常規(guī)數(shù)據(jù)相互里；特殊數(shù)據(jù)處理（DTA 面積及熱焓計算；動力學參數(shù)計算；數(shù)據(jù)比較）。5、智能化系統(tǒng)采集試樣過程中，根據(jù)輸出信號大小可變換量程。6、國內唯一可由用戶利用標準試樣進行溫度、差熱各項校正的儀器，減少儀器誤差。7、USB或串行通訊接口，方便與筆記本電腦連接。8、自動化控溫軟件功能強大而靈活，用戶界面友好，具有豐富的數(shù)據(jù)分析并能可靈活的進行溫度程序設定。主要特征1、數(shù)據(jù)采集過程中差熱基線可利用軟件自動調節(jié)，使視圖效果、分析效果更好。2、具有差熱基線校正功能。3、軟件可對溫度分段校正，清除熱電偶誤差。4、多種算法計算活化能、動力參數(shù)、反應峰面等。儀器指標溫度范圍：JCR—1為室溫-—1150℃、JCR—2為室溫—1450℃溫度準確度：±0.1℃升溫速率：0.1℃/min—80℃/min 之間可任意設定測量范圍：±10UV—±1000uvDTA解析讀：0.01℃DSC方式數(shù)據(jù)采集分析DSC測量范圍：1mw—±100MwDSC解析度：10Uw具備差熱基線校正功能坩堝容積：約為0.06ml 

在梯形雙噻吩酰亞胺小分子的基礎上，設計并成功合成了一系列具有半梯形結構的全受體類型均聚物PBTIn（n = 1-5），并深入研究了這些材料的構性關系。實驗表明，均聚物的聚合方法選擇至關重要，通過Stille和Yamamoto偶聯(lián)方法對比發(fā)現(xiàn)，Stille聚合能夠得到高分子量、低缺陷態(tài)、高性能的高分子半導體；采用全受體結構能夠有效拉低前沿軌道能級，基于這些均聚物材料的有機薄膜晶體管都表現(xiàn)出良好的單極性n-型性能，晶體管器件的關電流僅為10 ?9 -10 ?10 A，電流開關比高達10 6 ；晶體管遷移率性能與構建單元長度反向關聯(lián)，PBTI1的最高電子遷移率為3.71 cm 2  V -1  s -1 ，該遷移率是全受體均聚物材料中的最高紀錄，比PBTI5的電子遷移率高出兩個數(shù)量級。? 通過深入表征發(fā)現(xiàn)，這一系列全受體類型均聚物表現(xiàn)出來的晶體管遷移率趨勢與其半導體薄膜結構有序度直接相關。拉曼光譜表明，梯形構建單元共軛長度的增加帶來較大的單體間扭轉角，影響聚合物骨架的平面性。同步輻射X射線衍射表明，梯形構建單元的增長使得聚合物薄膜中π-π堆積方向的結晶性降低，不利于電子的分子間傳輸。這些結果表示，較長的單體結構會對聚合物薄膜形貌和載流子傳輸造成負面影響，因此發(fā)展更長的梯形構建單元對全受體類型均聚物遷移率的提升不會帶來幫助。該研究表明全受體結構是實現(xiàn)高性能單極性n-型聚合物材料的有效途徑，同時為n-型梯形小分子和聚合物的結構設計和發(fā)展提供重要參考依據(jù)。

產(chǎn)品詳細介紹  產(chǎn)品用途 差示掃描量熱法（DSC）作為一種可控程序溫度下的熱效應的經(jīng)典熱分析方法，在當今各類材料與化學領域的研究開發(fā)、工藝優(yōu)化、質檢質控與失效分析等各種場合早已得到了廣泛的應用。利用 DSC 方法，我們能夠研究無機材料的相轉變，高分子材料熔融與結晶過程，藥物的多晶型現(xiàn)象，油脂等食品的固/液相比例等。 儀器特點 北京恒久科學儀器廠最新開發(fā)了新型差示掃描量熱儀 DSC-100，在儀器的結構設計與靈活性方面又有新的突破。基線校正功能使得測試具有更好的重復性，特別適合于比熱的精確測量。該儀器有三種不同的冷卻方式。半導體冷卻系統(tǒng)能夠覆蓋從 -55℃至 700℃的測量溫度范圍。液氮冷卻系統(tǒng)（LN2）擁有更寬的溫度范圍，從 -150℃直至 700℃。集成化的電子流量控制系統(tǒng)，確保了在不同的吹掃與保護氣氛下的精確的流量控制。 儀器指標 溫度范圍：-150 ～ 700℃ 升降溫速率：0.1 ～ 100K/min 之間可任意設定 溫度準確度：±0.01℃ 功率測量范圍：±100μW 最小分辨率：±0.01μW 功率準確度：±0.02μW 智能的可自由選擇的基線修正。 氣體密閉設計。 兩路吹掃氣體與一路保護氣體，使用集成的質量流量控制系統(tǒng)及相應軟件功能進行精確的流量設定與控制。 半導體冷卻（可選）功能得到極大改進，現(xiàn)溫度范圍 700℃ ... -55℃。 快速可控液氮冷卻系統(tǒng)（可選），冷卻范圍700 ... -150℃。

設計并成功合成了兩種新型噻唑酰亞胺缺電子受體單元,并在其基礎上得到全受體類型均聚物PDTzTI（圖1a）。單晶XRD分析表明，DTzTI單體中存在S…N非共價鍵相互作用因而平面性較好，單體間的π堆積也非常緊密，非常適合構建全受體聚合物。噻唑酰亞胺的強拉電子能力也使得聚合物的前沿軌道能級較低，有利于晶體管中電子注入并提升器件穩(wěn)定性，同時抑制空穴注入和降低器件關電流。基于PDTzTI的有機薄膜晶體管器件表現(xiàn)出優(yōu)異的單極性n-型輸運性能（圖1b）。晶體管電子遷移率達到1.6 cm 2  V -1  s -1 ，關電流僅為10 ?10 -10 ?11 A，因而電流開關比高達10 7 -10 8 。該遷移率是全受體均聚物材料中的最高紀錄，同時在晶體管關電流和開關比性能上顯著優(yōu)于常見給體-受體共聚物材料，表明全受體結構是實現(xiàn)單極性n-型聚合物材料的有效途徑,為新型受體單元和單極性n-型材料的設計提供重要參考依據(jù)。

產(chǎn)品詳細介紹電源：使用9V電池產(chǎn)品重量：742g (26.1oz)產(chǎn)品尺寸: 9.5cm * 3.5cm * 29.8cm外包裝尺寸 26.7 * 14.3 * 6.8cm外包裝重量: 782g響應頻率：20 bis 20.000 Hz (+/- 0.5 dB)信噪比：82 dB @ 1 Khz, bei -30dBuTHD：低於0.03％@ 1千赫，-36dBu擴大範圍：max. +15dB接通電源XLR輸入：48V bei max. 14 mA支援手機的最大/最小寬度：58~90mm支援iOS and Android的智慧型手機，也可用於有3.5mm插孔的相機上使用Saramonic SmartMixer 1臺，3.5mm插入式電容麥克風 2個，鋁合金手把(海綿握柄) 1隻，鋁合金手機夾座(可調大小) 1個，1/4″螺絲轉熱靴底座，mini-XLR to standard-XLR cable included連結線 1條，3.5mm-3.5mm插頭連結線 2條

差示掃描量熱儀是一種測量參比端與樣品端的熱流差與溫度參數(shù)關系的熱分析儀器，主要應用于測量物質加熱或冷卻過程中的各種特征參數(shù)：玻璃化轉變溫度Tg、氧化誘導期OIT、熔融溫度、結晶溫度、比熱容及熱焓等。

該工作提出了小分子受體的全新設計思路，以多環(huán)芳烴為核心，極大地縮短了光伏材料合成步驟，為發(fā)展高效、低成本的有機太陽能電池提供了新的材料體系。