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關于TaP中磁場誘導的外爾費米子湮滅研究
在磁場作用下，外爾半金屬中的電子能帶首先形成了一套特殊的分立朗道能帶。特別是最后一個朗道能帶由于其特殊的拓撲結構而具有手性，其在動量空間中是單向的。當磁場很高時，此時電子的磁長度的倒數可和兩個相反手性的外爾點的動量距離相比擬，因此物理上允許發生磁隧穿效應而導致最后兩個手性的朗道能帶發生雜化，最終實現外爾費米子的湮滅和能隙的打開。
北京大學
2021-04-11
氣相法合成SAPO-34分子篩
1984年美國聯合碳化公司開發出了一系列磷酸硅鋁分子篩，其中SAPO-34分子篩具有類似菱沸石型結構，屬于小孔沸石，可用作吸附劑，催化劑及催化劑載體。在甲醇制烯烴(MTO)反應中表現出了很好的催化活性，低碳烯烴選擇性高達90%以上，其中乙烯的選擇性可達50%以上，幾乎沒有C5以上產物。
南京工業大學
2021-01-12
一種雙半圓環型絕緣子清掃裝置
本實用新型提供一種雙半圓環型絕緣子清掃裝置，包括主體外框、設置在主體外框內部的加壓裝置 和蓄電池、以及貫穿所述主體外框的送壓系統，所述送壓系統包括環型出風口、U 型導氣管道、旋轉送 風口和往返電機;其中旋轉送風口和往返電機位于主體外框的內部，所述 U 型導氣管道上端連接環型出 風口，底端設置旋轉送風口，所述旋轉送風口連通加壓裝置和 U 型導氣管道，
武漢大學
2021-04-14
一種磁浮平面電機動子初始相位定位方法
本發明公開了一種磁浮平面電機位置初始定位方法，該方法包 括以下步驟：在磁浮平面電機動子不同位置放置 4 個霍爾傳感器，通 過測量電機靜止時各個傳感器所在位置的磁通密度，選取磁通密度最 低的 3 個測量值作為觀測值，結合磁鋼陣列上磁通密度分布模型，通 過特定的數學模型來計算磁浮平面電機幾何中心所處的磁場相位，實 現平面電機動子幾何中心初始磁場相位定位及旋轉角度定位。該方法 通過增加冗余傳感器及對傳感器合理排布避免傳感器在磁場峰值進行 數據采集，提升了定位精度。
華中科技大學
2021-04-14
基于共面波導饋電的超寬帶圓形單極子天線
本實用新型公開了一種基于共面波導饋電的超寬帶圓形單極子天線，其特征包括：圓形輻射貼片、饋線、接地板以及介質板；在介質板的表面設置有圓形輻射貼片、饋線和接地板；圓形輻射貼片與饋線的上端相連接；饋線的下端設置有與外部連接的接口；在饋線的兩側對稱設置有接地板；且接地板與饋線之間形成有縫隙。本實用新型能增加天線的帶寬，從而滿足雷達使用需求。
安徽建筑大學
2021-01-12
磁性固定器件應用及其產業化
未來裝配式建筑構件若實現工業化、標準化和智能化制造，關鍵環節是要求構件成型模具拆裝靈活，便捷高效，可重復使用，并具通用性。高性能磁性固定器件就是為簡化預制混凝土構件模具安裝而設計開發的一種新型無損模具固定裝置，旨在解決傳統螺栓錨定對生產平臺的破壞性、難拆卸、通用性差的技術難題。
南京大學
2021-04-10
新型多門控超導納米線邏輯器件
為了追求極限性能，越來越多的電子系統需要在低溫條件下工作。例如，在量子計算機、高性能傳感器、深空觀測以及一些經典信息處理系統中，通常使用工作溫度為2K甚至是mk溫區的低溫器件，從而在噪聲、速度和靈敏度等方面實現接近量子極限的性能。對于這一類低溫系統，信號讀取與處理通常采用兩種方式：第一種是采用超導數字電路SFQ（單磁通量子技術）來實現高性能計算和處理；第二種是將信號傳送至幾十K的溫區，再采用低溫CMOS技術對進行信號處理。然而，不論采用何種技術路徑，數字電路的功耗都必須控制在極小范圍之內，從而保持極低溫的工作環境，維持低溫器件的高性能。隨著應用需求的提高和低溫陣列器件規模的擴大，低溫電子系統性能受到信號處理和傳輸技術的制約，急切需要新的方案進行解決。 圖1. (a) 采用超導納米線結構實現的12門控或邏輯門；(b) 超導納米線數字編碼器芯片照片。針對此問題，南京大學吳培亨院士領導的超導電子學研究所團隊，趙清源教授和康琳教授課題組設計出新型多門控超導納米線邏輯器件(superconducting nanowire cryotron, nTron)，并利用此器件搭建經典二進制數字編碼器；在1.6K的溫度下，成功實現數字信息編碼，總功耗小于1微瓦(10-6瓦)。同時，他們還利用此編碼器對超導納米線單光子探測器陣列實現數字化讀出，為低溫陣列探測器的信號讀出和處理提供第三種解決方案。圖2. 超導納米線邏輯芯片實現對單光子探測器陣列的數字化讀取。半導體數字電路，經歷了從電子管、晶體管、混合集成電路至大規模集成電路的發展過程。每一代技術的升級變革，其核心推力都是基礎邏輯器件的更新換代。前沿技術領域對超導電子器件的應用需求，也正將超導電子技術推向數字化的發展時代。南京大學吳培亨院士團隊基于超導納米線技術，開展了新型超導邏輯器件(nTron)的研究工作。nTron為單層平面器件，利用局部超導相變，實現高速低功耗的開關邏輯。
南京大學
2021-04-11
分子基光催化產氫器件多相化
在利用太陽能分解水制取氫氣的催化劑研究上取得新進展。該研究工作借鑒自然界光合作用，在多個光敏中心多個催化中心產氫器件構筑的基礎上，進一步將其植入到金屬有機框架材料中，模擬自然界酶催化環境中質子和電子的傳輸與轉移，在有效規避分子基催化劑穩定性差的同時，極大地提高了光催化產氫性能，為人工模擬光催化劑的設計和構筑提供了新的思路。? 人工模擬光合作用，利用太陽能在催化劑作用下分解水制取氫氣，是實現將太陽能轉化為清潔的化學能，解決人類社會面臨的能源危機和環境污染問題的理想途徑。在早期，我校化學學院蘇成勇教授和石建英副教授研究團隊發展了空間上相互獨立、功能上相互等價，集合8個光敏金屬有機釕中心和6個催化Pd2+中心于一體的金屬-有機分子籠產氫器件[Pd6(RuL3)8]28+(MOC-16)，在單一分子籠內構筑出多個相互獨立的能量傳遞和電子轉移通道，獲得了高達380 μmol h-1的初始產氫速率和635的TON(48h) [Nature Communications, 2016, 7: 13169]。雖然金屬有機分子籠提高了分子基催化劑的產氫性能，但光照條件下的穩定性仍然是制約其進一步應用的決定因素。 最近，我校化學學院蘇成勇教授和石建英副教授研究團隊又基于配位組裝策略實現了Au25(SG)18納米簇在金屬有機ZIF-8主體框架內部和外表面的可控組裝[Advanced Materials, 2018, 30,1704576]。采用相似策略，他們將MOC-16植入到ZIF-8主體內，進一步將ZIF-8轉化為Znx(MeIm)x(CO3)x (CZIF)，獲得了MOC-16@CZIF催化劑。
中山大學
2021-04-13
新型硅基環柵納米線MOS?器件
已有樣品/n在主流硅基FinFET集成工藝基礎上，通過高級刻蝕技術形成體硅絕緣硅Fin和高k金屬柵取代柵工藝中選擇腐蝕SiO2相結合，最終形成全隔離硅基環柵納米線MOS器件的新方法。并在取代柵中絕緣硅Fin釋放之后，采用氧化和氫氣退火兩種工藝分別將隔離的“多邊形硅Fin”轉化成“倒水滴形”和“圓形”兩種納米線結構。
中國科學院大學
2021-01-12
氮化鎵高壓電力電子器件
已有樣品/n基于AlGaN/GaN異質結材料體系，通過采用導電機制融合和能帶分區調控的先進技術路線改變傳統氮化鎵肖特基二極管正向電壓與反向電流等參數之間的經典調控規律，采用無損傷工藝，提升了器件的均勻性和可靠性，進一步提升了氮化鎵肖特基二極管的性能。測試結果達到1700V反向耐壓，正向開啟電壓達到0.38V以及高防浪涌能力，為肖特基二極管器件市場提供了一種新選擇。
中國科學院大學
2021-01-12