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基于超材料的肖特基型毫米波多譜信號探測器和制備方法
本發(fā)明公開了一種基于超材料的肖特基型毫米波多譜信號探測器，包括自下而上依次設(shè)置的襯底層、N 型砷化鎵層、二氧化硅層與超材料層、歐姆電極和肖特基電極；其中超材料層為具有周期性微納米結(jié)構(gòu)的金屬開環(huán)共振單元陣列，所述金屬開環(huán)共振單元陣列包含了多種圖形及其特征尺寸參數(shù)，每個圖形對于特定電磁波具有完全吸收特性，通過改變金屬開環(huán)共振單元的結(jié)構(gòu)和尺寸參數(shù)可以調(diào)控對應(yīng)的電磁波吸收頻段，通過改變 N 型砷化鎵的耗盡層寬度可以調(diào)控超材料
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種深孔加工用超細(xì)硬質(zhì)合金刀具材料的制備方法
本發(fā)明公開了一種深孔加工用超細(xì)硬質(zhì)合金刀具材料的制備方法，其特征是采用VC-Co飽和固溶體為粘結(jié)相，并通過超聲分散和pH值調(diào)節(jié)使表面包覆吐溫80分子膜；采用（WC，VC）二元復(fù)合粉末實現(xiàn)VC對WC晶界面遷移抑制；控制用于提高紅硬性的(W，Ta)C粉末的重量*平均粒度=（WC，VC）粉末的重量*平均粒度，使二者顆粒數(shù)匹配。
四川大學(xué)
2017-12-28
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半導(dǎo)體設(shè)備超潔凈流控系統(tǒng)及其受制約流控零部件
浙江大學(xué)聚焦超潔凈流控系統(tǒng)基礎(chǔ)研究、技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)品研發(fā)，攻克了影響光刻分辨率、良品率與產(chǎn)率的1mk級溫度測控、5ppt級金屬離子測控、20μm級氣泡測控、50nm級殘留液膜測控等關(guān)鍵核心技術(shù)
一、項目分類
關(guān)鍵核心技術(shù)突破
二、技術(shù)分析
如何通過超潔凈流控技術(shù)降低流控污染，減少曝光缺陷，提升曝光良率，是國產(chǎn)高端半導(dǎo)體制造裝備研制面臨的重大挑戰(zhàn)，直接關(guān)乎整機產(chǎn)品的產(chǎn)線應(yīng)用性能與市場競爭力。此外，作為各類半導(dǎo)體制造裝備的共性核心零部件，超潔凈流控部件市場被美國、日本等國壟斷，使我國半導(dǎo)體制造裝備產(chǎn)業(yè)面臨核心零部件“卡脖子”風(fēng)險。浙江大學(xué)流體動力與機電系統(tǒng)國家重點實驗室啟爾團隊所承擔(dān)的高端半導(dǎo)體制造裝備核心分系統(tǒng)之一的超潔凈流控系統(tǒng)，自2004年以來在國家863計劃和國家02專項支持，聚焦超潔凈流控系統(tǒng)基礎(chǔ)研究、技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)品研發(fā)，攻克了影響光刻分辨率、良品率與產(chǎn)率的1mk級溫度測控、5ppt級金屬離子測控、20μm級氣泡測控、50nm級殘留液膜測控等關(guān)鍵核心技術(shù)，完成了超潔凈流控系統(tǒng)九大組件的研制和集成測試，為半導(dǎo)體制造設(shè)備掃描速度與產(chǎn)能的提高提供基礎(chǔ)理論與方法依據(jù)，同時自主研發(fā)的半導(dǎo)體機臺核心超潔凈流控零部件實現(xiàn)了產(chǎn)品化，突破了國外技術(shù)的封鎖，為我國半導(dǎo)體制造的發(fā)展與自主創(chuàng)新提供了基礎(chǔ)支撐。
浙江大學(xué)
2022-07-22
適用于具有功能梯度及拉脹屬性的超材料的拓?fù)鋬?yōu)化方法
本發(fā)明屬于超材料設(shè)計相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其公開了一種適用于具 有功能梯度及拉脹屬性的超材料的拓?fù)鋬?yōu)化方法，其包括以下步驟: (1)采用加權(quán)法建立每層的、同時考慮微觀結(jié)構(gòu)拉脹屬性及宏觀結(jié)構(gòu)剛 度屬性的多目標(biāo)優(yōu)化模型;(2)控制所述超材料結(jié)構(gòu)整體在一個方向上 的拉脹屬性及剛度屬性呈梯度形式分布;(3)計算每層設(shè)計域上的微觀 位移、宏觀位移、以及每層微結(jié)構(gòu)的等效彈性屬性;(4)基于計算獲得 的敏度，采用優(yōu)化準(zhǔn)則法更新設(shè)計變量，進(jìn)而判斷所述目標(biāo)函數(shù)是否 收斂。上述拓?fù)鋬?yōu)化方法采用加權(quán)法建立同時考慮微觀結(jié)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長方法
專利內(nèi)容是本發(fā)明針對背景技術(shù)存在的缺陷，提出了一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長方法，緩解了襯底與薄膜之間的應(yīng)力產(chǎn)生，得到的單晶石榴石厚膜可作為磁光或微波厚膜應(yīng)用，該方法制得的磁光厚膜的厚度可達(dá)100µm以上。
電子科技大學(xué)
2021-02-01
一種糖基/磺化改性親和聚合物中空纖維分離膜、其制備方法及用途
本發(fā)明公開一種糖基/磺化改性親和聚合物中空纖維分離膜及其制備方法。該膜由聚合物樹脂、磺化聚合物樹脂和糖類高分子組成，在優(yōu)選的原料與比例下對LDL有良好的特異性吸附作用，且具有良好的穩(wěn)定性和生物相容性，可重復(fù)使用，成本低廉，有望投入大規(guī)模臨床應(yīng)用。其制備方法包括以下過程:將膜用聚合物樹脂、磺化聚合物樹脂、糖類高分子、致孔劑按一定比例溶于溶劑，制成均一的紡絲制膜液，將紡絲制膜液過濾、真空脫泡后，通過浸沒沉淀相轉(zhuǎn)化法紡絲制備中空纖維成膜，然后將所制得的中空纖維膜依次在去離子水和超純水充分漂洗。本發(fā)明采用的共混溶解制備法具有操作簡便安全、原材料廉價易得等優(yōu)點。
浙江大學(xué)
2021-04-11
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高穩(wěn)定金屬膜電阻器用磁控濺射中高阻靶材及制備技術(shù)
成果與項目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數(shù)小、耐熱性和穩(wěn)定性 好等優(yōu)點，在精密電子設(shè)備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來 說，靶材是至關(guān)重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數(shù)（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(shù) (TCR)是金屬膜電阻器的一個重要性能技術(shù)指標(biāo)之一，較大的 TCR 在溫度變化時 會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩(wěn)定性。目前國內(nèi)外生產(chǎn)的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術(shù)原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數(shù)小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數(shù)量級為千歐, 刻槽后數(shù)量級為 兆歐)且穩(wěn)定(隨時間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜 穩(wěn)定性高。通過在金屬 C r 中引入半導(dǎo)體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量 的氧來提高薄膜的電阻率, 同時調(diào)節(jié)電阻溫度系數(shù)。 技術(shù)指標(biāo)如下： 溫度沖擊實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實驗后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數(shù) TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應(yīng)用領(lǐng)域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導(dǎo)體微環(huán)激光器 3 基光電集成電路 4 無線網(wǎng)絡(luò)與應(yīng)用：協(xié)作無線網(wǎng)絡(luò) 5 移動通信—LTE 技術(shù)
天津大學(xué)
2021-04-11
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復(fù)極式離子膜電解槽極網(wǎng)自動化激光焊接成套技術(shù)裝備
北京工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
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低能耗低污染膜/生物反應(yīng)器（MBR） 污水處理技術(shù)與設(shè)備
技術(shù)特點及優(yōu)勢 1、對現(xiàn)有的用于污水處理的膜進(jìn)行改性，提高膜通量，減小跨膜壓力。膜通量較現(xiàn)有膜提高2倍以上，跨膜壓力只有1米左右水柱。 2、突破了以往MBR膜都是與泥水直接接觸的固有形式，對MBR結(jié)構(gòu)進(jìn)行了改進(jìn)，減少膜與污泥、胞外聚合物（EPS）等膜污染關(guān)鍵物質(zhì)的接觸，可以極大緩解膜污染問題； 3 、采用的廉價耐污染膜材料，延長膜的使用壽命，降低運行成本； 4 、控制反應(yīng)器微生物處于內(nèi)源呼吸期，反應(yīng)器中能有效建立細(xì)菌—原生動物—后生動物微生態(tài)系
哈爾濱工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
一種燃料電池膜電極熱壓頭上表面貼片的糾偏補償方法
本發(fā)明公開了一種燃料電池膜電極熱壓頭上表面貼片的糾偏補償方法。傳統(tǒng)的機器視覺采圖后擺動氣缸翻轉(zhuǎn)，然后貼片，不能保證GDL 的貼裝精度，另外，由于 GDL 料盒比 GDL 本身尺寸稍大，不能保證每次真空拾取機構(gòu)吸取 GDL 的中心軸線都與旋轉(zhuǎn)軸的中心軸線重合，因此翻轉(zhuǎn)后也會有誤差。本發(fā)明主要解決這兩個誤差的計算和補償方法，實現(xiàn)熱壓頭上表面的準(zhǔn)確貼片。本發(fā)明基于現(xiàn)有的 GDL 熱壓裝備實現(xiàn)，首先對相機進(jìn)行標(biāo)定，標(biāo)定兩個相機各自的像素坐標(biāo)系和世界坐標(biāo)系的關(guān)系，分別根據(jù)是由安裝誤差引起的貼片糾偏或者是由軸線
華中科技大學(xué)
2021-04-14