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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
數(shù)字交、直流演示電表(四位半)（J01402）
J01402型數(shù)字演示電表是一種具有多種測試功能的數(shù)字儀表，它適用物理、化學(xué)、無線電等教學(xué)演示實(shí)驗(yàn)用。本儀表采用前后（大、?。╇p面顯示屏幕，能同時(shí)顯示被測量的數(shù)值，特別適用示教演示。操作者應(yīng)根據(jù)面板上刻度的功能及量程選擇進(jìn)行測量，并觀察結(jié)果。
主要技術(shù)性能:
1、???? 直流電壓測試：0～±2V、 0～±20V、 0～±200V、 0～±1000V四檔，誤差±1% 。
2、???? 交流電壓測試：0～2V、 0～20V、 0～200V、 0～700V四檔，誤差±2% 。
3、???? 直流電流測試：0～±2mA、 0～±20 mA、 0～±200 mA、 0～±2000 mA四檔，誤差±1.5% 。
4、???? 交流電流測試：0～2mA、 0～20 mA、 0～200 mA、 0～2000 mA四檔，誤差±2% 。
5、???? 檢流計(jì)測試：0～±2000μA（2mA檔）誤差±1.5% 。
6、???? 電阻測試：0～2kΩ、 0～20kΩ、 0～200kΩ、 0～2000kΩ四檔，誤差±1% 。
7、???? 電源：AC220V±22V ；50Hz；工作時(shí)間：連續(xù)4小時(shí)； 額定功耗：≤10W 。
8、???? 外型尺寸：276 mm×115 mm×298mm 。
儀表凈重：1.5㎏ 。?? 10、執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn): JY0001-2003; Q/HDB 001 -2010 。
杭州電表廠
2021-08-23
數(shù)字交、直流演示電表(四位半)（J01402）
J01402型數(shù)字演示電表是一種具有多種測試功能的數(shù)字儀表，它適用物理、化學(xué)、無線電等教學(xué)演示實(shí)驗(yàn)用。本儀表采用前后（大、?。╇p面顯示屏幕，能同時(shí)顯示被測量的數(shù)值，特別適用示教演示。操作者應(yīng)根據(jù)面板上刻度的功能及量程選擇進(jìn)行測量，并觀察結(jié)果。
主要技術(shù)性能:
1、???? 直流電壓測試：0～±2V、 0～±20V、 0～±200V、 0～±1000V四檔，誤差±1% 。
2、???? 交流電壓測試：0～2V、 0～20V、 0～200V、 0～700V四檔，誤差±2% 。
3、???? 直流電流測試：0～±2mA、 0～±20 mA、 0～±200 mA、 0～±2000 mA四檔，誤差±1.5% 。
4、???? 交流電流測試：0～2mA、 0～20 mA、 0～200 mA、 0～2000 mA四檔，誤差±2% 。
5、???? 檢流計(jì)測試：0～±2000μA（2mA檔）誤差±1.5% 。
6、???? 電阻測試：0～2kΩ、 0～20kΩ、 0～200kΩ、 0～2000kΩ四檔，誤差±1% 。
7、???? 電源：AC220V±22V ；50Hz；工作時(shí)間：連續(xù)4小時(shí)； 額定功耗：≤10W 。
8、???? 外型尺寸：276 mm×115 mm×298mm 。
儀表凈重：1.5㎏ 。?? 10、執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn): JY0001-2003; Q/HDB 001 -2010 。
杭州電表廠
2021-08-23
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在原子核殼演化研究上的新進(jìn)展
雙幻核132Sn（Z=50，N=82）附近由于實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)缺乏，人們對(duì)該區(qū)域殼結(jié)構(gòu)是否會(huì)發(fā)生變化一直存在著爭論。因此，實(shí)驗(yàn)上進(jìn)一步研究該區(qū)域的殼演化特征，探討殼演化內(nèi)在機(jī)制是一個(gè)非常重要而有趣的課題，對(duì)理解核天體物理中的快中子俘獲過程也有重要意義。圖1. 奇質(zhì)量Ag同位素第一個(gè)1/2-態(tài)和9/2+態(tài) 圖2. (a) 理論計(jì)算的質(zhì)子有效單粒子能能級(jí)差的系統(tǒng)性演化 曲線。(b) 中子在h11/2軌道的占據(jù) 近期，核物理與核技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的李智煥、華輝課題組和合作者在日本理化學(xué)研究所開展了對(duì)123Pd和125Pd核的β衰變實(shí)驗(yàn)研究，首次在衰變子核123Ag和125Ag 的低激發(fā)能區(qū)發(fā)現(xiàn)了具有β放射性的同核異能態(tài)。利用新發(fā)現(xiàn)的同核異能態(tài)，討論了奇質(zhì)量Ag同位素中由πg(shù)9/2 和 πp1/2兩個(gè)軌道形成的Z=40次閉殼能隙在N=82附近的演化（見圖1）。研究表明在N=82處，Z=40次閉殼能隙可能存在明顯的減小。為了進(jìn)一步了解殼演化的微觀機(jī)制，使用包含了張量力的殼模型計(jì)算了這個(gè)質(zhì)量區(qū)單粒子軌道的演化，結(jié)果顯示相比于N=50處，Z=40次閉殼能隙在N =82處存在明顯的減小，張量力對(duì) Ag 同位素中πg(shù)9/2 和 πp1/2 軌道以及 Z=40 次閉殼能隙在接近 N=82 時(shí)的演化起到非常重要的作用（見圖2）。
北京大學(xué)
2021-04-11
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ZnO@ZIF-8核殼結(jié)構(gòu)微球及其制備方法
本發(fā)明公開了一種ZnO@ZIF-8核殼結(jié)構(gòu)微球及其制備方法。微球由ZnO和ZIF-8組成核殼結(jié)構(gòu)微球，其中，核為ZnO、殼為ZIF-8，球狀ZnO核的直徑為250～300nm、表面為粗糙面，ZIF-8殼厚為40～60nm，其由塊狀多面體構(gòu)成，微球的比表面積≥300m2/g；方法為先按照重量比為3.5～7.5：250的比例，將兩水合醋酸鋅加入二乙二醇中，并于140～180°C下回流至少1h，得到反應(yīng)液，再待反應(yīng)液冷卻至室溫后，對(duì)其依次進(jìn)行固液分離、洗滌和干燥的處理，得到球狀ZnO，接著，按照重量比為0
安徽建筑大學(xué)
2021-01-12
核殼結(jié)構(gòu)NiO-CdS同軸納米纖維及其制備方法
本發(fā)明公開了核殼結(jié)構(gòu)NiO-CdS同軸納米纖維及其制備方法。以醋酸鎳、草酸銨和三乙胺為反應(yīng)原料，水浴反應(yīng)后，收集含鎳沉淀物，煅燒獲得NiO納米粉。稱取0.1gNiO，加入到30mL含一定量醋酸鎘水溶液中，超聲分散10～20分鐘，得分散液A；稱取1mmol硫脲，加入30mL去離子水，滴加0.1mL乙二胺，溶解得溶液B；將溶液B加入到分散液A中，磁力攪拌12小時(shí)后，置于家用微波爐中，低火加熱30分鐘；反應(yīng)結(jié)束后，趁熱過濾沉淀物，即得本發(fā)明的核殼結(jié)構(gòu)NiO-CdS同軸納米纖維。核殼結(jié)構(gòu)NiO-CdS同軸納
安徽建筑大學(xué)
2021-01-12
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一種核殼結(jié)構(gòu)合金納米顆粒的制備方法
本發(fā)明公開了一種核殼型合金納米顆粒的制備方法。該方法包括：使用有機(jī)硅烷偶聯(lián)劑在氧化物基底表面生長出自組裝單分子層。隨后在生長有自組裝單分子層的基底表面通過原子層沉積生長一種金屬核心，接著在金屬核心上通過原子層沉積選擇性地生長另一種包覆核心的金屬殼層。該方法可以通過調(diào)節(jié)原子層沉積的生長循環(huán)次數(shù)控制核心尺寸與殼層厚度，以及核與殼的合金成分比例。按照本發(fā)明使用的基底改性方法實(shí)現(xiàn)核殼結(jié)構(gòu)合金顆粒的制備，由于采用了原子層沉積的工藝，因此對(duì)于生長的核殼結(jié)構(gòu)合金顆粒能夠達(dá)到納米級(jí)的可控性。并且基于基底改性的方法對(duì)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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核安全殼高分辨率影像采集系統(tǒng)
本發(fā)明提供一種核安全殼高分辨率影像采集系統(tǒng)，包括移動(dòng)平臺(tái)、采集平臺(tái)和控制中心，所述移動(dòng) 平臺(tái)包括框架，用于控制采集平臺(tái)豎直位置并擔(dān)負(fù)配重的電機(jī)總成，用于控制采集平臺(tái)距離安全殼殼壁 距離的推拉桿裝置，安裝于框架底部用于控制采集平臺(tái)及移動(dòng)平臺(tái)水平位置的軌道輪，控制箱，無線網(wǎng) 橋，以及用于采集平臺(tái)上下移動(dòng)限制控制的軌道繩；所述采集平臺(tái)包括框架，固定在框架兩側(cè)用于沿著 安全殼壁采集照片的相機(jī)，固定在框架中間位置的集控箱，固定在框架上沿的光控照明燈，以及
武漢大學(xué)
2021-04-14
一種核殼結(jié)構(gòu)合金納米顆粒的制備方法
本發(fā)明公開了一種核殼型合金納米顆粒的制備方法。該方法包 括：使用有機(jī)硅烷偶聯(lián)劑在氧化物基底表面生長出自組裝單分子層。 隨后在生長有自組裝單分子層的基底表面通過原子層沉積生長一種金 屬核心，接著在金屬核心上通過原子層沉積選擇性地生長另一種包覆 核心的金屬殼層。該方法可以通過調(diào)節(jié)原子層沉積的生長循環(huán)次數(shù)控 制核心尺寸與殼層厚度，以及核與殼的合金成分比例。按照本發(fā)明使 用的基底改性方法實(shí)現(xiàn)核殼結(jié)構(gòu)合金顆粒的制備，由于采用了原子層 沉積的工藝，因此對(duì)于生長的核殼結(jié)構(gòu)合金顆粒能夠達(dá)到納米級(jí)的可 控性。并且基于
華中科技大學(xué)
2021-04-14
巖心滲透率 5MHz核磁巖心分析儀
產(chǎn)品詳細(xì)介紹產(chǎn)品簡介： MicroMR系列5MHz核磁巖心分析儀是經(jīng)典的巖心分析設(shè)備，主要用于常規(guī)巖心的孔滲飽測試，該產(chǎn)品專為不同特性巖樣的檢測需求而精心研制，為石油巖心測試領(lǐng)域提供最專業(yè)最匹配的分析解決方案?！ ?MHz核磁共振巖心分析儀，可滿足石油勘探領(lǐng)域的孔隙度、滲透率、飽和度、可動(dòng)流體飽和度、束縛流體飽和度等相關(guān)分析測試，測量結(jié)果客觀真實(shí)、精準(zhǔn)度高、重復(fù)性好，儀器性能穩(wěn)定，性價(jià)比高。技術(shù)指標(biāo)：1、磁體類型：永磁體；2、磁場強(qiáng)度：0.12±0.02T，儀器主頻率：5MHz；3、探頭線圈直徑：25.4mm；應(yīng)用解決方案：標(biāo)準(zhǔn)巖心孔隙結(jié)構(gòu)及流體飽和度；；應(yīng)用案例一：玻璃珠孔隙模型測試（不同飽和度下T2弛豫圖譜分析）應(yīng)用案例二：核磁共振T2圖譜與巖樣孔喉分布注：儀器外觀如有變動(dòng)，以產(chǎn)品技術(shù)資料為準(zhǔn)。
上海紐邁電子科技有限公司
2021-08-23
腦、腦干水平切、腦神經(jīng)核立體關(guān)系電動(dòng)模型
XM-D022腦、腦干水平切、腦神經(jīng)核立體關(guān)系電動(dòng)模型
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XM-D022腦、腦干水平切、腦神經(jīng)核立體關(guān)系電動(dòng)模型分別為沿丘腦內(nèi)髓板的中心腦作水平切，示斷面立體結(jié)構(gòu)，沿丘腦內(nèi)髓板的中心平面以上腦作冠狀切面，示其平面結(jié)構(gòu)，顯示腦干主要核團(tuán)的斷面及立體結(jié)構(gòu)與立體神經(jīng)核團(tuán)位置關(guān)系，模型控制面板上設(shè)有36個(gè)按鈕功能鍵，可任意選擇電動(dòng)顯示了解神經(jīng)核團(tuán)位置、形態(tài)和毗鄰。
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尺寸：34×34×70cm
材質(zhì)：PVC材料+木框
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標(biāo)準(zhǔn)配置：
■ XM-D022腦、腦干水平切、腦神經(jīng)核立體關(guān)系電動(dòng)模型：1臺(tái)
■ 電源線：1根
■ 說明書：1冊(cè)
■ 保修卡合格證：1張
上海欣曼科教設(shè)備有限公司
2021-08-23