一種納米晶Cu2O薄膜的制備方法
“一種化學浴沉積擇優(yōu)取向生長的納米晶Cu2O薄膜的制備方法”屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域。現(xiàn)有方法一般對設(shè)備要求較高,需要比較復(fù)雜的程序,而最終難以控制成本,這會嚴重影響Cu2O薄膜的應(yīng)用范圍。本發(fā)明提供的納米晶Cu2O薄膜的制備方法,其特征在于包括以下步驟:分別按照硫酸銅與檸檬酸三鈉的摩爾濃度比范圍為12∶8~12∶36,硫酸銅與抗壞血酸鈉的摩爾范圍為1∶3~5∶6,將抗壞血酸鈉、檸檬酸三鈉溶液依次加入硫酸銅溶液中,使充分絡(luò)合;調(diào)節(jié)溶液pH值至7.0~10.0;置于50°C~95°C水浴溫度中反應(yīng)1.0h~3.
安徽建筑大學
2021-01-12