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一種多殼層核殼微納結構Cu2O的制備方法
“一種多殼層核殼微納結構Cu2O的制備方法”屬于半導體領域?，F有方法對設備要求較高，過程復雜，難以控制成本，嚴重影響Cu2O樣品的應用范圍。本發明特征在于：按照硫酸銅與檸檬酸三鈉的摩爾濃度比范圍12∶4～12∶18，硫酸銅與葡萄糖的摩爾濃度比范圍12∶2～12∶22，將檸檬酸三鈉溶液加入硫酸銅溶液中，充分絡合后加入葡萄糖溶液；調節溶液pH值至12.3～14.0；于50°C～95°C反應1.5h～6.0h；反應結束后沖洗、烘干，即得所需產物。該方法(采用葡萄糖作還原劑的化學浴沉積法)與其它液相制備核殼
安徽建筑大學
2021-01-12
一種核殼結構CuO@γ-Al2O3復合粒子的制備方法
本發明公開了一種核殼結構CuO@γ?Al2O3復合粒子的制備方法，其先將十二水硫酸鋁鉀和尿素按摩爾比為1：2加入去離子水中攪拌，得溶液A；在葡萄糖水溶液中逐滴加入乙酸銅溶液攪拌，得溶液B；將溶液A逐滴滴加至溶液B中攪拌，并加熱反應得沉淀物，沉淀物經過濾、干燥；置于馬弗爐中，以升溫速率為2～3°C/min升溫至500～600°C，并保持2～4h，得到CuO為內核、γ?Al2O3為殼層的核殼結構CuO@γ?Al2O3復合粒子。本發明采用水熱法一步合成技術，未采用有機溶劑、不產生工業廢水，綠色環保；且制備
安徽建筑大學
2021-01-12
解析超高遷移率層狀Bi2O2Se半導體的電子結構
超高遷移率層狀Bi2O2Se半導體的電子結構及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高質量的層狀Bi2O2Se半導體單晶塊材，其低溫2 K下霍爾遷移率可高達~2.8*105 cm2/Vs（可與最好的石墨烯和量子阱中二維電子氣遷移率相比），并觀測到顯著的舒布尼科夫-德哈斯量子振蕩。隨后，在超高真空條件下，研究組對所得Bi2O2Se單晶塊材進行原位解理，并利用同步輻射光源角分辨光電子能譜（ARPES）獲得了非電中性層狀Bi2O2Se半導體完整的電子能帶結構信息，測得了電子有效質量（~0.14 m0）、費米速度（~1.69*106 m/s，約光速的1/180）及禁帶寬度（~0.8 eV）等關鍵物理參量。?
北京大學
2021-04-11
低 C/N 比污水A2/O+BAF 深度脫氮除磷工藝技術
針對我國低 C/N 比污水現狀和深度脫氮除磷的要求，本項目全面開發適用于低 C/N 比污水處理的A2/O+BAF（曝氣生物濾池）深度脫氮除磷工藝技術，以解決我國污水深度脫氮除磷碳源缺乏的問題。本項目基于反硝化除磷技術和雙污泥理論，構建 A2/O+BAF 系統，從工藝設計上解決傳統工藝中脫氮和除磷污泥齡的矛盾，并建立起強化 A2/O+BAF 工藝反硝化除磷性能的過程控制方法，使污水處理在不外加碳源的條件下能夠達標排放，并且能夠節省曝氣能耗和降低污泥產量，是一種具有廣泛應用價值的新型污水處理技術。
北京工業大學
2021-04-13
低C/N比污水A2/O+BAF深度脫氮除磷工藝技術
北京工業大學
2021-04-14
一種基于 I/O 流水線的失效節點數據重構優化方法
本發明公開了一種基于 I/O 流水線的失效節點數據重構優化方 法 ， 包 括 ： 從 糾 刪 碼 存 儲 集 群 中 的 存 活 節 點 中 任 選 k 個 節 點 N1,N2,…,Nk，并初始化計數器 i＝0，j＝1，節點 Nj 讀取其自身的分塊 Blocki,j，并將其發送到 Nj+1，并設置 j＝j+1，節點 Nj 讀取其自身的 分塊 Blocki,j，并與接收自節點 Nj-1 的分塊 Blocki,j-1 進行線性組合計
華中科技大學
2021-04-14
CuFe2O4復合材料催化氧化有機污染物的性能與機理
一、項目進展
創意計劃階段
二、負責人及成員
姓名
學院/所學專業
入學/畢業時間
學號
馮疇境
化學化工學院環境工程
2019-2023
201931043101
李暄
化學化工學院環境工程
2019-2023
201931043116
羅雨欣
化學化工學院環境工程
2019-2023
201931043111
黃品杰
化學化工學院環境工程
2019-2023
201931043110
張一丹
化學化工學院環境工程
2019-2023
201931043105
三、指導教師
姓名
學院/所學專業
職務/職稱
研究方向
周家斌
化學化工學院
教授
環境材料與污染控制
劉丹
化學化工學院
講師
環境材料與污染控制
四、項目簡介
工業生產當中產生大量的有機廢水需要凈化處理，對此問題，本課題準備采用光催化耦合基于硫酸根自由基的快速降解水中有機污染物。制備出磁性好、易回收且具有良好催化性能的Z型CuFe2O4/MnO2復合材料來活化PMS。PMS在復合催化材料表面會迅速反應生成硫酸根和羥基的自由基，同時在光照下實現電子空穴的有效分離。通過光催化和高級氧化產生的強氧化性的活性物種會爭奪有機物的最外層電子來實現對有機廢水的高效降解。
因為CuFe2O4具有磁性好、易回收、可重復使用、低毒、化學性質穩定、可見光催化活性等優點，可減少二次污染，且能夠高效的活化PMS，此外，PMS可作為電子受體快速轉移和消耗光生電子，實現電子和空穴的有效分離，提高其光催化活性。同時，通過摻雜MnO2顆粒進一步提高CuFe2O4催化劑比表面積，在反應體系中能夠進一步活化PMS產生氧化自由基，從而有效地降解有機物。
西南石油大學
2023-07-20
翼緣摩擦型形狀記憶合金桿自復位鋼框架梁－中柱節點
本發明公開了一種翼緣摩擦型形狀記憶合金桿自復位鋼框架梁?中柱節點，包括中柱、兩根分別位于中柱兩側的梁、橫穿過中柱的形狀記憶合金桿、位于梁翼緣內側的Ｌ型支架、位于梁腹板中間位置的剪切板、位于梁翼緣外側的摩擦耗能器；摩擦耗能器包括梁翼緣外側的鋼板、填充于鋼板和梁翼緣之間的耗能摩擦片、穿過梁翼緣將鋼板、耗能摩擦片、Ｌ型支架連接在一起的高強螺栓。本發明通過引入摩擦耗能器，以顯著提升節點的穩定耗能能力；同時利用形狀記憶合金的超彈性，以實現節點的自復位性能；通過合理設計節點構造，以提高節點處樓板布置的便利性和構件的可更換性，并加強梁翼緣抵抗局部屈曲變形的能力。
東南大學
2021-04-11
腹板摩擦型形狀記憶合金桿自復位鋼框架梁－邊柱節點
本發明公開了一種腹板摩擦型形狀記憶合金桿自復位鋼框架梁?邊柱節點，包括鋼柱、位于鋼柱一側的鋼梁、橫穿過鋼柱的形狀記憶合金桿、位于鋼梁翼緣內側的Ｌ型支架、位于鋼梁腹板中間位置的摩擦耗能器；摩擦耗能器包括連接鋼柱翼緣和鋼梁腹板的槽鋼、填充于槽鋼和鋼梁腹板之間的耗能摩擦片、以及穿過鋼梁腹板并將槽鋼、耗能摩擦片和鋼梁腹板連接在一起的高強螺栓。本發明可以提高節點處樓板布置的便利性，加強鋼梁翼緣抵抗局部變形能力的同時，增強形狀記憶合金桿與鋼梁端的錨固作用；有效提高節點的自復位性能和滯回耗能能力的同時，提高構件的可更換性。
東南大學
2021-04-11
大面積高質量金剛石自支撐膜的制備技術
本項目是國家863計劃”85” 和”95”重大項目的階段性研究成果(合作單位:河北省科學院)。 包含”大面積高功率DC Arc Plasma Jet CVD金剛石膜高速沉積設備”和”大面積高質量金剛石自支撐膜制備工藝”兩部分。其目標是向國內外市場提供大面積高質量廉價金剛石自支撐膜。技術基本成熟, 設備和工藝已在廣東、北京和天津的一些工廠和研究院所應用。目前已開發兩種不同功率級別, 100千瓦級和30千瓦級的設備, 工具級金剛石膜沉積速率: 40～50mm/h, 沉積面積: ?110mm (100千瓦級), 或?60mm (30千瓦級)。利用本項目技術生產的工具級金剛石膜可達到的指標: 面積: ????mm (100千瓦級), 或 ???mm (30千瓦級); 厚度: 最大2mm; 維氏硬度: 8000～11000 kg/mm2; 抗彎強度: > 300 MPa。光學級金剛石自支撐膜目前最大面積為?60mm, 厚度約0.6mm, 從紫外(0.22?m)到遠紅外(>20?m, 直至微波)透明, 8～12?m波段透過率～70%, 熱導率～19W/cm.k, 各項物理化學性能均與天然Ⅱa型寶石級金剛石單晶接近。 該項目適用于光學級金剛石自支撐膜: 工業CO2激光器窗口, 需要在極端惡劣工業環境(高溫、腐蝕、幅射、磨損、沖刷等)下工作的光學裝置窗口、軍事窗口等。也可用于中高檔耐用裝飾品制作。 熱沉級金剛石自支撐膜: 半導體二極管激光器熱沉、功率半導體器件(Power IC)的金剛石封裝、MCMs (大規模集成電路的三維立體組裝技術)用大面積金剛石熱沉、高功率微波器件熱沉。 工具級金剛石自支撐膜: 金剛石拉絲模模芯、金剛石自支撐膜釬焊工具、各種抗極度摩擦磨損工具和模具及儀器零件。
北京科技大學
2021-04-11