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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺
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一種交流無刷雙饋電機及其齒諧波繞線轉(zhuǎn)子分布繞組的設(shè)計方 法
本發(fā)明公開了一種交流無刷雙饋電機及其繞線轉(zhuǎn)子繞組的設(shè)計 方法；包括：先根據(jù)定子繞組極對數(shù) p1 和 p2 初步確定轉(zhuǎn)子齒槽數(shù) Zr 和相數(shù) mr，這時 Zr＝mr，每個齒對應(yīng)一個集中式線圈，由此得到齒諧 波集中式繞組，然后擴大轉(zhuǎn)子槽數(shù)，選擇系數(shù) kr，使新的轉(zhuǎn)子槽數(shù) Z ＝krZr，這時極距τr＝kr。此基礎(chǔ)上，將原來的每相一個集中式線圈 分裂為 nr 個等節(jié)距 yr 的線圈，且 nr≤kr 及有 yr<、τr，這 nr 個線 圈依次間隔αr 槽距角分布在轉(zhuǎn)子槽內(nèi)，再通過調(diào)整 kr 和
華中農(nóng)業(yè)大學(xué)
2021-04-14
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一種適用于拜耳法的赤泥無害化綜合回收利用工藝
本發(fā)明公開的一種適用于拜耳法的赤泥無害化綜合回收利用工藝主要是脫除赤泥中堿性物并通過技術(shù)手段大量提選赤泥中的鐵礦物，同時，將具有放射性的礦物如鋯石、獨居石等從赤泥中分離出來，分離后的赤泥尾礦作為大宗原料用于水泥加工、磚瓦燒制、筑路等，或者用作礦井充填材料等，將赤泥礦物“變廢為寶”、“吃干榨凈”，實現(xiàn)赤泥的大規(guī)模資源化利用，從根本上解決了赤泥筑壩堆存引起一系列的資源、環(huán)境問題和安全隱患。
安徽理工大學(xué)
2021-04-13
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一種可主動運渣土的全套管工法用鋼套管及其施工方法
本發(fā)明公開了一種可主動運渣土的全套管工法用鋼套管，包括若干鋼套管和螺旋鉆桿以及用于掘土的鉆頭，若干所述螺旋鉆桿由下至上順序軸向連接，并沿其軸向貫穿在由下至上順序軸向連接的鋼套管內(nèi)部，最上端的所述鋼套管設(shè)有排渣口，所述鉆頭的底部設(shè)有高壓水槍的連接口，所述鉆頭安裝于最下端的螺旋鉆桿，所述螺旋鉆桿的葉片與鋼套管內(nèi)壁固定連接，鋼套管帶動螺旋鉆桿轉(zhuǎn)動過程中，螺旋向上的葉片將鉆頭掘起的渣土輸送至排渣口。本發(fā)明的鋼套管對貝諾托工法用鋼套管結(jié)構(gòu)進行改造，提出將鋼套管與螺旋鉆桿固定的技術(shù)方案，從而實現(xiàn)施工過程邊掘進邊
東南大學(xué)
2021-04-14
新修訂的《中華人民共和國專利法實施細(xì)則》全文發(fā)布
自2024年1月20日起施行。
云上高博會
2023-12-23
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一種采用基于 Delaunay 三角剖分的空間網(wǎng)絡(luò)編碼的網(wǎng)絡(luò)傳輸方 法
本發(fā)明公開了一種采用基于 Delaunay 三角剖分的空間網(wǎng)絡(luò)編碼的網(wǎng)絡(luò)傳輸方法，適用于包含 N 個終端點的傳輸網(wǎng)絡(luò)；包括初始化步驟、Delaunay 預(yù)處理步驟、形成子矩形步驟、子矩形劃分步驟、求平衡前線性規(guī)劃最優(yōu)解步驟、調(diào)整中繼點到平衡位置步驟、求平衡后線性規(guī)劃最優(yōu)解步驟和 Delaunay 后處理步驟；通過采用 Delaunay 三角剖分得到斯坦納點和增補的斯坦納點作為候選的中繼點，并通過非均勻劃分得到候選的中繼點，從上述候選的中繼點中選出最優(yōu)的中繼點，對選出中繼點的位置進行微調(diào)以進一步降低代價，從而得到采用空間網(wǎng)絡(luò)編碼的網(wǎng)絡(luò)傳輸方案，解決現(xiàn)有技術(shù)中僅基于非均勻劃分的空間網(wǎng)絡(luò)編碼方法中，當(dāng)中繼點與終端點非均勻密度分布時求線性規(guī)劃最優(yōu)解時計算量大的問題，進一步有效提升網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)目傮w性能。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
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一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長方法
專利內(nèi)容是本發(fā)明針對背景技術(shù)存在的缺陷，提出了一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長方法，緩解了襯底與薄膜之間的應(yīng)力產(chǎn)生，得到的單晶石榴石厚膜可作為磁光或微波厚膜應(yīng)用，該方法制得的磁光厚膜的厚度可達100µm以上。
電子科技大學(xué)
2021-02-01
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一種糖基/磺化改性親和聚合物中空纖維分離膜、其制備方法及用途
本發(fā)明公開一種糖基/磺化改性親和聚合物中空纖維分離膜及其制備方法。該膜由聚合物樹脂、磺化聚合物樹脂和糖類高分子組成，在優(yōu)選的原料與比例下對LDL有良好的特異性吸附作用，且具有良好的穩(wěn)定性和生物相容性，可重復(fù)使用，成本低廉，有望投入大規(guī)模臨床應(yīng)用。其制備方法包括以下過程:將膜用聚合物樹脂、磺化聚合物樹脂、糖類高分子、致孔劑按一定比例溶于溶劑，制成均一的紡絲制膜液，將紡絲制膜液過濾、真空脫泡后，通過浸沒沉淀相轉(zhuǎn)化法紡絲制備中空纖維成膜，然后將所制得的中空纖維膜依次在去離子水和超純水充分漂洗。本發(fā)明采用的共混溶解制備法具有操作簡便安全、原材料廉價易得等優(yōu)點。
浙江大學(xué)
2021-04-11
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高穩(wěn)定金屬膜電阻器用磁控濺射中高阻靶材及制備技術(shù)
成果與項目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數(shù)小、耐熱性和穩(wěn)定性 好等優(yōu)點，在精密電子設(shè)備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來 說，靶材是至關(guān)重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數(shù)（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(shù) (TCR)是金屬膜電阻器的一個重要性能技術(shù)指標(biāo)之一，較大的 TCR 在溫度變化時 會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩(wěn)定性。目前國內(nèi)外生產(chǎn)的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術(shù)原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數(shù)小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數(shù)量級為千歐, 刻槽后數(shù)量級為 兆歐)且穩(wěn)定(隨時間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜 穩(wěn)定性高。通過在金屬 C r 中引入半導(dǎo)體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量 的氧來提高薄膜的電阻率, 同時調(diào)節(jié)電阻溫度系數(shù)。 技術(shù)指標(biāo)如下： 溫度沖擊實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實驗后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數(shù) TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應(yīng)用領(lǐng)域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導(dǎo)體微環(huán)激光器 3 基光電集成電路 4 無線網(wǎng)絡(luò)與應(yīng)用：協(xié)作無線網(wǎng)絡(luò) 5 移動通信—LTE 技術(shù)
天津大學(xué)
2021-04-11
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超晶格結(jié)構(gòu)的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法
簡介：本發(fā)明提供一種超晶格結(jié)構(gòu)的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調(diào)制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發(fā)明的優(yōu)點在于:Cr2N層與WC層交替分布實現(xiàn)了Cr-N基膜成分多元化和結(jié)構(gòu)多層化,解決了抗氧化性較強的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時非晶WC層進一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
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復(fù)極式離子膜電解槽極網(wǎng)自動化激光焊接成套技術(shù)裝備
北京工業(yè)大學(xué)
2021-04-14