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本發(fā)明公開(kāi)了一種適用于成卷柔性電子器件的逐片轉(zhuǎn)移裝置， 包括薄膜進(jìn)給單元、載帶輸送單元、真空輥吸附單元、壓輥轉(zhuǎn)移單元 和廢料剔除單元，其中薄膜進(jìn)給單元用于薄膜的進(jìn)給運(yùn)動(dòng)并對(duì)薄膜進(jìn) 行模切，模切后的薄膜經(jīng)真空輥吸附單元驅(qū)動(dòng)至壓輥轉(zhuǎn)移單元，模切 后的薄膜在壓輥轉(zhuǎn)移單元中實(shí)現(xiàn)與載帶之間的粘著和固定，廢料剔除 單元?jiǎng)t根據(jù)工況需要提供多種對(duì)廢料的實(shí)時(shí)檢測(cè)和剔除操作。通過(guò)本 發(fā)明，各個(gè)模塊單元之間相互聯(lián)系，共同協(xié)作，實(shí)現(xiàn)對(duì)成卷柔性電子 器件逐片的高速檢測(cè)轉(zhuǎn)移過(guò)程，同時(shí)具備運(yùn)動(dòng)穩(wěn)定性和可靠性好等優(yōu) 點(diǎn)。

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門(mén)適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640 ※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：[email protected]，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µ[email protected]; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：[email protected], 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用； ※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。 ???????

（專利號(hào)：ZL 201410632565.1） 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開(kāi)了一種蒙脫石基金屬鎳納米片催化劑及其制備方法和應(yīng)用，屬于化工技術(shù)領(lǐng)域。該催化劑載體為蒙脫石，活性組分為金屬鎳，鎳質(zhì)量為催化劑總質(zhì)量的5-30wt％，其制備方法是：將蒙脫石與鎳鹽、尿素和水充分?jǐn)嚢杌旌希ㄟ^(guò)超聲輔助分散得到完全剝離為單層蒙脫石納米片的水溶液，用化學(xué)液相沉積-沉淀法在分散于水溶液中的單層蒙脫石納米片表面引入分布均一的鎳物種，經(jīng)高溫還原制得蒙脫石基金屬鎳納米片催化劑。本發(fā)明蒙脫石基金屬鎳納米片催化劑對(duì)芳烴化合物加氫反應(yīng)具有很高的催化活性，同時(shí)該催化劑制備方法簡(jiǎn)單、成本低廉，很適合于工業(yè)化生產(chǎn)。  

本發(fā)明公開(kāi)了一種由大尺寸氧化石墨烯片制備高強(qiáng)度導(dǎo)電石墨烯纖維的方法，膨脹石墨經(jīng)過(guò)氧化得到氧化石墨烯，再將氧化石墨烯分散于水中離心分級(jí)處理得到大尺寸均勻氧化石墨烯片，最后將氧化石墨烯分散于水或極性有機(jī)溶劑中，制成質(zhì)量濃度為1-20%的紡絲液液晶溶膠，將其轉(zhuǎn)入紡絲裝置中，將紡絲液從紡絲頭毛細(xì)管中連續(xù)勻速擠出，進(jìn)入凝固液，凝固后的初級(jí)纖維干燥后得到氧化石墨烯纖維，經(jīng)化學(xué)還原，得到石墨烯纖維。紡絲工藝簡(jiǎn)單，所得石墨烯纖維導(dǎo)電性好，力學(xué)性能優(yōu)異，有較好的韌性，可編織成純石墨烯纖維布，也可與其它纖維混編成各種功能性織物，可在多個(gè)領(lǐng)域代替碳纖維使用。

哈爾濱工程大學(xué)軟包/固態(tài)電池電極極片制備設(shè)備采購(gòu)及服務(wù)競(jìng)爭(zhēng)性磋商

本發(fā)明涉及一種鈦酸鉛納米片與鉑納米粒子復(fù)合材料的制備方法，采用的是光還原沉積法，步驟包括：在鈣鈦礦型鈦酸鉛單晶納米片與去離子水混合的懸濁液中加入六水合氯鉑酸溶液、甲醇，然后在真空狀態(tài)和0℃，在波長(zhǎng)λ＞400nm的氙燈下進(jìn)行光照反應(yīng)，所得產(chǎn)物經(jīng)洗滌，真空干燥，即可。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單，由于鈦酸鉛納米片在表面具有極化場(chǎng)，有利于光還原沉積的鉑納米粒子在復(fù)合材料中穩(wěn)定存在，且鉑納米粒子的沉積效率高。本發(fā)明不僅為高效制備貴金屬納米粒子與半導(dǎo)體納米材料的復(fù)合材料提供了指導(dǎo)，而且制備的鈦酸鉛納米片與鉑納米粒子復(fù)合材料有望用作光解水材料。

解析了MFN1片段在不同GTP水解狀態(tài)下的晶體結(jié)構(gòu)，闡明了MFN1水解GTP的機(jī)制，并提出了MFN1介導(dǎo)線粒體外膜栓連的模型。這為進(jìn)一步闡明線粒體外膜的融合機(jī)制以及線粒體形態(tài)的變化和相應(yīng)生理功能的正常發(fā)揮之間的關(guān)系提供了研究基礎(chǔ)。同時(shí)，還為研究相關(guān)神經(jīng)退行性疾病和癌癥的發(fā)病機(jī)制以及干預(yù)手段提供了信息。

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種帶有平行翅片迂回流道的雙效太陽(yáng)能平板集熱裝置，包括有外殼、玻璃蓋板和位于外殼內(nèi)的集熱板，集熱板上分布有集熱水管，集熱水管上連接進(jìn)水口、出水口，外殼的兩端設(shè)有空氣進(jìn)口、空氣出口，空氣出口通過(guò)管道與風(fēng)機(jī)相連接，集熱板上位于集熱水管的縫隙處焊接有多個(gè)平行翅片，各平行翅片的上沿與玻璃蓋板接觸。本實(shí)用新型可以實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能集熱器同時(shí)給水和空氣進(jìn)行加熱，具有綜合集熱效率高、運(yùn)行穩(wěn)定、節(jié)省空間，成本低等優(yōu)點(diǎn)。

本實(shí)用新型涉及電子技術(shù)，具體涉及一種基于 FPGA 以電阻應(yīng)變片為稱重傳感器的簡(jiǎn)易電子秤，包 括機(jī)械結(jié)構(gòu)和電路部分；電路部分包括線性電源和基準(zhǔn)電壓模塊；機(jī)械結(jié)構(gòu)包括支架、懸臂梁和秤盤(pán)， 懸臂梁一端固定在支架上，秤盤(pán)懸掛于懸臂梁另一端；電路部分還包括電阻應(yīng)變傳感器、信號(hào)放大模塊、 低通濾波器、A/D 轉(zhuǎn)換器、FPGA 及鍵盤(pán)控制模塊和 LCD 顯示模塊；電阻應(yīng)變傳感器與信號(hào)放大模塊、 低通濾波器、A/D 轉(zhuǎn)換器、FPGA 依次相連，鍵盤(pán)控制模塊、

采用核技術(shù)方法，利用高能離子束輻照，對(duì)PtPb/Pt二維納米片進(jìn)行了原子尺度結(jié)構(gòu)調(diào)控和修飾，極大地提高了納米片的催化活性。在線輻照和原位透射電子顯微鏡（TEM）結(jié)果表明：通過(guò)入射高能離子與納米片中靶原子相互作用，精確地控制納米片微觀結(jié)構(gòu)的變化，利用鍵長(zhǎng)變化和電子軌道雜化等機(jī)制來(lái)修飾表面原子的電子結(jié)構(gòu)，從而增加催化反應(yīng)活性位點(diǎn)，增強(qiáng)催化性能。同時(shí)，通過(guò)調(diào)節(jié)入射離子的劑量大小，可以有效地控制缺陷產(chǎn)生的數(shù)量及演化，得到具有不同催化活性的PtPb/Pt二維納米片材料。