一種通過(guò)用膠帶預(yù)處理生長(zhǎng)基底來(lái)合成單層二硫化鉬枝晶的方法
一種通過(guò)用膠帶預(yù)處理基底來(lái)氣相沉積生長(zhǎng)單層MoS 2 枝晶的方法,有意在初始成核階段和/或生長(zhǎng)過(guò)程中引入孿晶缺陷,實(shí)現(xiàn)單層MoS 2 樹枝晶的形貌調(diào)控。所得的MoS 2 晶體具有六次對(duì)稱的骨架,分枝數(shù)可調(diào)。其形狀的演化過(guò)程是由膠黏劑種子誘導(dǎo)的雙晶缺陷形核和局部硫/鉬源蒸氣比的協(xié)同效應(yīng)所引起的。此外,由于硫空位的富集,極大地增強(qiáng)了循環(huán)孿晶區(qū)的光致發(fā)光效率。該工作為合成可控形狀的單層MoS 2 提供了一種簡(jiǎn)便有效的策略,同時(shí)也為理解孿晶缺陷的生長(zhǎng)機(jī)制以及在其電催化和光電催化等領(lǐng)域的應(yīng)用做出了貢獻(xiàn)。
南方科技大學(xué)
2021-04-13