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含電路板、散裝元器件、制作說明書等

含電路板、散裝元器件、制作說明書等

原理介紹： 光在與微粒的相互作用中，會將自身攜帶的動量傳遞給微粒，對微粒施加力的作用。在光鑷中，處在激光中的粒子所受的力有兩種：一部分是電磁場分布不均勻?qū)е碌奶荻攘Γ荻攘⑽⒘Ｎ蚬廒宓闹行模灰徊糠质枪庾优c粒子相互作用導(dǎo)致的散射。針對不同大小的粒子，大致可以分為三類： 一、微粒的尺度遠(yuǎn)大于激光波長，可以采用幾何光學(xué)近似模型，光線在微粒經(jīng)過折射反射，將動量傳遞至微粒上； 二、微粒尺度跟激光波長相近，這種情況下可以通過電磁場麥克斯韋方程組求解； 三、微粒尺度遠(yuǎn)小于激光波長，微粒在光場中被激發(fā)為偶極子，受到偶極子與強聚焦光場的相互作用力； 相關(guān)內(nèi)容： 動手調(diào)節(jié)光路，利用光鑷捕捉并操控小球； 基于空間光調(diào)制器的光鑷系統(tǒng)，通過研究不同算法從而得到加載在空間光調(diào)制器上的全息圖、更加深入地研究特殊模式光束在光學(xué)微操縱中的應(yīng)用、拓展光鑷與其他學(xué)科交叉的應(yīng)用前景以及對光場偏振態(tài)、相位、振幅的聯(lián)合調(diào)制等等。 應(yīng)用領(lǐng)域： 作為非侵入型的力學(xué)操控系統(tǒng)，光鑷可以應(yīng)用于細(xì)胞生物學(xué)、氣溶膠科學(xué)、物理化學(xué)等交叉學(xué)科的基礎(chǔ)研究，包括細(xì)胞微環(huán)境的改變、形變拉伸、微粒力學(xué)參數(shù)的測量等等。將全息光鑷與圖像識別結(jié)合，可以做到自動捕獲粒子和分揀， 將全息光鑷與光學(xué)顯微鏡相結(jié)合，可以量化細(xì)胞、分子的動力學(xué)特性，在細(xì)胞生物學(xué)中有巨大的研究空間； 方案介紹： 光路圖：   上圖為本方案全息光鑷裝置的光路示意圖。首先激光經(jīng)過擴(kuò)束后，直徑與空間光調(diào)制器有效區(qū)域的短邊直徑相等，擴(kuò)束后的激光依次通過線偏振片、半波片和非偏振分光棱鏡。用半波片旋轉(zhuǎn)線偏光角度，使之工作在相位模式下，空間光調(diào)制器的入射角控制在在 5°以內(nèi)。 經(jīng)過空間光調(diào)制器反射的光經(jīng)過由兩個傅里葉透鏡組成的縮束系統(tǒng)，該系統(tǒng)能改變光斑尺寸確保光束直徑與顯微物鏡的入瞳直徑匹配。對于外圍光強較弱的高斯光束，利用此縮束系統(tǒng)將激光直徑稍大于顯微物鏡入瞳直徑。 經(jīng)過縮束系統(tǒng)的激光經(jīng)過 45°直角反射鏡，二向色鏡將激光透射進(jìn)入顯微物鏡，同時讓照明光源透過，從而使 CMOS 相機采集到樣品像。空間光調(diào)制器位于第一個傅里葉透鏡的焦距處，全息圖與物鏡入瞳是共軛像面，所以全息圖經(jīng)過顯微物鏡做傅里葉變換后在顯微物鏡焦平面即樣品面上再現(xiàn)期望的光場分布。   特點： 此方案采用的開普勒式縮束系統(tǒng)透鏡間的焦平面與樣品面是共軛的，在透鏡焦平面加入高通濾波器或在空間光調(diào)制器上疊加閃耀光柵后，后續(xù)光學(xué)元件按照一級像排列，從而移去零級光的影響。 加載全息圖后 X-Y 位置可實時調(diào)整，快速疊加不同焦距菲涅爾相位圖、閃耀光柵相位圖等； 空間光調(diào)制器可供多種語言調(diào)用（labview、C、Python 等）；可編程實現(xiàn)不同數(shù)目、不同排列的光阱陣列；   配置標(biāo)準(zhǔn)：   序號 配置 規(guī)格 序號 配置 規(guī)格 1 激光光源 637nm 激光最大功率1w 4 顯微物鏡 PLN100× 油浸   NA 1.25 2 空間光調(diào)制器 1920*1080   2π 5 照明光源 波長470nm 功率760mw 3 CMOS相機 1280*1024 60FPS 6 相機筒鏡 f=200mm 等系列其他配置

一種用于切布機的自動尋線裝置，其特點是可以根據(jù)待切割布料上的切割線自動切割。該裝置由基礎(chǔ)固定架、控制系統(tǒng)和切割系統(tǒng)構(gòu)成。通過固定架固定在切布平臺的懸臂上，控制系統(tǒng)可以根據(jù)線陣攝像機拍攝返回的信息控制切割的方向，切割系統(tǒng)可以根據(jù)布料上的切割線進(jìn)行切割布料。輔助裝置有切布平臺和固定在切布平臺上的滑動槽，在與輔助裝置的配合使用下可以實現(xiàn)對布料進(jìn)行自動尋線切割，達(dá)到高效、準(zhǔn)確的切割效果。

本機具采用局部耕作（條耕）方法，并深施肥播種，將水稻秸稈露地越冬隔季埋田，徹底解決了目前當(dāng)季埋田的耕作工藝缺陷，同時解決化肥深施問題。該機復(fù)式作業(yè)程度高，一次性作業(yè)能完成秸稈切碎、條耕、深施肥、 播種、鎮(zhèn)壓五道工序，節(jié)工節(jié)本。該成果能節(jié)省旱地耕作性能三分之二，能節(jié)省三麥種植作業(yè)成本三分之二。

XM-D022腦、腦干水平切、腦神經(jīng)核立體關(guān)系電動模型 ? XM-D022腦、腦干水平切、腦神經(jīng)核立體關(guān)系電動模型分別為沿丘腦內(nèi)髓板的中心腦作水平切，示斷面立體結(jié)構(gòu)，沿丘腦內(nèi)髓板的中心平面以上腦作冠狀切面，示其平面結(jié)構(gòu)，顯示腦干主要核團(tuán)的斷面及立體結(jié)構(gòu)與立體神經(jīng)核團(tuán)位置關(guān)系，模型控制面板上設(shè)有36個按鈕功能鍵，可任意選擇電動顯示了解神經(jīng)核團(tuán)位置、形態(tài)和毗鄰。 ? 尺寸：34×34×70cm 材質(zhì)：PVC材料+木框 ? 標(biāo)準(zhǔn)配置： ■ XM-D022腦、腦干水平切、腦神經(jīng)核立體關(guān)系電動模型：1臺 ■ 電源線：1根 ■ 說明書：1冊 ■ 保修卡合格證：1張

XM-709A-1男性盆腔矢狀切面模型（4部件，帶數(shù)字標(biāo)識） ? XM-709A-1男性盆腔矢狀切模型由男性盆腔正中矢狀切面、陰莖矢狀切面和盆腔剖面等4部件組成，并顯示男性內(nèi)外生殖器官、男性尿道以及男性盆腔器官等結(jié)構(gòu)，帶有多個部位數(shù)字指示標(biāo)志和對應(yīng)的文字說明。 尺寸：自然大 材質(zhì)：PVC材料

XM-709C男性盆腔矢狀切模型（縮小型） ? XM-709C縮小型男性盆腔矢狀切模型按照正常比例縮小了1/2，顯示盆腔和睪丸的解剖正中矢狀切面。 尺寸：1/2自然大，18×14×12cm 材質(zhì)：PVC材料

本發(fā)明公開了一種智能光伏電站模擬儀的匯流箱電路.本發(fā)明包括控制電路,供電電路,接口電路,通信電路和外圍電路.本發(fā)明可以用于光伏發(fā)電系統(tǒng)與陣列板,采集板的通信,使得主控板可以控制采集板及陣列板.本發(fā)明可以實現(xiàn)8塊太陽能電池板的電壓以及電流匯總輸出.

近年來,半導(dǎo)體光源正以新型固體光源的角色逐步進(jìn)入照明領(lǐng)域。由于半導(dǎo)體照明具有高效、節(jié)能、環(huán)保、使用壽命長、響應(yīng)速度快、耐振動、易維護(hù)等顯著優(yōu)點,所以在國際上被公認(rèn)為最有可能進(jìn)入通用照明領(lǐng)域的新型固態(tài)冷光源。隨著其價格的不斷降低,發(fā)光亮度的不斷提高,半導(dǎo)體光源在照明領(lǐng)域中展現(xiàn)了廣泛的應(yīng)用前景。業(yè)界普遍認(rèn)為,半導(dǎo)體燈取代傳統(tǒng)的白熾燈和熒光燈,是大勢所趨。而半導(dǎo)體發(fā)光二極管（Light Emitting Diode , 簡稱LED）被認(rèn)為是最有可能進(jìn)入普通照明領(lǐng)域的一種綠色照明光源，按固體發(fā)光物理學(xué)原理,LED發(fā)光效率能近似100 % ,并具有工作電壓低、耗電量小、發(fā)光效率高、響應(yīng)時間極短、光色純、抗沖擊、性能穩(wěn)定可靠及成本低等優(yōu)點,因此被譽為21 世紀(jì)新光源,有望成為繼白熾燈、熒光燈、高強度氣體放電燈之后的第四代光源。雖然LED具有以上的很多優(yōu)點，但是發(fā)光效率和使用壽命仍是制約其普及應(yīng)用的主要因素。 目前國內(nèi)大多致力于LED外部封裝結(jié)構(gòu)的研究，而公司里多采用進(jìn)口芯片，如cree芯片，再在現(xiàn)有基礎(chǔ)上進(jìn)行外部封裝結(jié)構(gòu)和設(shè)計。而即便是散熱好，壽命長，取光效率比較好的封裝結(jié)構(gòu)，國內(nèi)所能達(dá)到的水平也就是剛剛超出100lm/w。主要原因在于其封裝材料的選擇和封裝結(jié)構(gòu)的不合理性，浪費了芯片的出射光，從而降低了取光效率。而國外LED不僅在外部封裝結(jié)構(gòu)，而且在芯片方向都明顯優(yōu)于國內(nèi)水平，所以基本壟斷國內(nèi)LED的市場，尤其對于功率型白光LED的壟斷相當(dāng)嚴(yán)重。而這些高亮度半導(dǎo)體LED芯片生產(chǎn)技術(shù)掌握在以美國Cree和Lumileds、日本的Nichia和Toyoda Gosei，以及歐洲的Osram等為首的少數(shù)大公司手中。 現(xiàn)在功率型白光LED 的光效已提高到80～100lmPW,而真正能夠取代白熾燈和熒光燈進(jìn)入通用照明市場,其光效需要達(dá)到150lm/ W。這一方面要求在芯片的制作上不斷提高LED 的量子效率,同時還要求在LED 的封裝及燈具的設(shè)計制作過程中盡可能提高出光效率。現(xiàn)有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率較高，LED發(fā)出的光在出射芯片的時候，有相當(dāng)一部分光被芯片與外界（環(huán)氧樹脂）的界面反射。本產(chǎn)品是通過特殊鍍膜方法，使LED芯片出光效率提高了10%。可以有效的增加LED的使用壽命，達(dá)到2萬小時以上，而且可以使發(fā)光效率達(dá)到120lm/w到160lm/w。擁有這樣長壽命和高出光效率的白光LED，必將引領(lǐng)整個照明市場，必將產(chǎn)生豐厚的利潤，具有非常好的發(fā)展前景。