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本發明公開了一種固定化的洋蔥伯克霍爾德菌脂肪酶及其制備方法。所述固定化的洋蔥伯克霍爾德菌脂肪酶，包括碳納米管基質和洋蔥伯克霍爾德菌脂肪酶，所述洋蔥伯克霍爾德菌脂肪酶通過親和吸附和/或共價結合的方式結合在碳納米管基質的開放端口、表面和內壁。所述制備方法包括以下步驟：(1)硫酸超聲處理碳納米管；(2)制備碳納米管與洋蔥伯克霍爾德菌脂肪酶混合液；(3)將碳納米管與洋蔥伯克霍爾德菌脂肪酶混合液在 4℃至 60℃下，振蕩反應，獲得所述固定化的洋蔥伯克霍爾德菌脂肪酶。本發明提供的固定化的洋蔥伯克霍爾德菌脂肪酶增

該成果獲 2013 年度教育部科學技術進步獎一等獎， 2017 年國家科技進步二等獎。成果探明了我國食源性彎曲菌、沙門菌、單核細胞增生李斯特菌和副溶血性弧菌在全產業鏈的定量流行病學新特征，創建了其快速定性、定量檢測新技術，菌種庫和分子溯源數據庫以及定量風險評估體系，建立了風險預測模型和軟件，定量評估了雞肉彎曲菌污染對我國人群的健康風險；創制了新型消毒制劑、有機酸和低溫控制技術和新型系列防控疫苗等病原菌干預技術，形成了覆蓋產業鏈全程的食源性病原菌集成防控技術體系，實現了傳播和風險的有效防控。

產品詳細介紹一、用途：用于自動進行抑菌圈測量和抗生素藥敏分析、抗生素效價分析、乳酸鏈球菌素效價分析等二、主要性能參數指標：1 ★成像裝置配Epson Perfection V330 Photo超微立體彩色掃描成像儀（最高4800dpi、19mm大景深、微透鏡12 線矩陣CCD），亮度可調、自動聚焦，能實現光學分辨率2960萬像素的懸浮式暗視野成像，最大色彩深度48位適應培養皿：50～180mm及A4幅面內的矩形平板，同時測定6個90mm平皿2 ★抑菌圈測量（含藥敏效價自動分析）1)一鍵式全自動測定6個90mm直徑平皿中的所有抑菌圈，可全自動測定局部粘連的抑菌圈，可在有局部文字干擾的情況下，自動獲得抑菌圈面積、直徑等結果。測量分析耗時1～4秒鐘，能統一保存或查看閱讀相關各類分析數據2)平皿可任意方向擺放。具有抑菌圈樣本自動挑選、保真的可視化比對、編輯功能。抑菌圈測量系統的讀數分辨率≤0.001mm、最高光學測量分辨率≤0.0053mm，重復測量誤差≤±0.01mm或≤±0.1%；效價測量誤差≤±0.1%；效價重復測量誤差≤±0.1%；臺間測量差異≤0.2%3)符合中國藥典、USP美國藥典、EP歐洲藥典，可完成最新的國家藥典(2020版)一、二、三劑量及合并計算，以及全部菌種的抗生素效價分析。具有效價的組合優化分析特性。4)可按食品添加劑 乳酸鏈球菌素QB 2394-2007標準，全自動同時測量24個以上抑菌圈并自動分析出效價5)內置美國CLSI“抗微生物藥物敏感性試驗執行標準”最新第25版(2015)數據，提供數據輸入和修改平臺，方便更新，為紙片法藥敏分析提供快捷工具3 數據導出：分析結果可保存，自動形成Excel或PDF文檔報告。軟件具有在線升級特性。4★數據追溯、權限保護，操作記錄可追蹤回溯，符合GLP和GMP要求：采用多重系統構架，分設職能與權限，確保數據信息的安全、完整、真實和可追溯。1)系統管理員：負責創建、管理所有普通管理員與操作員的賬戶，設置普通管理員和操作員的權限。系統管理員只有一個，擁有系統最高權限。2)普通管理員：負責全部測試數據的審核、存檔管理、以及其他系統數據的管理。系統可分配多個普通管理員，其權限由系統管理員設置分配。3)操作員：負責樣品制作、測試、修正、形成電子報告、提交審核等。系統可分配多個操作員，其權限由系統管理員設置分配。4)所有賬戶都可自行修改登錄密碼，設置自己的電子簽名并輸出到報告。5)系統自動記錄每個賬戶的操作記錄，系統管理員可對操作記錄進行追溯、查看、輸出等。5 測量功能：全自動尺寸標定，也可人工標定。可鼠標拖動精確測量長度、角度、弧度、面積、弧線、任意曲線。6 系統配置：萬深HiCC-T型自動抑菌圈測量分析軟件、鎖及附件  1套EPson Perfection V330 Photo超微立體彩色掃描成像儀   1臺萬深HiCC系列自動抑菌圈測量儀專用標準板 1片（附1份權威校準認證書）7．環境條件：溫度10~30℃，相對濕度≤85%，防止強光照射。儀器應放在平穩工作臺上，周圍無強烈的機械振動和電磁干擾；電源要求220V±10%，50Hz。推薦選配：品牌電腦（酷睿i5 CPU / 8G內存/ 19.5”彩顯/無線網卡，5個以上USB2.0口，運行環境Windows 10完整專業版或旗艦版） 

項目成果/簡介:本發明提供高效降解黃曲霉毒素B1和赭曲霉毒素A的溶桿菌及其用.具體地,本發明提供一株雙功能高效降解菌(Lysobacter?sp.)CW239及其在降解低污染濃度黃曲霉毒素B1和赭曲霉毒素A中的應用.與現有的黃曲霉毒素降解菌相比,本發明的菌株CW239能夠在低濃度毒素污染條件下達到極佳的降解效果.在液體發酵條件下,在含有黃曲霉毒素B1和赭曲霉毒素A終濃度20μg/L的發酵培養液中,12h菌株CW239對赭曲霉毒素A的降解率為53.1%,48h降解率達到99.8%;12h菌株CW239對黃曲霉毒素B1的降解率為42.5%,48h降解率達到83.4%.用菌株CW239處理毒素污染的飼料(終濃度20μg/kg),48h對赭曲霉毒素A降解率為68.7%,黃曲霉毒素B1降解率為52.1%.菌株CW239在食品及飼料生物脫毒應用方面具有實質性的應用價值和重大意義.

本實用新型提供了一種黃曲霉毒素的連續式等離子體—紫外耦合降解裝置，所述裝置設計有等離子體發射器、等離子體發生器、紫外光源、傳送帶、總控制面板。該裝置主要用于糧食中黃曲霉毒素的降解。該裝置利用紫外光源和等離子體協同降解黃曲霉毒素，可用于工業化連續生產。該裝置結構簡單，操作方便，可以快速連續化地降解每粒表面的黃曲霉毒素，降解過程低溫、無溶劑殘留，無環境污染，且處理后的物料保持原有的色香味及營養品質。

本發明提供高效降解黃曲霉毒素B1和赭曲霉毒素A的溶桿菌及其用.具體地,本發明提供一株雙功能高效降解菌(Lysobacter?sp.)CW239及其在降解低污染濃度黃曲霉毒素B1和赭曲霉毒素A中的應用.與現有的黃曲霉毒素降解菌相比,本發明的菌株CW239能夠在低濃度毒素污染條件下達到極佳的降解效果.在液體發酵條件下,在含有黃曲霉毒素B1和赭曲霉毒素A終濃度20μg/L的發酵培養液中,12h菌株CW239對赭曲霉毒素A的降解率為53.1%,48h降解率達到99.8%;12h菌株CW239對黃曲霉毒素B1的降解率為42.5%,48h降解率達到83.4%.用菌株CW239處理毒素污染的飼料(終濃度20μg/kg),48h對赭曲霉毒素A降解率為68.7%,黃曲霉毒素B1降解率為52.1%.菌株CW239在食品及飼料生物脫毒應用方面具有實質性的應用價值和重大意義.

本發明公開了一種用于油氣田中的可降解水基清潔壓裂液稠化劑。本發明將具有酯基和磺基的甜菜堿型兩性表面活性劑稠化劑式(I)用于可降解水基清潔壓裂液中，得到的可降解水基清潔壓裂液可自動破膠，且在剪切一小時后壓裂液的粘度仍保持在50mPa·s以上。所述的可降解水基清潔壓裂液的主要化學成分為具有酯基和磺基的甜菜堿型兩性表面活性劑稠化劑和交聯劑，稠化劑的質量百分比為1.5％?4.0％；交聯劑的質量百分比為0.5％?1.0％。本發明的可降解水基清潔壓裂液的生物降解性好，對環境影響小、耐溫耐剪切性能好、破膠完全無殘渣、配制簡單。

本發明公開了一種用于油氣田中的可降解水基清潔壓裂液稠化 劑。本發明將具有酯基和磺基的甜菜堿型兩性表面活性劑稠化劑式(I) 用于可降解水基清潔壓裂液中，得到的可降解水基清潔壓裂液可自動 破膠，且在剪切一小時后壓裂液的粘度仍保持在 50mPa·s 以上。所述 的可降解水基清潔壓裂液的主要化學成分為具有酯基和磺基的甜菜堿 型兩性表面活性劑稠化劑和交聯劑，稠化劑的質量百分比為 1.5％ -4.0％；交聯劑的質量百分比為 0.

（專利號：ZL 201410104099.X） 簡介：本發明公開了一種用于降解甲醛氣體的TiO2光催化涂料及其制備方法，屬于光催化涂料技術領域。該涂料包含光催化填料、成膜物質、分散劑、穩定劑、潤濕劑、防霉劑、消泡劑以及增稠劑等，所述光催化填料為Cu-La/TiO2，其粒徑為110nm～150nm。本發明光催化涂料的制備包括兩個步驟：（1）Cu-La/TiO2光催化填料的制備；（2）光催化涂料的制備。本發明光催化涂料能在可見光源下光催化降解

針對目前污水處理中的設備復雜、成本高及二次污染等技術瓶頸問題，本項 目研發了可降解高分子絮凝劑，并與超聲方法聯合使用，對污水進行處理，解決了目前污水處理的二次污染和高成本問題，產生了較好的社會效益。實現了水資源的修復與循環利用、天然資源的開發與應用以及廉價高效進行污水處理等科技創新和技術進步。獲授權發明專利 8 件，申請 PCT 發明專利 1 件；第三方檢測結果；發表論文 20 余篇。進行了合成中試和推廣試用。成果的技術指標、創新性與先進性以天然產物海藻酸鈉為基體，得到新型的改性海藻酸鈉絮凝劑；在改性海藻酸納分子中引入磁性納米粒子基團，合成了具有磁響應性的納米絮凝劑；對水中的重金屬離子和有機雜質進行了吸附和絮凝作用研究。將絮凝技術與物理超聲方法聯合使用，將聲空化效應運用到大容量廢水處理中，設計并制備了新型動力式與壓電式兩種換能裝置，用超聲－臭氧-紫外聯用技術對工業廢水中的有機污染物進行去污處理，取得很好的效果。產品的吸附容量大、脫除率高、速度快，后處理容易，無二次污染，環境友好。對于含有重金屬離子 Pb2+、Cu2+ 、Hg2+、Cd2+ 、 Fe3+、Ni2+ 的工業污水進行吸附實驗，結果表明：對于重金屬離子去除率大于 95%， 選擇性吸附性能， Pb(II) ＞ Cu(II) ＞ Hg(II) ＞ Cd(II) ＞ Fe(III) ＞ Ni(II) ＞Cr（VI）。