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本發(fā)明通過對最小均方誤差的理論知識推導，得到伯努利-高斯模型下脈沖噪聲的最小均方誤差線性均衡器的抽頭系數計算方法，從而在較低復雜度的情況下獲取較優(yōu)的檢測性能。摘要附圖

本發(fā)明公開了一種面向混合云計算平臺的負載均衡方法及相應 的混合云負載均衡系統(tǒng)。針對云租戶使用混合云計算 IaaS(基礎設施即 服務)平臺部署應用，解決多云環(huán)境下應用的負載均衡問題。該方法和 系統(tǒng)使用了分層負載均衡機制，在上層通過心跳包動態(tài)收集私有云和 公有云的負載狀態(tài)信息和資源狀態(tài)信息，調節(jié)往各個云的任務分發(fā)優(yōu) 先度；在下層利用云內部提供的 LBaaS(負載均衡即服務)在虛擬機之間 做負載均衡。同時當云應用爆發(fā)時該方

本發(fā)明公開了一種鋰電池組均衡系統(tǒng)及方法。本發(fā)明將鋰電池組的均衡問題分為組內均衡和組間均衡兩個層次，鋰電池分成若干組，分別和雙向 DC-DC 轉換器并聯(lián)，其輸出端相互串聯(lián)作為直流母線和發(fā)電系統(tǒng)的輸出端以及負載并聯(lián)。每組內電池通過雙向開關連接，同時并聯(lián)旁路開關，可實現(xiàn)電池動態(tài)接入。根據各組平均 SOC 分配各組輸出電壓實現(xiàn)組間均衡。根據組內單體電池 SOC 控制其動態(tài)接入可實現(xiàn)各組內均衡。基于本發(fā)明對鋰電池組 SOC 進

本發(fā)明公開了一種大規(guī)模行為模擬應用中的負載均衡方法，包 括以下步驟：建立兩個哈希表，其中一個用于存放塊中的所有模擬對 象，另一個用于存放域中的所有塊信息，并對該哈希表進行初始化， 重復增量計算各域的負載，直到大規(guī)模行為模擬應用結束為止，以生 成增量計算負載后的域 D，對域 D 進行劃分以生成域集合 Dset，其中 劃分后的域集合 Dset 中每一個域 D2 的負載均為 T1，且其中的塊都是 相互連接的，將域 D 和其

工業(yè)中大部分高溫固體散料是寬粒徑分布（0.1-20mm）的混合物料，微細粉體填充在塊料的空隙，冷卻氣體既吹不起散料，也穿不透散料，難以直接從散料取走熱量；移動床內間接換熱過程中管間距過大換熱不充分，管間距過小顆粒易堵塞，熱回收效率低；高溫散料的粒度覆蓋范圍寬、產率及溫變跨度大，余熱回收難度大、效率低，技術不成熟。針對現(xiàn)有的余熱回收工藝適用性差、回收效率低，對于含微細粉體且粒度分布寬、產率及溫變跨度大的余熱散料難以有效回收的現(xiàn)狀，設計開發(fā)適應粒度、產率和溫度寬范圍變化的高溫散料均勻布料裝置和自均衡連續(xù)出料裝置；研發(fā)以散料側多頻喘動及流體側強化換熱為特征的間壁式換熱技術；提出適用于粒度、溫度和產率寬閾度變化的熱質自均衡蓄存技術與熱量分級提取方法，形成組合式散料蓄存與余熱分級提取工藝。

本發(fā)明公開了一種基于多層單元的非易失內存系統(tǒng)的磨損均衡 方法。包括：將非易失內存系統(tǒng)的存儲區(qū)域的每個晶元劃分為多個子 存儲區(qū)域；對每個子存儲區(qū)域，在其每執(zhí)行 P 個寫請求之后，使用基 于代數的磨損均衡算法隨機交換該子存儲區(qū)域的物理行中的數據；在 非易失內存系統(tǒng)的存儲區(qū)域每執(zhí)行 T 個寫請求之后，從各子存儲區(qū)域 中選取一個“熱”子存儲區(qū)域和一個“冷”子存儲區(qū)域進行數據交換； 其中，T 為區(qū)域交換間隔，為預定值或隨機數，

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統(tǒng) 針對高壓IGBT器件內部承受的正極性重復方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統(tǒng)（如圖1所示），可實現(xiàn)電壓波形參數、溫度和氣壓的靈活調控，用于研究電壓類型（交、直流、重復方波電壓）、波形參數、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關參數：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯(lián)均流實驗系統(tǒng) 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯(lián)均流實驗系統(tǒng)（如圖3所示），平臺具有靈活調節(jié)IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數、寄生參數以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關斷過程芯片-封裝支路瞬態(tài)電流分布影響規(guī)律的研究，以及瞬態(tài)電流不均衡調控方法的研究；平臺相關參數：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯(lián)均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統(tǒng) 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰(zhàn)。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環(huán)測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環(huán)測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環(huán)測試，最多可實現(xiàn)12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數、壓力均獨立可調，功率循環(huán)周期為秒級，極限測試能力可達 300 ms，最高壓力達220 kN，虛擬結溫測量精度達±1°C，導通壓降測量精度達±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現(xiàn)漏電流和閾值電壓的實時在線監(jiān)測，最多可實現(xiàn)32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內部并聯(lián)多芯片電流及結溫測量方法及實現(xiàn) 高壓大功率壓接型IGBT器件內部芯片瞬態(tài)電流及結溫測量是器件多物理量均衡調控及狀態(tài)監(jiān)測的基本手段，針對器件內部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現(xiàn)了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結構設計，設計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現(xiàn)臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內部多芯片并聯(lián)芯片結溫測量，提出了壓接型IGBT器件結溫分布測量的時序溫敏電參數法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進行單顆IGBT芯片結溫的測量，進而等效獲得一個周期內各IGBT芯片的結溫分布。在此基礎上，完成了集成于高壓大功率器件內部的多芯片并聯(lián)電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數測量驅動板的設計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統(tǒng)用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯(lián)電流均衡調控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調控等方面工作，相關成果支撐了國家電網公司全球能源互聯(lián)網研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

本發(fā)明提供了一種基于神經網絡的超密集異構網絡負載均衡優(yōu)化方法，將ART2型神經網絡和基于代價的分布式方法相結合的低復雜度超密集異構網絡下行用戶連接方法，聯(lián)合調整所有小站的代價偏置值，解決超密集異構網中的負載均衡問題。本發(fā)明采用ART2型神經網絡的分類設置初始值，可以大大降低迭代次數和計算復雜度，能提高基站邊緣和中間的用戶的吞吐量率，自動的均衡跨層和同層之間基站的負載，進一步顯著降低負載均衡迭代方法的迭代次數，更加適應快速復雜多變的實際情況。

本發(fā)明公開了一種多徑網絡中基于鏈路時延控制的軟負載均衡 方法。在此算法模型中，決定流量的最佳路徑分配時，同時考慮了傳 播時延和鏈路帶寬，在無額外開銷的基礎上，一方面，可以實現(xiàn)最小 化最大鏈路端到端時延，減小接收端數據包重排序的等待時延；另一 方面，可以使各條鏈路的端到端時延差最小，因此減小了數據包時延 抖動，降低了數據包進行重排序的風險。數據包進行重排序的風險越 低、等待時延越小，數據包重排序進程帶來的時延越小。因此，本發(fā) 明提出的算法模型不僅能減小端到端時延，還能減小數據包重排序進 程的時延，進而使得成功傳輸一個數據包的時延減小，優(yōu)化多徑網絡 整體的吞吐量。

育勞動之花 釀生活之蜜——綜評系統(tǒng)助力勞動教育均衡發(fā)展