一種閾值電壓可調(diào)的薄膜晶體管作為非易失性存儲(chǔ)器的用途
本發(fā)明公開了一種閾值電壓可調(diào)的薄膜晶體管作為非易失性存儲(chǔ)器的用途,薄膜晶體管的頂柵、阻擋層、存儲(chǔ)層、隧穿層及溝道層構(gòu)成了頂柵型存儲(chǔ)器;薄膜晶體管的溝道層、底柵氧化層及底柵構(gòu)成了底柵型TFT。通過對頂柵型存儲(chǔ)器進(jìn)行操作實(shí)現(xiàn)非易失性存儲(chǔ)器的“編程/擦除”操作,通過對底柵型TFT進(jìn)行操作實(shí)現(xiàn)非易失性存儲(chǔ)器的“讀”操作。“編程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“讀”操作的分離,提升了存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
東南大學(xué)
2021-04-11