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連鑄二次冷卻對鑄坯的表面與內部質量具有顯著的影響。欲得到優質鑄坯，重要的是合理地控制澆鑄過程鑄坯溫度，而連鑄二冷配水的目的是均勻冷卻鑄坯，使鑄坯表面溫度保持在允許的范圍內，對提高連鑄坯的質量好連鑄生產具有重要的作用。原冶金部科技司將此項目列為“八五”攻關課題“大型連鑄機自動控制系統的研究開發”中一個重要研究課題，主要是以濟鋼板坯連鑄機而冷控制為研究對象，應用二維傳熱數學模型，建立了板坯連鑄機二冷配水計算模型，編制了二冷配水計算軟件，完成了對不同鋼種和斷面的連鑄冷卻的配水計算和控制系統，實現了對連鑄而冷水在線控制。本項目主要用在板坯、矩形坯、方坯連鑄機二冷配水控制系統，結合現場具體條件，利用傳熱學基本原理建立凝固傳熱數學模型好計算軟件，計算配水參數，實現二冷水自動控制，從而確保連鑄機高的產量好良好的質量。

1. 痛點問題 催化已經廣泛應用于各個領域。90%以上的化學生產過程都離不開催化。催化領域的每一次重大突破，都極大地改變了人類的生產與生活方式。 傳統的有機配體支撐/配位的過渡金屬催化劑被稱為“有機金屬絡合物催化劑”體系，存在有機配體制備復雜、昂貴、周期長、污染大以及催化劑不穩定和難以回收利用，反應條件苛刻危險等問題，嚴重限制了其大規模的工業化應用。 2. 解決方案 該項技術提出了“無機配體配位/支撐金屬催化劑”的原創性新概念（中國科學報，科學網和教育部科技轉移中心等媒體報道http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2018/8/416736.shtm），相關研究成果發表在Nature子刊和《德國應用化學》等世界著名學術刊物上，開創了多金屬氧化物均相催化的新領域。其基本原理是利用具有優良電子轉移能力的金屬氧化物作為無機配體，與金屬絡合配位，在過渡金屬周圍薪酬電子蓄水池，通過均相催化等手段控制電子的轉移，從而控制化學反應的選擇性和活性。 這種高效、簡單、低廉、綠色、環保和易回收利用的催化劑合成和應用方法解決了傳統“有機金屬絡合物催化劑”存在的根本性難題。為目前化學工業生產上諸如氧化、縮合、偶聯和硝化等高污染的反應提供了全新的解決方案。 3.合作需求 與材料，能源，綠色化工，生物醫藥，染料中間體，食品領域的企業合作，開展產業化探索。

本發明公開了一種可見光寬帶光譜圖像配準方法，包括對圖像進行灰度化、去噪和降采樣處理，利 用 SIFT 算法提取圖像特征點并構造特征描述算子;通過 k-d 樹最近鄰方法對特征點進行匹配，對匹配 特征點進行坐標升采樣處理;根據圖像退化閾值 T，利用歐式距離對錯誤匹配點進行約束，獲得約束后 匹配點集 ΩN;對約束后匹配點集進行 m 對匹配點空間均勻采樣，獲得均勻分布的匹配點集 Ωm;利用最 小二乘方法求解圖像放射變換參數矩陣 Tm，利用 Tm 對待配準圖像進行坐標變換和雙線性插值計算;以 參考圖像和配準圖像的互信息 MIm 作為評價指標，鎖定最大互信息 MImax 對應的配準圖像，實現可見光 寬帶光譜圖像的配準。本發明能顯著降低錯誤匹配點數目、提高圖像配準精度。

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統 針對高壓IGBT器件內部承受的正極性重復方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統（如圖1所示），可實現電壓波形參數、溫度和氣壓的靈活調控，用于研究電壓類型（交、直流、重復方波電壓）、波形參數、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關參數：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯均流實驗系統 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯均流實驗系統（如圖3所示），平臺具有靈活調節IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數、寄生參數以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關斷過程芯片-封裝支路瞬態電流分布影響規律的研究，以及瞬態電流不均衡調控方法的研究；平臺相關參數：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環測試，最多可實現12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數、壓力均獨立可調，功率循環周期為秒級，極限測試能力可達 300 ms，最高壓力達220 kN，虛擬結溫測量精度達±1°C，導通壓降測量精度達±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現漏電流和閾值電壓的實時在線監測，最多可實現32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內部并聯多芯片電流及結溫測量方法及實現 高壓大功率壓接型IGBT器件內部芯片瞬態電流及結溫測量是器件多物理量均衡調控及狀態監測的基本手段，針對器件內部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結構設計，設計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內部多芯片并聯芯片結溫測量，提出了壓接型IGBT器件結溫分布測量的時序溫敏電參數法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進行單顆IGBT芯片結溫的測量，進而等效獲得一個周期內各IGBT芯片的結溫分布。在此基礎上，完成了集成于高壓大功率器件內部的多芯片并聯電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數測量驅動板的設計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯電流均衡調控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調控等方面工作，相關成果支撐了國家電網公司全球能源互聯網研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

200610112778本發明涉及一種固體氧化物燃料電池用封接材料及其制備方法，屬于燃料電池技術領域。其特征在于所述材料主要組成為ＢａＯ１５～８０ｗｔ％、ＭｇＯ０～３０ｗｔ％、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］０～１５ｗｔ％、ＳｉＯ↓［２］３～４５ｗｔ％、Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］０～２５ｗｔ％、ＭｇＦ↓［２］０～１５ｗｔ％、Ｋ↓［２］Ｏ０～１０ｗｔ％、Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］０～１０ｗｔ％、Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］０～１ｗｔ％，優選該組成為：ＢａＯ１７～６０ｗｔ％、ＭｇＯ２～１８ｗｔ％、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］７～１２ｗｔ％、ＳｉＯ↓［２］１０～４０ｗｔ％、Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］０～１７ｗｔ％、ＭｇＦ↓［２］２～１４ｗｔ％、Ｋ↓［２］Ｏ０～５ｗｔ％、Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］０～７ｗｔ％、Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］０～０．５ｗｔ％；其制備方法包括壓制素坯，在空氣氣氛下加熱熔融，驟冷獲得玻璃熔塊，破碎、分級等，或采用其它方法得到玻璃粉。該材料與氧化鈰基電解質材料、鎵酸鑭基電解質材料在浸潤性能、熱膨脹系數和化學穩定性方面匹配良好，適用于封接金屬、陶瓷部件，特別適用于封接固體氧化物燃料電池的玻璃基封接材料。

2020年3月8日，中山大學第五醫院在bioRxiv上上傳了一篇題為Crystal structure of SARS-CoV-2 nucleocapsid protein RNA binding domain reveal spotential unique drug targeting sites的研究，確定了SARS-CoV-2核糖蛋白N-端RNA結合域的晶體結構。雖然整體結構與其他冠狀病毒核N端RNA結合域相似，但它們之間的表面靜電電位特征卻不同。與輕度病毒類型HCoV-OC43 等效域的進一步比較顯示，β-螺旋核心旁邊具有獨特的潛在RNA 結合槽。結合體外數據，結果提供了SARS-CoV-2N端RNA結合域的幾種原子分辨率特征，指導了針對SARS-CoV-2的新型抗病毒劑的設計。

研究中發現，通過適當的退火工藝，可以有效調控Sb2Te3(GeTe)n基材料中陽離子缺陷的類型，該工作運用球差矯正電子顯微鏡的原位觀測技術及高角暗場掃描透射電鏡技術（in situ/HAADF-STEM）等, 通過比對退火前后的樣品及在電鏡下模擬退火過程，清楚地追蹤到樣品中陽離子缺陷由短程的點缺陷聚集演化成長程的面缺陷的過程，使得調控樣品內載流子濃度降低到合適的程度，最終達到優化材料性能的目的。? 該項工作使得Sb2Te3(GeTe)n基熱電材料的總體性能大幅提升。據悉，熱點材料優值ZT越高，其轉換效率越高。在溫度達到773K時，熱電材料優值ZT達到了2.4，在323~773K較寬的工作溫度區間內，材料的平均ZT高達1.51，能夠滿足中溫區熱電材料在商業應用中對性能的需求，有望解決Sb2Te3(GeTe)n基熱電材料效率較低的問題。 本研究成果在目前熱電材料亟待推廣的低品位廢熱發電方向以及未來有可能實現的可穿戴自驅動電子器件與智能傳感設備方面有較大的應用前景。

XM-N4高級人工流產模擬子宮 ? 一、功能特點： ■ XM-N4高級人工流產模擬子宮采用高分子材料制成，柔軟有彈性，外形真實。 ■ 為學習人工流產刮宮技術而設計，包括三個模塊：孕6-7周水平位子宮、孕6-7周前傾，孕6-7周后傾子宮。 ■ 三個懷孕子宮都可以打開，放入模擬妊娠囊。 ■ 宮頸口可插入擴宮器、刮匙，可以模擬刮宮操作，模擬妊娠囊可被刮下。 ■ 帶有底托，可使子宮固定在正確位置。 ■ 可反復進行練習。 ? 二、標準配置： ■ 高級人工流產模擬子宮：1套 ■ 模擬妊娠囊：1袋 ■ 說明書：1冊 ■ 保修卡合格證：1張

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