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顆粒增強無機非金屬基復合材料
本材料采用無機高分子材料與各種高硬度陶瓷顆粒（硬度Hv1800～2800）在常溫復合固化而成。由于采用與金屬結合力極強的高分子樹脂，因此特別適用于對磨損后部件的修復。
西安交通大學
2021-01-12
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制作斜面培養(yǎng)基的可調式支架
本實用新型公開一種制作斜面培養(yǎng)基的可調式支架，包括底板以及垂直設置在底板上的支撐座、限位板和支撐板，底板上還設置有滑軌，限位板和支撐板可沿所述滑軌左右滑動；支撐座上設置有支撐凹槽，限位板上設置有限位通孔，支撐板上設置有卡槽；本實用新型通過左右滑動支撐板改變試管的傾斜角度，并通過滑動限位板實現(xiàn)限位，達到一架多用的目的，有效保證了培養(yǎng)基在制作過程中的穩(wěn)定性，且支撐板的高度可設計成高度可調的形式，進一步擴寬應用范圍；另外在底板上設置有刻度線、凸板上設置標示卡，方便實驗人員進行記錄和觀察，操作方便，結構設計簡單，保證了實驗的穩(wěn)定性，具有廣泛的實用價值。
青島農業(yè)大學
2021-04-13
天然高分子基醫(yī)用植物膠囊（產品）
成果簡介：傳統(tǒng)膠囊囊殼基本由動物明膠構成，其易失水硬化、吸潮軟化，遇醛類易交聯(lián)，再加上國際穆斯林、猶太教和素食協(xié)會等特殊文化人群的抵 制，使植物膠囊成為傳統(tǒng)膠囊優(yōu)選的替代產品。但國產的植物膠囊骨架材料——羥丙基甲基纖維素(HPMC)性能不達標。本技術解決了植物膠囊專用醫(yī)藥 級 HPMC 研發(fā)、應用，及其膠囊母料復配技術與加工成型難題。膠囊的制備 充分利用現(xiàn)有明膠生產設備與條件，在不改動或少改動膠囊加工設備的前提 下，調整溶液濃度、成型工藝，控制烘干溫度、風速、時間來調整膠囊的形狀、厚度及透明度、脫
北京理工大學
2021-04-14
路橋用復合彩液基快速修復材料
本產品以復合乳液作為改性劑結合交聯(lián)劑對常溫基質瀝青進行改 性，通過優(yōu)化的乳化工藝，制備了高性能、具有穩(wěn)定化學網絡的常溫 瀝青復合乳液基，改變市政路面的施工方式和環(huán)境、通過提高柔性路， 結構形式和強度控制手段，用于人口密集區(qū)要求嚴格的路橋施工，對 于需要快速開放交通的市政路面具有明顯優(yōu)勢。本產品的應用范圍十 分廣泛，可以噴灑使用，做橋面防水粘結層，也可以與集配集料拌合 使用，用于稀漿封層、微表處、碎石封層等對路面進行養(yǎng)護，可提高 路面耐磨、防水等性能、具有施工快、省燃料、工程造價低、減少環(huán) 境污染等特
南京工程學院
2021-01-12
高性能纖維紙基功能材料制備技術
本技術適用于芳綸纖維、高強高模聚乙烯纖維、碳纖維、聚醚醚酮纖維、聚 酰亞胺纖維等高性能化學纖維，采用濕法造紙技術，制備絕緣紙、摩擦材料等紙 基功能材料和蜂窩紙等高強度結構材料等。解決了高性能纖維紙基功能材料生產 中的纖維改性、分散、濕法成形和高溫熱壓等關鍵技術。可提供高性能纖維紙基 材料濕法連續(xù)生產線成套技術，為相關行業(yè)提供高性能纖維紙基功能材料和結構 材料及其復合材料等高新技術材料產品。 2 關鍵技術 對于濕法抄造工藝來說，纖維能否均勻分散、濕法成型工藝和熱壓工藝是否 合理是決定產品質量是否合格的重要因素。本項目成果解決了高性能纖維紙基材 料生產中的纖維改性、分散、濕法成形和高溫熱壓等關鍵技術。 超高效碳纖維電磁屏蔽紙的制備創(chuàng)新地利用碳纖維、金屬導電纖維這兩種纖 維的優(yōu)勢互補，保證成紙在擁有良好屏蔽效能的同時具有很好的機械性能和柔韌299 性。性能良好的超高分子量聚乙烯纖維紙主要是采用纖維洗滌-超聲預處理-疏解 分散-分散劑分散工藝，通過預處理、添加助劑、成型和增強而制得。采用聚酰 亞胺纖維通過自有技術制備得到高性能的聚酰亞胺纖維絕緣紙等紙基功能材料。 采用碳纖維配用聚醚醚酮纖維制備紙基摩擦材料。 3 知識產權及項目獲獎情況 一種聚酰亞胺導電紙的制備方法 201610487328.X 一種超高分子量聚乙烯纖維紙的制備方法 201610921059.3 一種超高分子量聚乙烯纖維的預處理分散方法 201610920332.0 一種超高效碳纖維電磁屏蔽紙 201710204473.7 一種聚醚醚酮纖維紙及其制備方法 201710544478.4 一種碳纖維增強聚醚醚酮紙基摩擦材料及其制備方法 201710559878.2 4 項目成熟度 實驗室試驗和中試已完成，部分成果已經用于試生產。 5 投資期望及應用情況 期望在碳纖維、高強高模聚乙烯纖維、聚醚醚酮纖維技等高性能纖維共同進 行技術開發(fā)或技術轉讓。 采用高性能纖維制備紙基功能材料和結構材料是航空航天、國防、高鐵和電 力電機等重要領域開發(fā)的一類產品，目前主要是日本、奧地利和美國等國家生產。 國內近年開始關注，并有少數(shù)幾家開始進行，但尚只能生產少數(shù)幾類低檔次產品。 目前已經利用本項目成果建成年產 150 噸聚酰亞胺纖維絕緣紙生產線，生產 聚酰亞胺纖維絕緣紙
江南大學
2021-04-13
發(fā)現(xiàn)高性能AgBiSe2基熱電材料
熱電效應（Thermoelectric Effects）提供了一種在熱能和電能之間直接轉化的手段，在現(xiàn)今世界能源和環(huán)境問題的背景下，熱電效應作為一種清潔有效的能源轉化方式而受到廣泛關注。相比于傳統(tǒng)的熱電材料，I?V?VI2 (I=Ag; V=Sb, Bi; and VI=S, Se, Te)型半導體由于本征的極低晶格熱導率而成為具有良好潛力的熱電材料體系。盡管AgSbTe2是其中最為廣泛研究的材料，但是由于其制備需要大量豐度較低的元素碲（Tellurium），且熱穩(wěn)定性較差，因而人們希望用更加廉價和穩(wěn)定的AgBiSe2來代替。之前對于AgBiSe2的研究，主要集中在通過對其進行元素摻雜優(yōu)化載流子濃度這一方面，而本文指出通過將AgBiSe2與AgBiS2復合，使用球磨的方法使兩相完全固溶，可以更進一步降低材料的晶格熱導率。結果顯示，材料的熱導率在773K溫度下，從原本的~0.5 W/mK降低到了0.33 W/mK，成為這個體系到目前為止報道的最低的熱導率。結合電性能用銦摻雜改性，最終，該材料在773K時的最高ZT值到達了0.9，與該體系之前取得的最高ZT相近，是本征AgBiSe2的2.5倍左右(如圖所示)。這種運用球磨實現(xiàn)多相固溶以降低晶格熱導率的方法，也為其他體系熱電材料的相關研究指出了一個值得嘗試的方向。
南方科技大學
2021-04-13
剛性Mg基新型室溫熱電材料方面
該研究詳細闡述了由于實空間中Mg-Mg化學鍵構成的電子輸運通道遠離陰離子位置，使Mg3Sb2-yBiy材料體系中合金化原子散射聲子降低晶格熱導率的同時對電子散射較弱，有利于實現(xiàn)電熱輸運的解耦與分別調控（如圖1）。最終，研究成功實現(xiàn)Mg3Sb2-yBiy材料體系室溫功率因子的進一步提升，并在Mg3+δSb1.0Bi1.0:Mn0.01材料中實現(xiàn)室溫下
南方科技大學
2021-04-14
基于絲蛋白基的天然化妝品
中國化妝品市場增速始終高于世界平均水平。數(shù)據(jù)顯示，2017年全國化妝品市場規(guī)模達到3616億元，同比增速達到10%。從增速來看，自2012年到2015年我國化妝品市場規(guī)模增速不斷下滑，到2017年增速明顯提升，未來發(fā)展空間巨大。
從化妝品品類上看，我國化妝品市場表現(xiàn)出鮮明的地域特色。在我國，全球彩妝品類占比為14%，我國僅為9.5%，全球香水品類約占比為10.62%，而我國僅為1.70%。護膚品是化妝品中的膚用化妝品子類，主要具有清潔皮膚及補充皮膚養(yǎng)分等功能，如洗面奶、面霜、面膜等。目前市場規(guī)模呈高速膨脹態(tài)勢，行業(yè)仍處于成長期。
護膚品包括面部護理、身體護理、手部護理和護理套裝四大品類，是化妝品行業(yè)中規(guī)模最大的子行業(yè)。2014年中國護膚品市場規(guī)模突破1500億元，2017年達到1787億元，到2020年，我國護膚品市場規(guī)模將突破2000億元。
浙江大學
2023-05-10
鈦基氧化物涂層陽極的制備
通過添加一種或幾種貴金屬、稀土及其它添加劑，采用熱分解法制備不同成分的鈦基氧化物涂層陽極，采用特殊方法增強涂層與基體間結合力，研制出了適合海水條件下的金屬氧化物陽極涂層，提高了電化學性能和物理性能。產品主要包括：釕鈦陽極、釕銥鈦陽極、釕銥鈷陽極、銥錫鈦陽極、釕銥錫鈦陽極等。特點：1、電流效率高：與石墨陽極相比，在相同的電流密度下，可降低槽電壓約1V ；2、電極使用壽命長： 石墨電極一般使用壽命2—8個月，涂釕鈦陽極可使用5—10年，提高15—3
大連理工大學
2021-04-14
Si基GaN功率半導體及其集成技術
特色及先進性；技術指標 電子科技大學功率集成技術實驗室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已經開展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是國內最早開展GaN-on-Si功率半導體技術研究的團隊。近年來在分立功率器件如功率整流器、增強型功率晶體管及其集成技術方面取得了突出的研究成果。2008年在被譽為“器件奧林匹克”的國際頂級會議IEDM上報道了GaN-on-Si開關模式Boost轉換器，國際上首次實現(xiàn)了GaN-on-Si單片集成增強型功率晶體管和功率整流器。 GaN-on-Si功率整流器 提出一種GaN功率整流器新結構（Metal-Insulator-Semiconductor-Gated Hybrid Anode Diode），其結構如圖2所示。新結構較傳統(tǒng)GaN整流器具有更小的導通電阻，更低的開啟電壓和反向漏電。圖3為MG-HAD和傳統(tǒng)SBD正向開啟特性特比，可以看出MG-HAD具有較小的開啟電壓（0.6V）和導通電阻（1.3mΩ?cm2）。圖4可以看出器件直至150 ℃高溫仍然保持優(yōu)秀的反向阻斷能力，以10μA/mm 為擊穿電流標準，MG-HAD在常溫下?lián)舸╇妷撼^1.1kV的儀器測量極限，150 ℃高溫下?lián)舸╇妷簽?70V。本器件結果能同時具有低導通電阻和高擊穿電壓，因而其baliga優(yōu)值（BFOM）459 MW/cm2在已有GaN-on-Si功率二極管報道中為第二高值，見圖5所示。
電子科技大學
2016-06-08