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基于石墨烯-碳納米管復(fù)合結(jié)構(gòu)的熱噴印頭及其制備方法
本發(fā)明公開了一種基于石墨烯-碳納米管復(fù)合結(jié)構(gòu)的熱噴印頭及 其制備方法，采用 ICP 工藝以及 PDMS 填充深溝的表面平坦化工藝， 在硅片襯底上制備主通道、噴墨腔室、進(jìn)墨通道、噴嘴、噴墨通道； 采用陽極鍵合工藝，以石墨烯碎片作為中間層，將玻璃基底和硅片襯 底鍵合。主通道和噴墨腔室通過進(jìn)墨通道連通，進(jìn)墨通道深度小于噴 墨腔室深度；噴嘴設(shè)置在噴墨腔室底部；碳納米管-石墨烯復(fù)合結(jié)構(gòu)微 氣泡發(fā)生器陣列和碳納米管溫度傳感器陣列
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種異構(gòu)存儲介質(zhì)下嵌入式數(shù)據(jù)庫的管理方法
本發(fā)明公開了一種異構(gòu)存儲介質(zhì)下嵌入式數(shù)據(jù)庫的管理方法，具體為：將數(shù)據(jù)文件分為小數(shù)據(jù)塊和大數(shù)據(jù)塊，將大數(shù)據(jù)塊和優(yōu)先級低的小數(shù)據(jù)塊存入外存，將優(yōu)先級高的小數(shù)據(jù)塊存入內(nèi)存；嵌入式處理器查詢到待訪問數(shù)據(jù)的索引塊，若該數(shù)據(jù)塊存在于內(nèi)存，則直接訪問數(shù)據(jù)，若該數(shù)據(jù)塊存在于外存，則訪問外存中的數(shù)據(jù)；在系統(tǒng)空閑期，數(shù)據(jù)庫根據(jù)訪問情況將部分?jǐn)?shù)據(jù)塊降級釋放到外存，加載部分急需的數(shù)據(jù)塊到內(nèi)存，以實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)調(diào)度。本發(fā)明綜合兩種存儲介質(zhì)的優(yōu)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
防誤碼擴(kuò)散的 JPEG-LS 圖像無損/近無損壓縮算法硬件實(shí)現(xiàn)方法
本發(fā)明公開了一種防誤碼擴(kuò)散的圖像無損/近無損壓縮方法：采用并行預(yù)測方式，將分塊的圖像通過兩路并行得到預(yù)測結(jié)果，在每個(gè)預(yù)測環(huán)節(jié)，像素之間間隔一個(gè)像素時(shí)鐘周期，使得由參數(shù)索引、預(yù)測修正、殘差計(jì)算、參數(shù)更新反饋環(huán)路可使用流水線設(shè)計(jì)；在近無損壓縮模式下，每個(gè)像素有足夠的時(shí)間進(jìn)行像素重建，在當(dāng)前像素進(jìn)行上下文建模前能剛好得到上一個(gè)像素對應(yīng)的像素重建值；通過引入分塊壓縮與檢糾錯(cuò)編碼相結(jié)合的方法，防止了誤碼的大面積擴(kuò)散，提高了
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于憶阻器的情景記憶電路及其操作方法
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的情景記憶電路及其操作方法， 電路包括編碼電路和檢索電路；編碼電路可以根據(jù)事件本身及其相關(guān) 特征對事件進(jìn)行編碼并存儲于電路中，通過擦除信號對已存信息進(jìn)行 擦除，并將產(chǎn)生的記憶痕跡信號作為下級電路的輸入信號；檢索電路 能夠?qū)⒂洃浐圹E信號和檢索信號相互匹配進(jìn)而產(chǎn)生相應(yīng)的情景記憶行 為；本發(fā)明可以根據(jù)施加的相關(guān)脈沖操作，模擬生物的情景記憶行為。 完成人：繆向水、許磊、李祎、段念
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于磁納米粒子交流磁化率虛部的成像方法
本發(fā)明公開一種磁納米粒子濃度成像方法，其主要?jiǎng)?chuàng)新在于采用交流磁化率的虛部來進(jìn)行濃度成像，有效提高磁納米粒子成像的空間分辨率。對磁納米粒子施加交流磁場和直流梯度磁場，檢測出一次諧波幅值和相位。利用幅值差和相位差或直接利用磁化強(qiáng)度變化量計(jì)算出磁納米粒子交流磁化率的實(shí)部和虛部。通過控制直流梯度磁場的零磁場點(diǎn)位置，求解出不同空間位置的磁納米粒子交流磁化率的實(shí)部和虛部，進(jìn)而利用交流磁化率的虛部實(shí)現(xiàn)磁納米濃度成像。從仿真數(shù)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于超材料的肖特基型遠(yuǎn)紅外多譜信號探測器和制備方法
本發(fā)明公開了一種基于超材料的肖特基型遠(yuǎn)紅外多譜信號探測器，包括自下而上依次設(shè)置的襯底層、N 型砷化鎵層、二氧化硅層與超材料層、歐姆電極和肖特基電極；其中超材料層為具有周期性微納米結(jié)構(gòu)的金屬開環(huán)共振單元陣列，金屬開環(huán)共振單元陣列包含了多種圖形及其特征尺寸參數(shù)，每個(gè)圖形對于特定電磁波具有完全吸收特性，通過改變金屬開環(huán)共振單元的結(jié)構(gòu)和尺寸參數(shù)可以調(diào)控對應(yīng)的電磁波吸收頻段，通過改變 N 型砷化鎵的耗盡層寬度可以調(diào)控超材料層中
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于超材料的肖特基型遠(yuǎn)紅外多譜信號探測器和制備方法
本發(fā)明公開了一種基于超材料的肖特基型遠(yuǎn)紅外多譜信號探測器，包括自下而上依次設(shè)置的襯底層、N 型砷化鎵層、二氧化硅層與超材料層、歐姆電極和肖特基電極；其中超材料層為具有周期性微納米結(jié)構(gòu)的金屬開環(huán)共振單元陣列，金屬開環(huán)共振單元陣列包含了多種圖形及其特征尺寸參數(shù)，每個(gè)圖形對于特定電磁波具有完全吸收特性，通過改變金屬開環(huán)共振單元的結(jié)構(gòu)和尺寸參數(shù)可以調(diào)控對應(yīng)的電磁波吸收頻段，通過改變 N 型砷化鎵的耗盡層寬度可以調(diào)控超材料層中
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種用于光纖激光器的包層光剝離器及其制作方法
本發(fā)明公開了一種用于光纖激光器的包層光剝離器及其制作方 法，該剝離器包括包層光纖、多段光柵和冷卻管套，其制作方法是在 裸露的光纖內(nèi)包層外表面上涂覆折射率大于或等于內(nèi)包層折射率的紫 外光刻膠，然后在紫外光刻膠上刻蝕多段光柵，通過多段光柵的衍射 將內(nèi)包層內(nèi)殘余光剝離出來；將制作好的多段光柵套在金屬管中，并 用密封套密封，該金屬管壁鋪滿吸熱材料，將剝離出的內(nèi)包層光吸收， 通入流通的冷卻水將產(chǎn)生的熱量帶走。本發(fā)明通過采用不同結(jié)構(gòu)的光 柵來調(diào)整包層光的透過率,達(dá)到高效均勻剝離的目的，避免剝離器出現(xiàn) 過熱點(diǎn)，保
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種四自由度可調(diào)的工業(yè)攝像機(jī)裝夾機(jī)構(gòu)
本發(fā)明公開了一種四自由度可調(diào)的工業(yè)攝像機(jī)裝夾機(jī)構(gòu)，其特征在于：攝像機(jī)安裝在方形的框架上，鏡頭穿過框架中間圓孔；框架可繞左、右兩側(cè)通過軸承與 U 形座相連接的支撐軸轉(zhuǎn)動(dòng)；在框架下方兩側(cè)的支撐座和 U 形座側(cè)板之間安裝有兩根拉伸彈簧；在固定于 U 形座一邊側(cè)板下部的直角支撐上裝有一個(gè)調(diào)節(jié)螺釘，調(diào)節(jié)螺釘上端頂在固定在框架一側(cè)的撥塊上；撥塊通過鎖緊螺栓與導(dǎo)軌片上端相連接，直角支撐通過導(dǎo)向螺栓和導(dǎo)向槽與導(dǎo)軌片下端連接；U 形座與底板之間設(shè)有二組螺栓，一組用于緊固連接 U 形座與底板，另一組的一端通過螺紋連接穿
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于核外電子概率密度分布的復(fù)雜曲面零件匹配檢測方法
本發(fā)明屬于精密加工與測量技術(shù)領(lǐng)域，并公開了一種基于核外 電子概率密度分布的復(fù)雜曲面零件匹配檢測方法，包括:對待測零件 進(jìn)行非接觸式掃描獲得掃描點(diǎn)云，并將其與設(shè)計(jì)點(diǎn)云組成匹配比較對 象;將兩片點(diǎn)云轉(zhuǎn)換到同一三維坐標(biāo)系內(nèi)，并將各個(gè)點(diǎn)看作原子的原子核，將此原子核的鄰域點(diǎn)看作核外電子，遍歷所有點(diǎn)計(jì)算得出其對 應(yīng)的電子概率密度分布值;基于計(jì)算得出的電子概率密度分布值確定 兩個(gè)模型的誤差，并在當(dāng)前誤差不滿足終止條件時(shí)對測量點(diǎn)云進(jìn)行粗 匹配和精匹配，直至滿足終止條件為止。通過本發(fā)明，能夠有效解決 現(xiàn)有非接觸式匹配
華中科技大學(xué)
2021-04-14