葡京娱乐场-富盈娱乐场开户

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于超材料的肖特基型毫米波多譜信號(hào)探測(cè)器，包括自下而上依次設(shè)置的襯底層、N 型砷化鎵層、二氧化硅層與超材料層、歐姆電極和肖特基電極；其中超材料層為具有周期性微納米結(jié)構(gòu)的金屬開(kāi)環(huán)共振單元陣列，所述金屬開(kāi)環(huán)共振單元陣列包含了多種圖形及其特征尺寸參數(shù)，每個(gè)圖形對(duì)于特定電磁波具有完全吸收特性，通過(guò)改變金屬開(kāi)環(huán)共振單元的結(jié)構(gòu)和尺寸參數(shù)可以調(diào)控對(duì)應(yīng)的電磁波吸收頻段，通過(guò)改變 N 型砷化鎵的耗盡層寬度可以調(diào)控超材料

本發(fā)明公開(kāi)了一種深孔加工用超細(xì)硬質(zhì)合金刀具材料的制備方法，其特征是采用VC-Co飽和固溶體為粘結(jié)相，并通過(guò)超聲分散和pH值調(diào)節(jié)使表面包覆吐溫80分子膜；采用（WC，VC）二元復(fù)合粉末實(shí)現(xiàn)VC對(duì)WC晶界面遷移抑制；控制用于提高紅硬性的(W，Ta)C粉末的重量*平均粒度=（WC，VC）粉末的重量*平均粒度，使二者顆粒數(shù)匹配。

浙江大學(xué)聚焦超潔凈流控系統(tǒng)基礎(chǔ)研究、技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)品研發(fā)，攻克了影響光刻分辨率、良品率與產(chǎn)率的1mk級(jí)溫度測(cè)控、5ppt級(jí)金屬離子測(cè)控、20μm級(jí)氣泡測(cè)控、50nm級(jí)殘留液膜測(cè)控等關(guān)鍵核心技術(shù) 一、項(xiàng)目分類(lèi) 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、技術(shù)分析 如何通過(guò)超潔凈流控技術(shù)降低流控污染，減少曝光缺陷，提升曝光良率，是國(guó)產(chǎn)高端半導(dǎo)體制造裝備研制面臨的重大挑戰(zhàn)，直接關(guān)乎整機(jī)產(chǎn)品的產(chǎn)線應(yīng)用性能與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。此外，作為各類(lèi)半導(dǎo)體制造裝備的共性核心零部件，超潔凈流控部件市場(chǎng)被美國(guó)、日本等國(guó)壟斷，使我國(guó)半導(dǎo)體制造裝備產(chǎn)業(yè)面臨核心零部件“卡脖子”風(fēng)險(xiǎn)。浙江大學(xué)流體動(dòng)力與機(jī)電系統(tǒng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室啟爾團(tuán)隊(duì)所承擔(dān)的高端半導(dǎo)體制造裝備核心分系統(tǒng)之一的超潔凈流控系統(tǒng)，自2004年以來(lái)在國(guó)家863計(jì)劃和國(guó)家02專(zhuān)項(xiàng)支持，聚焦超潔凈流控系統(tǒng)基礎(chǔ)研究、技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)品研發(fā)，攻克了影響光刻分辨率、良品率與產(chǎn)率的1mk級(jí)溫度測(cè)控、5ppt級(jí)金屬離子測(cè)控、20μm級(jí)氣泡測(cè)控、50nm級(jí)殘留液膜測(cè)控等關(guān)鍵核心技術(shù)，完成了超潔凈流控系統(tǒng)九大組件的研制和集成測(cè)試，為半導(dǎo)體制造設(shè)備掃描速度與產(chǎn)能的提高提供基礎(chǔ)理論與方法依據(jù)，同時(shí)自主研發(fā)的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)核心超潔凈流控零部件實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品化，突破了國(guó)外技術(shù)的封鎖，為我國(guó)半導(dǎo)體制造的發(fā)展與自主創(chuàng)新提供了基礎(chǔ)支撐。

本發(fā)明屬于超材料設(shè)計(jì)相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其公開(kāi)了一種適用于具 有功能梯度及拉脹屬性的超材料的拓?fù)鋬?yōu)化方法，其包括以下步驟: (1)采用加權(quán)法建立每層的、同時(shí)考慮微觀結(jié)構(gòu)拉脹屬性及宏觀結(jié)構(gòu)剛 度屬性的多目標(biāo)優(yōu)化模型;(2)控制所述超材料結(jié)構(gòu)整體在一個(gè)方向上 的拉脹屬性及剛度屬性呈梯度形式分布;(3)計(jì)算每層設(shè)計(jì)域上的微觀 位移、宏觀位移、以及每層微結(jié)構(gòu)的等效彈性屬性;(4)基于計(jì)算獲得 的敏度，采用優(yōu)化準(zhǔn)則法更新設(shè)計(jì)變量，進(jìn)而判斷所述目標(biāo)函數(shù)是否 收斂。上述拓?fù)鋬?yōu)化方法采用加權(quán)法建立同時(shí)考慮微觀結(jié)

本發(fā)明公開(kāi)了一種迭代空間模糊聚類(lèi)的大腦磁共振圖像超體素生成方法，包括以下步驟：首先，由于人類(lèi)大腦具有相同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從基于群體的大腦MRI模板獲得一組種子模板；其次，為了排除部分容積效應(yīng)的影響，提出了一種迭代空間模糊聚類(lèi)算法，將體素分配給每個(gè)種子生成超體素。本發(fā)明能較好地應(yīng)用于大腦磁共振圖像，生成有效的大腦磁共振圖像超體素。

成功研制出國(guó)內(nèi)首臺(tái)超快掃描隧道顯微鏡，實(shí)現(xiàn)飛秒級(jí)時(shí)間分辨和原子級(jí)空間分辨，并捕捉到金屬氧化物表面單個(gè)極化子的非平衡動(dòng)力學(xué)行為。掃描隧道顯微鏡（Scanning Tunneling Microscope，STM）由于其隧穿電流具有高度的局域性，空間分辨率可以達(dá)到原子量級(jí)。然而受電流放大器帶寬的局限，其時(shí)間分辨一般只能達(dá)到微秒量級(jí)（10-6 s），而很多微觀動(dòng)力學(xué)過(guò)程往往發(fā)生在皮秒（10-12 s）和飛秒（10-15 s）量級(jí)。為了提高STM的時(shí)間分辨率，其中一種比較可行的辦法是將超快激光的泵浦-探測(cè)（pump-probe）技術(shù)和STM相結(jié)合，利用超快光與電子隧穿過(guò)程的耦合來(lái)實(shí)現(xiàn)“飛秒-埃”尺度的極限探測(cè)。盡管超快激光技術(shù)和STM相耦合的概念在上世紀(jì)90年代就被提出，但是相關(guān)研究進(jìn)展非常緩慢，主要受限于一系列技術(shù)難點(diǎn)，例如：激光的熱效應(yīng)對(duì)STM隧道電流的干擾、激光誘導(dǎo)電流的低信噪比、超快激光脈沖在STM中的展寬、激光與隧穿電子間的耦合機(jī)制等。

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于超磁致伸縮薄膜驅(qū)動(dòng)器的平面線圈驅(qū)動(dòng)式微閥，包括下閥體 （1）、依次壓疊在下閥體（1）上的基片（3）、上閥體（4）和平面螺旋線圈（6），下閥 體的底部沿徑向方向分別設(shè)有進(jìn)液流道（2）和出液流道（11），下閥體的上部設(shè)有液體腔 （13），進(jìn)液流道（2）設(shè)有垂直向上的與液體腔連通的流道口，出液流道（11）與所述液 體腔連通；基片（3）上表面鍍有具有逆磁致伸縮效應(yīng)薄膜（7），下表面鍍有具有正磁致伸 縮效應(yīng)薄膜（9）；平面螺旋線圈（6）通電后，磁致伸縮薄膜驅(qū)動(dòng)器在激勵(lì)磁場(chǎng)的作用下發(fā) 生形變向上彎曲，使得工作流體通道打開(kāi)，實(shí)現(xiàn)液壓系統(tǒng)回路的通斷。本發(fā)明具有體積小、 易于微型化、響應(yīng)速度快、可控性強(qiáng)等特點(diǎn)。

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于水性樹(shù)脂的超細(xì)纖維合成革基布的含浸方法。首先將固含量為20~50%的水性耐堿水解型聚氨酯乳液100份，固含量30~40%的堿溶性丙烯酸及其酯共聚物乳液40-100份，水0~250份，增稠劑0.6~3份混合均勻，制得水性含浸漿料；然后將超細(xì)纖維纖無(wú)紡布浸漬于水性含浸漿料中，然后干燥5~20min；接著用5~15%的氫氧化鈉水溶液中進(jìn)行堿減量處理，減量溫度為80~95℃，減量時(shí)間為30~120min，丙烯酸及其酯共聚物水解溶出，從而在超細(xì)纖維合成革中形成泡孔結(jié)構(gòu)；堿減量后的基布進(jìn)行水洗、烘干，最后經(jīng)后整理得到超細(xì)纖維合成革。

本發(fā)明公開(kāi)了一種多傳感器融合的超近距離自主導(dǎo)航裝置與方法。該裝置包括傳感器子系統(tǒng)、信息融合子系統(tǒng)、敏感器掃描結(jié)構(gòu)和指向?qū)бY(jié)構(gòu)，將可見(jiàn)光成像敏感器與紅外成像敏感器結(jié)合，并結(jié)合光學(xué)成像敏感器組成的被動(dòng)式測(cè)量方式與激光測(cè)距傳感器組成的主動(dòng)式測(cè)量方式獲取數(shù)據(jù)。自主導(dǎo)航分為三個(gè)階段：遠(yuǎn)距離段采用雙目可見(jiàn)光成像敏感器和雙目紅外成像敏感器組合的導(dǎo)航方式，近距離段采用雙目可見(jiàn)光成像敏感器、雙目紅外成像敏感器和激光測(cè)距傳感器陣