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鋁合金拋光液
性能指標
外觀
乳白
固含量（%）
40±1
粒徑（nm）
80-120
密度（25℃,g/cm³）
1.28-1.30
分散介質
水
pH
9-11
保質期（月）
≥12
山東百特新材料有限公司
2021-09-03
氧化鈰拋光液
El系列玻璃拋光液是一種優質穩定的拋光耗材，磨料主要采用優質的進口拋光粉為原料，采用嚴格的濕法微濾膜設備控制粒徑，配以自主開發的化學增強拋光助劑，統籌拋光液流變性能，顯示出高速的拋光效率、優質的拋光表面(表面精度高，微劃傷低)。 特點： 1、拋光后的表面質量好。 2、能適用于各種加工方式。 3、可用于眾多零件材料的拋光。 4、高效率，低粘度、易清洗。 5、懸浮性好。 6、使用壽命長。 技術參數： 色澤：淺棕紅色 平均粒度： 0.4—0.5μm PH 值： 8.5-9.5 用途： 1、軍事領域的精密光學元件。 2、激光電子的元器件。 3、科學儀器上的各種零件。 4、照相機、投影儀和各種望遠鏡。 5、液晶顯示屏表面及光盤。 6、其它精密光學元件。 建議拋光濃度： 該拋光劑是濃度為400克/升的濃縮液，建議在使用時先將該拋光液充分搖晃混合均勻，再按比例進行稀釋使用，最終的稀釋濃度可根據需要而定。 拋光墊材料： 適用于各種拋光模材料，如聚胺脂拋光片、黑色拋光墊片、瀝青、毛氈、合成革等。 包裝：20kg/桶
山東麥豐新材料科技股份有限公司
2021-09-01
固液混合機
設備研發依據：《國際海運固體散裝貨物規則（簡稱IMSBC）》研發基于散裝礦產品適運水分極限要求的流盤法實驗所用流盤測試儀、插入度法實驗所用插入度法測試儀、樣品前處理固液混合機。
固液混合機：是為適運水極限檢測樣品進行前處理混樣的設備；可實現樣品混合的精確加水，解決了人工混合樣品勞動強度大，混合不均勻的問題；料筒、噴頭及外殼全采用304鏡面不銹鋼，防止長時間水分浸泡，設備生銹的可能；采用計量泵，實現了水分的精確添加；提高了水分添加的精度和混合的均勻性，保證了檢測結果的準確率和權威性。
青島海億特機電科技發展有限公司
2021-09-13
大規模集成電路用引線框架Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系合金
集成電路是微電子技術的核心，與國防和國民經濟現代化, 乃至人們的文化生活都息息相關。集成電路由芯片和框架經封裝而成, 其中框架既是骨架又是半導體芯片與外界的聯接電路, 是芯片的散熱通道, 又是連結電路板的橋梁, 因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度, 高集成化方向發展, 芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規模和超大規模的迅速推進，對集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料, 利用銅合金優良的傳熱性能, 加入少量強化元素, 通過固溶強化和彌散強化提高其強度, 同時僅稍微損失導熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強中導、高強中導、高強高導合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關鍵技術與國外先進水平有較大差距，我國所使用的大規模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進口。目前，本課題組通過一系列研究，開發了具有自主知識產權的Cu-Ni-Si系合金，并實現了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產化大規模生產。 一、Cu-Ni-Si系銅合金主要性能指標 1.抗拉強度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.導電率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系銅合金主要性能指標 1.抗拉強度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.導電率：60～80%IACS。
上海理工大學
2021-04-11
大規模集成電路用引線框架Cu-Ni-Si系、 Cu-Fe-P系合金
集成電路是微電子技術的核心，與國防和國民經濟現代化，乃至人們的文化生活都息息相關。集成電路由芯片和框架經封裝而成，其中框架既是骨架又是半導體芯片與外界的聯接電路，是芯片的散熱通道，又是連結電路板的橋梁，因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度，高集成化方向發展，芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規模和超大規模的迅速推進，對集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料，利用銅合金優良的傳熱性能，加入少量強化元素，通過固溶強化和彌散強化提高其強度，同時僅稍微損失導熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強中導、高強中導、高強高導合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關鍵技術與國外先進水平有較大差距，我國所使用的大規模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進口。目前，本課題組通過一系列研究，開發了具有自主知識產權的Cu-Ni-Si系合金，并實現了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產化大規模生產。
上海理工大學
2021-04-13
硅基未知頻率縫隙耦合式Ｔ型結直接式毫米波相位檢測器
本發明的硅基未知頻率縫隙耦合式Ｔ型結直接式毫米波相位檢測器是由共面波導傳輸線、縫隙耦合結構、移相器、單刀雙擲開關、Ｔ型結功分器、Ｔ型結功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構成，整個結構基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共有四個縫隙耦合結構，上方的兩個縫隙耦合結構實現信號的頻率測量，下方的兩個縫隙耦合結構實現信號的相位測量，在前后縫隙之間有一個移相器；Ｔ型結功分器和Ｔ型結功合器是由共面波導傳輸線、扇形缺陷結構和空氣橋組成；直接式熱電式功率傳感器由共面波導傳輸線、兩個熱電偶和隔直電容所構成，熱電偶是由金屬臂和半導體
東南大學
2021-04-14
基于硅基懸臂梁Ｔ型結間接加熱式毫米波信號檢測器
本發明的基于硅基懸臂梁Ｔ型結間接加熱式毫米波信號檢測器，主要實現結構包括由懸臂梁耦合結構、Ｔ型結、間接加熱式微波功率傳感器和開關。懸臂梁耦合結構包括兩組懸臂梁，每組懸臂梁由兩個對稱的懸臂梁構成，兩個懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長度在所測信號頻率范圍內的中心頻率３５ＧＨｚ處為λ／４。功率通過第一間接加熱式微波功率傳感器進行檢測；頻率檢測通過利用間接加熱式微波功率傳感器測量兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號的合成功率實現；相位檢測通過將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號，分別同兩路等分后的參考
東南大學
2021-04-14
硅基已知頻率縫隙耦合式Ｔ型結直接式毫米波相位檢測器
本發明的硅基已知頻率縫隙耦合式Ｔ型結直接式毫米波相位檢測器是由共面波導傳輸線、縫隙耦合結構、移相器、Ｔ型結功分器、Ｔ型結功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構成，整個結構基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共有四個縫隙耦合結構，上方的兩個縫隙耦合結構連接著兩個直接式熱電式功率傳感器，下方的兩個縫隙耦合結構實現信號的相位測量，在前后縫隙之間設置有一個移相器；Ｔ型結功分器和Ｔ型結功合器是由共面波導傳輸線、扇形缺陷結構和空氣橋所組成；直接式熱電式功率傳感器主要由共面波導傳輸線、兩個熱電偶和一個隔直電容所構成，每個熱電偶
東南大學
2021-04-14
硅基已知頻率縫隙耦合式Ｔ型結間接式毫米波相位檢測器
本發明的硅基已知頻率縫隙耦合式Ｔ型結間接式毫米波相位檢測器是由共面波導、縫隙耦合結構、移相器、Ｔ型結功分器、Ｔ型結功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構成，整個結構基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設置有四個縫隙耦合結構，上方的兩個縫隙耦合結構連接著兩個間接式熱電式功率傳感器，下方的兩個縫隙耦合結構實現信號的相位測量，在前后縫隙之間設置有一個移相器；Ｔ型結功分器和Ｔ型結功合器是由共面波導、扇形缺陷結構和空氣橋所組成；間接式熱電式功率傳感器主要由共面波導、兩個終端電阻以及熱電堆所構成，熱電堆是由兩種不同的半導體
東南大學
2021-04-14
硅基微機械懸臂梁耦合間接加熱在線式毫米波相位檢測器
本發明的硅基微機械懸臂梁耦合間接加熱在線式毫米波相位檢測器，實現結構包括懸臂梁耦合結構、功率合成／分配器和間接加熱式微波功率傳感器。懸臂梁耦合結構中，兩個結構相同的懸臂梁在ＣＰＷ中央信號線上方，用于耦合部分待測信號，通過錨區與功率合成器相連，耦合信號的功率相等，兩個懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長度為λ／８。懸臂梁下方的ＣＰＷ中央信號線上覆蓋了一層Ｓｉ３Ｎ４介電層，用于防止電學短路。參考信號通過功率分配器分成兩路信號，分別與兩路懸臂梁耦合的信號通過功率合成器合成，功率合成器的輸出端連接到間接加熱式微波功
東南大學
2021-04-14