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產(chǎn)品詳細(xì)介紹：電化學(xué)加工（宏微二級(jí)驅(qū)動(dòng)）工作臺(tái)主要應(yīng)用于電化學(xué)加工方面，具有X-Y-Z方向三維宏動(dòng)和X-Y-Z方向三維微動(dòng)。宏動(dòng)平臺(tái)采用步進(jìn)電機(jī)結(jié)合高品質(zhì)滾珠絲桿。微動(dòng)平臺(tái)由三臺(tái)壓電陶瓷致動(dòng)器驅(qū)動(dòng)的一維納米級(jí)精密定位工作臺(tái)MPT-1JRL003通過(guò)連接板組合而成?！　≡隍?qū)動(dòng)中，首先采用步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的大行程、低分辨率的機(jī)構(gòu)進(jìn)行粗定位,實(shí)現(xiàn)大行程范圍內(nèi)快速地微米級(jí)定位精度，然后采用壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)小行程、高分辨率的微動(dòng)工作臺(tái)在微米級(jí)行程范圍實(shí)現(xiàn)對(duì)粗定位平臺(tái)的納米級(jí)誤差補(bǔ)償。 　

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于指令域分析的數(shù)控加工工藝參數(shù)動(dòng)態(tài)優(yōu) 化方法，包括： (1)設(shè)置采樣的加工狀態(tài)信息和加工程序指令序列信息， 并相應(yīng)配置形成加工信息動(dòng)態(tài)采集界面；(2)實(shí)時(shí)采集獲取實(shí)際加工數(shù)據(jù)，并利用正余弦算子對(duì)采集的數(shù)據(jù)進(jìn)行迭代平滑處理，并提取濾波 處理后信號(hào)的特征值； (3)根據(jù)當(dāng)前行加工的 G 指令和/或刀位軌跡類型 在工藝系數(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)中選擇確定優(yōu)化系數(shù)；(4)利用上述步驟獲取的特征 值以及優(yōu)化系數(shù)，建立優(yōu)化模型，據(jù)此計(jì)算當(dāng)前合理的工藝參數(shù)，從 而實(shí)現(xiàn)對(duì)加工工藝參數(shù)的動(dòng)態(tài)優(yōu)化。本發(fā)明的方法以指令域分析為基 礎(chǔ)，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)控系統(tǒng)工藝參數(shù)快速優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)與插補(bǔ)周期同步， 最大程度實(shí)現(xiàn)數(shù)控系統(tǒng)加工質(zhì)量與效率的提升。 

第二代桌面型激光加工系統(tǒng) LPKF ProtoLaser H4 實(shí)驗(yàn)室加工升級(jí)解決方案 將厚板甚至多層板的機(jī)械鉆孔優(yōu)勢(shì)與高速、無(wú)應(yīng)力的激光圖形加工優(yōu)勢(shì)集成在一臺(tái)桌面型加工系統(tǒng)中。 常見(jiàn)電路板材料的圖形快速加工 無(wú)機(jī)械應(yīng)力，掃描電鏡引導(dǎo)激光精確加工幾何圖形 厚板通過(guò)機(jī)械方式實(shí)現(xiàn)鉆孔和透銑 結(jié)構(gòu)安全、緊湊的桌面型系統(tǒng)：適用于實(shí)驗(yàn)室環(huán)境，激光安全等級(jí)Ⅰ級(jí) 智能直觀的一體化操作軟件LPKF CircuitPro RP 快速制作，加工材料廣泛，實(shí)驗(yàn)室高可靠性加工方案！ 基于LPKF ProtoLaser 激光直寫(xiě)系統(tǒng)與LPKF ProtoMat機(jī)械系統(tǒng)的多年實(shí)踐驗(yàn)證，LPKF推出了激光與機(jī)械結(jié)合的第二代解決方案LPKF ProtoLaser H4，該型號(hào)結(jié)構(gòu)緊湊、更加經(jīng)濟(jì)，效率也更高，在CircuitPro智能軟件的助力下，將CAD數(shù)據(jù)導(dǎo)入，激光加工與機(jī)械加工自動(dòng)無(wú)縫對(duì)接，直接完成電路板的全部加工步驟。 最新一代的桌面型入門激光加工系統(tǒng)，內(nèi)置電腦以及操作軟件，即插即用。 僅需連接電源插座，壓縮空氣以及吸塵器即可加工標(biāo)準(zhǔn)單面/雙面FR4基材，單面RF、PTFE或者陶瓷基板，也可實(shí)現(xiàn)柔性基材如PET膜上的鋁箔100 μm/50 μm的線寬/間距。系統(tǒng)配置了真空吸附臺(tái)，柔性基材和箔片材料可任意放置，確保將其輕松固定在工作臺(tái)表面。 操作簡(jiǎn)單 視覺(jué)校準(zhǔn)、材料厚度測(cè)量、六個(gè)機(jī)械刀具位以及大量軟件定義的激光工具和預(yù)置大量材料參數(shù)庫(kù)供參考，LPKF ProtoMat H4幾乎無(wú)需用戶人工干預(yù)即可自動(dòng)運(yùn)行。 結(jié)構(gòu)緊湊加工效率高 ProtoLaser H4第二代桌面型激光系統(tǒng)，僅需一個(gè)電源插座和壓縮空氣即可運(yùn)行。系統(tǒng)配備了大理石操作臺(tái)面，激光安全等級(jí)為一級(jí)，無(wú)需其他防護(hù)措施。  

本發(fā)明公開(kāi)了一種閾值電壓可調(diào)的薄膜晶體管作為非易失性存儲(chǔ)器的用途，薄膜晶體管的頂柵、阻擋層、存儲(chǔ)層、隧穿層及溝道層構(gòu)成了頂柵型存儲(chǔ)器；薄膜晶體管的溝道層、底柵氧化層及底柵構(gòu)成了底柵型TFT。通過(guò)對(duì)頂柵型存儲(chǔ)器進(jìn)行操作實(shí)現(xiàn)非易失性存儲(chǔ)器的“編程/擦除”操作，通過(guò)對(duì)底柵型TFT進(jìn)行操作實(shí)現(xiàn)非易失性存儲(chǔ)器的“讀”操作?！熬幊?擦除(Program/Erase,P/E)”和“讀”操作的分離，提升了存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)窗口、可靠性以及工作速度等的性能。

本發(fā)明公開(kāi)了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測(cè)器及制備工 藝，光探測(cè)器包括從上之下依次排列的電極結(jié)構(gòu)、多個(gè)層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結(jié)構(gòu)為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長(zhǎng)采用化學(xué)氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過(guò)控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進(jìn)入反應(yīng)的時(shí)間和反應(yīng)溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬

本發(fā)明公開(kāi)了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測(cè)器及制備工 藝，光探測(cè)器包括從上之下依次排列的電極結(jié)構(gòu)、多個(gè)層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結(jié)構(gòu)為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長(zhǎng)采用化學(xué)氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過(guò)控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進(jìn)入反應(yīng)的時(shí)間和反應(yīng)溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬

一種網(wǎng)格狀CuxS/Cu2O，x＝1.75～2復(fù)合類金字塔薄膜的制備方法，具體作法是：將方塊面電阻為10-14歐的FTO，依次用HCl溶液、洗衣粉溶液、異丙醇溶劑超聲洗凈，晾干；取含CuSO4和乳酸的混合溶液，以FTO為工作電極，鉑片為對(duì)電極，采用電壓法沉積；沉積后取出FTO，清洗烘干得Cu2O類金字塔薄膜的FTO；再將其放入Na2S溶液中處理，清洗烘干即在FTO上得網(wǎng)格狀CuxS/Cu2O復(fù)合類金字塔薄膜。該方法設(shè)備簡(jiǎn)單，能耗低，適合大規(guī)模生產(chǎn)；制得物對(duì)太陽(yáng)光吸收波長(zhǎng)范圍寬，作為太陽(yáng)能電池材料具有應(yīng)用前景；可作為模版和反應(yīng)介質(zhì)直接合成其它具有窄禁帶寬度的類金字塔形化合物，作為太陽(yáng)能電池材料。

一種鈦基底上制備有機(jī)分子雜化TiO2納米復(fù)合薄膜的方法，其主要步驟是：A、將純鈦片兩次放入多巴胺溶液中各浸泡10-14h，得涂層模板；B、將沒(méi)食子酸、己二胺配成混合溶液，置于35-39℃的水浴中，再將涂層模板在混合溶液中浸3-5h，取出超聲清洗三遍，得有機(jī)分子層模板；C、將0.1-0.2 mol/L的(NH4)2TiF6溶液和0.2-0.4 mol/L的H3BO3溶液，按體積比1:1混合成混合液；再調(diào)節(jié)PH值至2.7-2.9；D、將有機(jī)分子層模板浸入混合液中，在45-55℃的水浴鍋中浸泡10-40h，即得。該法在鈦基底上制備得到的TiO2薄膜的結(jié)合力高、分布均勻、光電轉(zhuǎn)換效率高，生物相容性好。

北京科技大學(xué)特種陶瓷研究室開(kāi)發(fā)出一種自蔓延反應(yīng)燒結(jié)氮化硅/氮化硼復(fù)相可加工陶瓷材料，其應(yīng)用前景極其廣闊。 Si和N2合成Si3N4反應(yīng)的絕熱燃燒溫度高，體積有所增加，生成棒狀的b-Si3N4相相互交叉，提高了自蔓延反應(yīng)燒結(jié)氮化硅多孔陶瓷的強(qiáng)度，但氮化硅加工性能差。h-BN陶瓷可加工性能好，但燒結(jié)性能差。本項(xiàng)目利用h-BN相在氮化硅陶瓷中形成弱界面，當(dāng)加工時(shí)，弱界面上會(huì)形成微裂紋，并沿弱界面發(fā)生偏轉(zhuǎn)，耗散裂紋擴(kuò)展的能量使裂紋擴(kuò)展終止；當(dāng)載荷繼續(xù)上升時(shí)，在下層的弱結(jié)合界面處將產(chǎn)生新的臨界裂紋再擴(kuò)展；如此反復(fù)，使裂紋成為跳躍式階梯狀擴(kuò)展，斷裂漸次發(fā)生而非瞬間脆斷，使氮化硅/氮化硼多孔陶瓷材料具有了好的可加工性能。 本項(xiàng)目原料中采用了一定比例的Si粉，比完全以Si3N4粉為原料的普通燒結(jié)工藝節(jié)約了原料成本。產(chǎn)品的基本工藝為自蔓延高溫合成（燃燒合成）工藝，在氣體高壓反應(yīng)器中進(jìn)行，燒結(jié)所需要的能量完全由原料自身放熱提供，與其他制備方法（常壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)、反應(yīng)燒結(jié)）相比較，不需要高溫?zé)Y(jié)爐長(zhǎng)時(shí)間燒結(jié)，大大節(jié)省了能源。本項(xiàng)目工藝簡(jiǎn)單，燒結(jié)速度快，效率高?？芍谱鲝?fù)雜形狀一維，二維的大尺寸陶瓷材料。抗彎強(qiáng)度已做到188MPa，材料可加工性能優(yōu)良。 已獲中國(guó)發(fā)明專利《ZL 200610089013.6自蔓延反應(yīng)燒結(jié)Si3N4/BN復(fù)相可加工陶瓷的方法》。

葉片與葉盤(pán)是航空發(fā)動(dòng)機(jī)、重型燃機(jī)等的關(guān)鍵核心零件，其葉片復(fù)雜型面的高效高精度先進(jìn)加工技術(shù)是保證航發(fā)及燃機(jī)正常穩(wěn)定運(yùn)行的決定因素。為打破航發(fā)及重型燃機(jī)關(guān)鍵零部件高效高精加工技術(shù)國(guó)際封鎖和壟斷，在國(guó)家自然科學(xué)基金支持下，課題組針對(duì)葉片、葉盤(pán)的工藝特點(diǎn)，研究數(shù)字化設(shè)智能加工－測(cè)量一體化集成技術(shù)，自主開(kāi)發(fā)了集成雙模式靈巧測(cè)量－誤差動(dòng)態(tài)補(bǔ)償－復(fù)雜曲面CAM編程－力位動(dòng)態(tài)解耦－多軸聯(lián)動(dòng)控制的關(guān)鍵核心技術(shù)，開(kāi)發(fā)出系列的自動(dòng)化柔性復(fù)合磨削及拋光加工閉環(huán)智能制造裝備，可實(shí)現(xiàn)一次裝夾完成葉片及葉盤(pán)相應(yīng)葉尖、型面、進(jìn)/排氣邊、葉根圓角和凸臺(tái)過(guò)渡區(qū)部位的復(fù)合磨拋集成加工，可極大提高航空發(fā)動(dòng)機(jī)葉片及其葉盤(pán)、重型燃機(jī)整體葉盤(pán)及葉片、汽輪機(jī)葉片等的加工精度及效率，推進(jìn)我國(guó)航空及能源動(dòng)力產(chǎn)業(yè)的技術(shù)提升與發(fā)展。 應(yīng)用領(lǐng)域： 航空發(fā)動(dòng)機(jī)、重型燃機(jī)、汽輪機(jī)、鼓風(fēng)機(jī)等透平機(jī)械葉片制造行業(yè) 技術(shù)指標(biāo)： ？ 實(shí)現(xiàn)各型葉片型面的粗磨及精磨過(guò)程，表面粗糙度≤Ra 0.2μm； ？ 葉片型面輪廓度：距排氣緣3mm范圍內(nèi)在±0.03mm內(nèi)，其余區(qū)域在±0.05mm以內(nèi)。